威兆半導(dǎo)體推出的VS320N10AU是一款面向 100V 中壓超大電流場(chǎng)景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET,采用 TO-247 封裝,適配中壓大電流 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電源管理等領(lǐng)域。
一、產(chǎn)品基本信息
- 器件類型:N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
- 核心參數(shù):
- 漏源極擊穿電壓(\(V_{DSS}\)):100V,適配中壓供電場(chǎng)景;
- 導(dǎo)通電阻(\(R_{DS(on)}\),\(V_{GS}=10V\)):典型值2.6mΩ,中壓場(chǎng)景下傳導(dǎo)損耗極低;
- 連續(xù)漏極電流(\(I_D\),\(V_{GS}=10V\)):\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí)320A,\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí)保持320A;
- 脈沖漏極電流(\(I_{DM}\)):1280A(\(T=25^\circ\text{C}\)),滿足瞬時(shí)超大電流需求。
二、核心特性
- 極致低導(dǎo)通電阻:2.6mΩ 的阻性表現(xiàn),大幅降低中壓超大電流場(chǎng)景的傳導(dǎo)損耗;
- 快速開關(guān) + 高效率:開關(guān)特性優(yōu)異,搭配超大電流承載能力,提升系統(tǒng)能量轉(zhuǎn)換效率;
- 高可靠性:通過(guò) 100% 雪崩測(cè)試,單脈沖雪崩能量達(dá) 600mJ,抗沖擊能力極強(qiáng);
- 環(huán)保合規(guī):滿足無(wú)鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),適配綠色電子制造。
三、關(guān)鍵電氣參數(shù)(\(T=25^\circ\text{C}\),除非特殊說(shuō)明)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 數(shù)值(Rating) | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源極擊穿電壓 | \(V_{DSS}\) | 100 | V |
| 柵源極電壓 | \(V_{GS}\) | ±20 | V |
| 二極管連續(xù)正向電流 | \(I_S\) | 320 | A |
| 連續(xù)漏極電流(\(V_{GS}=10V\)) | \(I_D\) | \(T=25^\circ\text{C}/100^\circ\text{C}\): 320 | A |
| 脈沖漏極電流 | \(I_{DM}\) | 1280 | A |
| 單脈沖雪崩能量 | \(E_{AS}\) | 600 | mJ |
| 最大功耗(結(jié)溫約束) | \(P_D\) | \(T=25^\circ\text{C}\): 625;\(T=100^\circ\text{C}\): 250 | W |
| 結(jié) - 殼熱阻(Typ/Max) | \(R_{thJC}\) | 0.3 / 0.36 | ℃/W |
| 工作 / 存儲(chǔ)溫度范圍 | \(T_J、T_{STG}\) | -55~+175 | ℃ |
四、封裝與應(yīng)用場(chǎng)景
- 封裝形式:TO-247 直插封裝,適配超大電流散熱需求的電路設(shè)計(jì);
- 典型應(yīng)用:
五、信息來(lái)源
威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊(cè)(注:以上參數(shù)基于手冊(cè)標(biāo)注整理,實(shí)際應(yīng)用需以最新版手冊(cè)及器件批次測(cè)試數(shù)據(jù)為準(zhǔn)。)
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