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飛虹MOS管FHP20N50B在逆變電源電路設(shè)計中的應(yīng)用

廣州飛虹半導(dǎo)體 ? 來源:廣州飛虹半導(dǎo)體 ? 2025-12-15 17:53 ? 次閱讀
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逆變電源、工業(yè)開關(guān)電源、電焊機(jī)及高壓電機(jī)驅(qū)動等應(yīng)用,對核心功率開關(guān)器件有嚴(yán)苛要求:高耐壓、大電流、低損耗及出色的抗沖擊能力。TO-220封裝的FHP20N50B型號MOS管憑借其出色的散熱性能與參數(shù)特點,成為這類中高功率應(yīng)用的選型推薦。

它不僅具備20A電流、500V耐壓的參數(shù),而且還是純國產(chǎn)自主可控的場效應(yīng)管。能幫助電子工程師對標(biāo)代換CS20N50等型號來使用。

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01FHP20N50B在高壓高效的電路設(shè)計特點

1、高壓大電流,應(yīng)對復(fù)雜工況:高達(dá)500V的漏源擊穿電壓(VDS)與20A的連續(xù)漏極電流(ID),使其能夠從容應(yīng)對AC-DC、DC-AC轉(zhuǎn)換中的高壓母線以及感性負(fù)載帶來的電壓尖峰,確保逆變電源、開關(guān)電源的穩(wěn)定運(yùn)行。

2、優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能,提升整體效率:在VGS=10V條件下,其導(dǎo)通電阻(RDS(on))典型值低至0.23Ω,最大值為0.3Ω,有效降低了導(dǎo)通損耗。

同時,憑借18pF的低反向傳輸電容(Crss)與56nC的低柵極總電荷(Qg),實現(xiàn)了快速的開關(guān)速度(td(on)=33ns, tr=75ns),顯著降低了開關(guān)損耗,特別適用于高頻化的開關(guān)電源設(shè)計。

3、強(qiáng)驅(qū)動兼容性與寬安全工作區(qū):柵源極電壓(VGS)范圍達(dá)±30V,兼容性更強(qiáng),有效防止柵極誤觸發(fā)。產(chǎn)品經(jīng)過100%雪崩測試,具備單脈沖245mJ的雪崩能量(EAS)承受能力,為應(yīng)對電源啟停、負(fù)載突變等異常情況提供了堅實的可靠性保障。

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02FHP20N50B核心參數(shù)的適配與型號代換

該器件為N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOSFET,其關(guān)鍵參數(shù)如下,供電子工程師在設(shè)計中進(jìn)行快速評估與匹配:

VDSS: 500V

ID: 20A (TC=25℃)

IDM: 80A

RDS(on): 0.23Ω(TYP) / 0.3Ω(MAX) @VGS = 10 V, ID=10A

VGS(th): 2.0–4.0V

Qg (總柵極電荷): 56nC

EAS (單脈沖雪崩能量): 245mJ

封裝: TO-220

FHP20N50B是一款針對高壓、高頻應(yīng)用的功率MOSFET,其綜合性能使其能對標(biāo)代換CS20N50等型號;并使用于逆變電源電路、高頻開關(guān)電源、DC-AC逆變器(特別是1000W級別)、電焊機(jī)、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域的理想MOS管。

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作為扎根廣州的國家級大功率MOS管重點封裝基地,飛虹半導(dǎo)體集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體,專注于場效應(yīng)管、MOS管、IGBT單管及三極管等分立器件的制造。

公司擁有超13000平方米的現(xiàn)代化廠房與300多人的專業(yè)團(tuán)隊,產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于音響、家電、LED照明、電腦電源、充電器、逆變器及汽車電子等領(lǐng)域,為國內(nèi)電器廠商提供了穩(wěn)定優(yōu)質(zhì)的國產(chǎn)半導(dǎo)體配套服務(wù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:國產(chǎn)場效應(yīng)管:替換CS20N50型號MOS管助力逆變電源電路設(shè)計!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導(dǎo)體,微信公眾號:廣州飛虹半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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