91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

SMAG1116LX N溝道功率MOSFET | 低導(dǎo)通電阻1.6mΩ

11112225 ? 來源:11112225 ? 作者:11112225 ? 2025-12-17 17:08 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

SMAG1116LX 是一款 N-Channel(N溝道)增強(qiáng)型功率MOSFET(即功率MOS場效應(yīng)晶體管)。是針對(duì)高效能、高密度電源應(yīng)用的另一款核心產(chǎn)品。

wKgZO2lCcqSAOVUuAAFVFQf-4VI114.png

SMAG1116LX 是一款采用先進(jìn)溝槽技術(shù)和優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)的N溝道MOSFET。其主要設(shè)計(jì)目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)超低的導(dǎo)通電阻、卓越的開關(guān)性能和更高的功率效率,特別適用于對(duì)效率和熱管理要求極高的同步整流開關(guān)電路

**關(guān)鍵特性與參數(shù)**


1. **通道類型:** N-Channel

這是最常用的一種MOSFET類型。當(dāng)柵極(G)相對(duì)于源極(S)施加一個(gè)正電壓時(shí),器件導(dǎo)通。它通常用作低端開關(guān)(連接在負(fù)載和地之間),或者在同步整流拓?fù)渲凶鳛橄鹿苁褂谩?/p>

2. **極低的導(dǎo)通電阻**

這是SMAG1116LX最突出的亮點(diǎn)。其導(dǎo)通電阻值極低。
典型數(shù)據(jù):在 Vgs=10V 時(shí),Rds(on) 典型值僅為 1.6mΩ(最大值通常在2.0mΩ左右)。
在 Vgs=4.5V 時(shí),也能保持很低的導(dǎo)通電阻(典型值約2.0mΩ),這使其在由5V或更低電壓驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中也能高效工作。
極低的Rds(on)直接意味著更低的傳導(dǎo)損耗和更高的系統(tǒng)效率。

3. **高連續(xù)漏極電流**

得益于低電阻設(shè)計(jì),它能承受很高的持續(xù)電流,Id 可達(dá) +100A 或更高(具體數(shù)值需參考數(shù)據(jù)手冊(cè),與測試條件如Tc溫度相關(guān))。這表明其具有極強(qiáng)的功率處理能力。

4. **優(yōu)異的開關(guān)特性**

具有低柵極電荷和低導(dǎo)通/關(guān)斷時(shí)間。這使其在高頻開關(guān)電源(如DC-DC轉(zhuǎn)換器)中工作時(shí),開關(guān)損耗很小,有助于提升高頻下的整體效率。

5. **封裝**

通常采用 DFN5x6-8L 或類似的先進(jìn)貼片封裝。

**主要應(yīng)用領(lǐng)域**
SMAG1116LX 憑借其N溝道特性和超低電阻,主要應(yīng)用于需要高效率能量轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域:

1. **同步整流**

這是其最經(jīng)典和最重要的應(yīng)用場景。在現(xiàn)代開關(guān)電源(如AC-DC適配器、服務(wù)器電源、通信電源)的次級(jí)側(cè),用于替代傳統(tǒng)的肖特基整流二極管。
由于其Rds(on)極低,導(dǎo)通壓降遠(yuǎn)低于二極管的正向壓降,可以大幅降低整流過程中的損耗,顯著提升電源效率(尤其是在低輸出電壓、大電流的應(yīng)用中,如5V/20A)。

2. **DC-DC 降壓轉(zhuǎn)換器**

在同步降壓電路中,SMAG1116LX 常被用作下管(同步整流管),與一個(gè)上管(控制管)配合工作。其低導(dǎo)通電阻和良好的開關(guān)性能是保證整個(gè)轉(zhuǎn)換器高效率、高功率密度的關(guān)鍵。

3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)與調(diào)速**

在電動(dòng)工具、無人機(jī)、機(jī)器人等的大電流H橋或三相逆變器驅(qū)動(dòng)電路中,作為核心的功率開關(guān)元件。其高電流能力和低損耗有助于延長電池續(xù)航并減少發(fā)熱。

4. **電池保護(hù)與負(fù)載開關(guān)**

電池管理系統(tǒng)或大電流放電通路中,用作開關(guān)管。雖然P-MOSFET更常用于高端開關(guān),但在低端配置或特定電路中,N-MOSFET也是一個(gè)選擇。

5. **各類電源管理系統(tǒng)**

適用于對(duì)效率有極致要求的通信設(shè)備、計(jì)算設(shè)備、工業(yè)設(shè)備的電源部分。

**總結(jié)**

SMAG1116LX 是一款定位高端的N溝道功率MOSFET,其標(biāo)志性的“極低導(dǎo)通電阻”是其核心競爭力。它主要服務(wù)于對(duì)效率和功率密度有極致追求的電源設(shè)計(jì),尤其是在同步整流這一關(guān)鍵應(yīng)用中表現(xiàn)出色。結(jié)合其出色的電流能力和現(xiàn)代化的封裝,它是工程師在設(shè)計(jì)高效能、高可靠性電源產(chǎn)品時(shí)的一個(gè)強(qiáng)有力的國產(chǎn)化選擇。

審核編輯 黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • N溝道
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    506

    瀏覽量

    19909
  • 功率MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    397

    瀏覽量

    23084
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    MOSFET導(dǎo)通電阻Rds

    (1)Rds(on)和導(dǎo)通損耗直接相關(guān),RDSON越小,功率MOSFET導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越。 (2)Rds(on)時(shí)正
    發(fā)表于 12-23 06:15

    關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場應(yīng)用與挑戰(zhàn)

    在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)(BMS)設(shè)計(jì)中,MOSFET作為開關(guān)元件,扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生,因此
    的頭像 發(fā)表于 12-16 11:01 ?337次閱讀
    關(guān)于0.42<b class='flag-5'>m</b>Ω超低<b class='flag-5'>導(dǎo)</b><b class='flag-5'>通電阻</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>的市場應(yīng)用與挑戰(zhàn)

    VS3615GE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-03 09:53 ?354次閱讀
    VS3615GE <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VS4610AE N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS4610AE是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借導(dǎo)
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:32 ?436次閱讀
    選型手冊(cè):VS4610AE <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VSP015N15HS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VSP015N15HS-G是一款面向150V中高壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-02 09:29 ?387次閱讀
    選型手冊(cè):VSP015<b class='flag-5'>N</b>15HS-G <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VSE002N03MS-G N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低壓超大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)極
    的頭像 發(fā)表于 12-01 15:32 ?638次閱讀
    選型手冊(cè):VSE002<b class='flag-5'>N</b>03MS-G <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VS4620GP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GP是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-01 15:07 ?327次閱讀
    選型手冊(cè):VS4620GP <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VS3620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS3620GEMC是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于FastMOSII技術(shù)實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 12-01 11:02 ?361次閱讀
    選型手冊(cè):VS3620GEMC <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VS4620GEMC N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS4620GEMC是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,基于VeriMOS?II技術(shù)實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 11-28 12:03 ?373次閱讀
    選型手冊(cè):VS4620GEMC <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):VS3618AP N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

    威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AP是一款面向30V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,支持5V邏輯電平控制,憑借
    的頭像 發(fā)表于 11-27 16:52 ?513次閱讀
    選型手冊(cè):VS3618AP <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b>增強(qiáng)型<b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):MOT1165G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT1165G是一款面向100V中壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借
    的頭像 發(fā)表于 11-24 14:27 ?460次閱讀
    選型手冊(cè):MOT1165G <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):MOT6522J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、
    的頭像 發(fā)表于 11-21 10:57 ?259次閱讀
    選型手冊(cè):MOT6522J <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借
    的頭像 發(fā)表于 11-20 16:22 ?422次閱讀
    選型手冊(cè):MOT50<b class='flag-5'>N</b>03C <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    選型手冊(cè):MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

    仁懋電子(MOT)推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、
    的頭像 發(fā)表于 11-19 15:25 ?382次閱讀
    選型手冊(cè):MOT4523D <b class='flag-5'>N</b> <b class='flag-5'>溝道</b><b class='flag-5'>功率</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b> 晶體管

    2N7002KDW SOT363:小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET,助力精密電路設(shè)計(jì)

    2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET,集成了ESD保護(hù)功能,兼具導(dǎo)
    發(fā)表于 04-27 16:59