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飛虹MOS管FHP170N8F3A在高頻開關電源及逆變器設計的應用

廣州飛虹半導體 ? 來源:廣州飛虹半導體 ? 2025-11-12 14:46 ? 次閱讀
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FHP170N8F3A作為一款高性能N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-220封裝,具備優(yōu)異的電氣特性與可靠性,可廣泛適用于各類DC/DC電源、DC-AC逆變器、AC-DC開關電源同步整流、儲能電源系統(tǒng),以及園林工具和BLDC電機驅動等高要求場景。

該MOS管不僅能代換IPP037N08N3G及STP170N8F7等型號使用,而且由于其具體參數(shù)特點優(yōu)異還能提升高頻開關電源及逆變器的整體性能與EMC表現(xiàn)。

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一、FHP170N8F3A在電源與電機驅動設計的特點

1、電壓電流適配廣泛:85V的漏源電壓(VDSS)與185A的連續(xù)漏極電流(ID),使其能夠勝任多數(shù)DC/DC電源、DC-AC逆變器及電機驅動中的功率開關任務。

2、低導通電阻,高效率:RDS(on)典型值僅為2.95mΩ@VGS=10V,最大值為4.0mΩ,有效降低導通損耗,提升電源轉換效率和電機驅動性能。

3、強柵極驅動兼容性:VGS耐受范圍達±20V,適配主流柵極驅動芯片,提升系統(tǒng)設計的靈活性。

4、符合RoHS標準,采用SGT(屏蔽柵 trench)工藝,兼具低FOM(RDS(on) × Qg)與高動態(tài)性能。

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二、FHP170N8F3A核心參數(shù)的匹配適用

該器件為N溝道增強型功率MOSFET,主要參數(shù)如下:

VDSS: 85V

ID: 185A

最大脈沖漏極電流IDM: 480A

RDS(on) = 4.0mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =2.95mΩ(TYP) @VGS = 10 V

VGS(th): 2.0–4.0V

封裝: TO-220

FHP170N8F3A是一款性能全面、封裝適用廣的中低壓MOSFET,特別適用于DC/DC電源、DC-AC逆變器、AC-DC開關電源的同步整流、儲能電源系統(tǒng)等中高功率應用。飛虹半導體作為國內功率器件重要供應商,不僅提供各類型MOS管、IGBT單管、三極管等標準型號,還支持定制化需求,并已實現(xiàn)與多家廠商的穩(wěn)定合作。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標題:國產(chǎn)場效應管:TO-220封裝可用于DC/DC電源、DC-AC逆變器等電路設計!

文章出處:【微信號:廣州飛虹半導體,微信公眾號:廣州飛虹半導體】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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