91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

格芯擱置7納米FinFET項(xiàng)目!是技術(shù)的羈絆,還是成本的考量?

0BFC_eet_china ? 來源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-08-31 16:18 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天發(fā)布新聞稿,宣布其轉(zhuǎn)型的重要一步。繼今年初湯姆·嘉菲爾德(Tom Caulfield)接任首席執(zhí)行官后,格芯正在重塑其技術(shù)組合,依照嘉菲爾德所闡述的戰(zhàn)略方向,重點(diǎn)關(guān)注為高增長市場中的客戶提供真正的差異化產(chǎn)品。

擱置7納米 FinFET項(xiàng)目

文中稱,格芯正在重新部署具備領(lǐng)先優(yōu)勢的FinFET發(fā)展路線圖,以服務(wù)未來幾年采用該技術(shù)的下一波客戶。公司將相應(yīng)優(yōu)化開發(fā)資源,讓14/12納米 FinFET平臺更為這些客戶所用,提供包括射頻、嵌入式存儲器和低功耗等一系列創(chuàng)新IP及功能。

為支持此次戰(zhàn)略調(diào)整,格芯將擱置7納米 FinFET項(xiàng)目,并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。在裁減相關(guān)人員的同時(shí),一大部分頂尖技術(shù)人員將被部署到14/12納米FinFET衍生產(chǎn)品和其他差異化產(chǎn)品的工作上。

熟悉格芯產(chǎn)品路線的人應(yīng)該知道,在2017年6月中旬,格芯宣布他們的7納米FinFET技術(shù)測試良率已經(jīng)達(dá)到65%,將于2018年上半年推出第一批客戶產(chǎn)品,并將于2018年下半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

格芯官方網(wǎng)站的新聞稿截圖

“客戶對半導(dǎo)體的需求從未如此高漲,并要求我們在實(shí)現(xiàn)未來技術(shù)創(chuàng)新方面發(fā)揮越來越大的作用”。對于這個(gè)決定,格芯的信任CEO嘉菲爾德表示,“今天,絕大多數(shù)無晶圓廠客戶都希望從每一代技術(shù)中獲得更多價(jià)值,以充分利用設(shè)計(jì)每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)所需的大量投資。從本質(zhì)上講,這些節(jié)點(diǎn)正在向?yàn)槎鄠€(gè)應(yīng)用領(lǐng)域提供服務(wù)的設(shè)計(jì)平臺過渡,從而為每個(gè)節(jié)點(diǎn)提供更長的使用壽命。這一行業(yè)動態(tài)導(dǎo)致設(shè)計(jì)范圍到達(dá)摩爾定律外部界限的無晶圓廠客戶越來越少。我們正重組我們的資源來轉(zhuǎn)變業(yè)務(wù)重心,加倍投資整個(gè)產(chǎn)品組合中的差異化技術(shù),有針對性的服務(wù)不斷增長的細(xì)分市場中的客戶?!?/p>

嘉菲爾德在今年接受《EETimes》采訪時(shí)表示,目前格芯最需要的就是新發(fā)展機(jī)會。雖然格芯是全世界市占率僅次臺積電的半導(dǎo)體代工廠商,但整體來說營運(yùn)卻談不上多成功,技術(shù)上相較臺積電、三星落后許多,放棄了自家研發(fā)的 14 納米 XM 技 術(shù),改用三星 14 納米工藝全套授權(quán),才較穩(wěn)定提供 AMD 及其他客戶 14 納米工藝產(chǎn)能,整體獲利情況不佳,也是格芯當(dāng)前亟需改變的地方。

是技術(shù)的羈絆,還是成本的考量?

2016年9月,格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中的技術(shù)積淀,來研發(fā)自己7納米FinFET技術(shù)的計(jì)劃,該技術(shù)于2016年初2月8日在Fab 8晶圓廠中開始生產(chǎn)。當(dāng)時(shí)格芯表示,還將持續(xù)投資下一代技術(shù)節(jié)點(diǎn)的研究與開發(fā)。

通過與合作伙伴IBM和三星的密切合作,2015年格芯便宣布推出7納米測試芯片。據(jù)官方報(bào)道,為了加快7LP的量產(chǎn)進(jìn)程,格芯還在2017年下半年首次購進(jìn)兩個(gè)超紫外光(EUV)光刻工具,此后,格芯還于去年中宣布推出業(yè)內(nèi)首款基于硅納米片晶體管的5納米樣片。

但格芯CTO兼全球研發(fā)高級副總裁Gary Patton 曾透露,在EUV 技術(shù)上,格芯的7 納米工藝確實(shí)面臨很多挑戰(zhàn),包括如何進(jìn)一步提升良率、光罩防塵膜瑕疵等問題,必須努力克服才能投入大規(guī)模量產(chǎn),目標(biāo)是將良率提高到95%。如今項(xiàng)目的擱置或許也有技術(shù)方面的原因。

格芯并不是首家放棄追求7納米工藝的晶圓代工廠商,***財(cái)經(jīng)媒體《財(cái)訊》今年早些時(shí)候在采訪聯(lián)華電子(UMC)總經(jīng)理王石時(shí),得知他們將“不再投資 12 納米以下的先進(jìn)工藝”,原因是一直在追趕最先進(jìn)的工藝,會導(dǎo)致投資成本越來越高,而且還只能跟在臺積電后面。

后續(xù)重點(diǎn)關(guān)注ASIC和FDX業(yè)務(wù)

此外,為了更好地施展格芯在ASIC設(shè)計(jì)和IP方面的強(qiáng)大背景和重大投資,公司正在建立獨(dú)立于晶圓代工業(yè)務(wù)外的ASIC業(yè)務(wù)全資子公司。相關(guān)的ASIC業(yè)務(wù)需要持續(xù)使用最先進(jìn)的技術(shù)。該獨(dú)立ASIC實(shí)體將為客戶提供7納米及以下的晶圓代工替代選項(xiàng),讓ASIC業(yè)務(wù)部與更廣泛的客戶展開合作,特別是日益增多的系統(tǒng)公司,他們需要ASIC服務(wù)同時(shí)生產(chǎn)規(guī)模需求無法僅由格芯提供。

其實(shí)相較于FinFET,格芯一直以來都是FD-SOI的堅(jiān)定支持者,不單因?yàn)镕D-SOI的光罩成本較FinFET工藝低30%,而且還具有低功耗和支持RF的優(yōu)點(diǎn)。所以不排除格芯擱置7納米FinFET,是為了把更多精力放在FD-SOI上。

格芯也在新聞稿中稱,正在加強(qiáng)投資具有明顯差異化、為客戶增加真正價(jià)值的領(lǐng)域,著重投資能在其產(chǎn)品組合中提供豐富功能的產(chǎn)品。包括繼續(xù)側(cè)重于FDX?平臺、射頻產(chǎn)品(包括RF SOI和高性能鍺硅)和模擬/混合信號,以及滿足越來越多低功耗、實(shí)時(shí)連接、車載設(shè)計(jì)需求的其他技術(shù)。

“減輕前沿技術(shù)領(lǐng)域的投資負(fù)擔(dān)將使格芯能夠?qū)?a href="http://www.makelele.cn/soft/data/55-88/" target="_blank">物聯(lián)網(wǎng)、IoT、5G行業(yè)和汽車等快速增長市場中對大多數(shù)芯片設(shè)計(jì)員真正重要的技術(shù)進(jìn)行更有針對性的投資,” Gartner研發(fā)副總裁Samuel Wang,先生表示,“雖然最先進(jìn)技術(shù)往往會占據(jù)大多數(shù)的熱搜頭條位置,但鮮少有客戶能夠承擔(dān)為實(shí)現(xiàn)7納米及更高精度所需的成本和代價(jià)。14納米及以上技術(shù)將在未來許多年繼續(xù)成為芯片代工業(yè)務(wù)的重要需求及驅(qū)動因素。這些領(lǐng)域?qū)⒂袠O大的創(chuàng)新空間,可以助力下一輪科技發(fā)展狂潮?!?/p>

后記

目前,7納米工藝領(lǐng)域的晶圓代工玩家只剩下臺積電、三星和還在10納米量產(chǎn)時(shí)間點(diǎn)上掙扎英特爾,不過英特爾一直強(qiáng)調(diào),他們對于工藝節(jié)點(diǎn)的定位更加嚴(yán)格,其10納米工藝甚至比臺積電和三星自稱的7納米要好。

而對于他們的客戶——無晶圓廠芯片設(shè)計(jì)公司來說,能負(fù)擔(dān)得起7納米工藝代工費(fèi)的也不算多,除了手機(jī)SoC廠商高通、海思、蘋果、聯(lián)發(fā)科以外,還有老牌半導(dǎo)體巨額英特爾、英偉達(dá)、三星、AMD等等。但是在用7納米做這些芯片之前,代工廠們會選擇一些又土豪、產(chǎn)品又好做的廠商來驗(yàn)證他們的7納米工藝,比如以前的FPGA,和今年的礦機(jī)ASIC。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 納米
    +關(guān)注

    關(guān)注

    2

    文章

    730

    瀏覽量

    42412
  • FinFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    12

    文章

    260

    瀏覽量

    92256

原文標(biāo)題:重磅!格芯宣布擱置7納米FinFET項(xiàng)目

文章出處:【微信號:eet-china,微信公眾號:電子工程專輯】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    重磅研究:7nm FinFET 性能優(yōu)化的隱藏密碼 —— 柵極與鰭片間距調(diào)控

    Gate和FinSpaceVariation對應(yīng)力調(diào)制及FinFET性能的影響隨著半導(dǎo)體工藝持續(xù)向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn),圖形化工藝偏差引發(fā)的細(xì)微效應(yīng)已成為器件性能優(yōu)化的核心考量要素。普迪飛
    的頭像 發(fā)表于 02-05 16:22 ?1029次閱讀
    重磅研究:<b class='flag-5'>7</b>nm <b class='flag-5'>FinFET</b> 性能優(yōu)化的隱藏密碼 —— 柵極與鰭片間距調(diào)控

    盾時(shí)代助力中科院蘇州納米所建立零信任安全架構(gòu)

    盾時(shí)代中標(biāo)中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)納米仿生研究所(簡稱:中科院蘇州納米所)!盾時(shí)代基于零信任安全理念,構(gòu)建以“身份”為核心的安全邊界,通
    的頭像 發(fā)表于 01-28 09:09 ?640次閱讀

    技術(shù)報(bào)告 | Gate 和 Fin Space Variation 對應(yīng)力調(diào)制及 FinFET 性能的影響

    技術(shù)報(bào)告·文末下載報(bào)告名稱《Gate和FinSpaceVariation對應(yīng)力調(diào)制及FinFET性能的影響》關(guān)鍵詞FinFET;7nm技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 01-22 15:03 ?471次閱讀
    <b class='flag-5'>技術(shù)</b>報(bào)告 |  Gate 和 Fin Space Variation 對應(yīng)力調(diào)制及 <b class='flag-5'>FinFET</b> 性能的影響

    技術(shù)選型思考:超聲切割核心部件的總成本考量

    企業(yè)在選擇核心部件時(shí),通常會先關(guān)注采購單價(jià)。但對于需要集成到最終產(chǎn)品中的部件,其總擁有成本(TCO)才是更全面的評估維度。對于超聲波切割刀換能器這類精密組件,一些隱性成本容易被忽略,卻會顯著影響項(xiàng)目
    的頭像 發(fā)表于 12-29 18:02 ?234次閱讀
    <b class='flag-5'>技術(shù)</b>選型思考:超聲切割核心部件的總<b class='flag-5'>成本</b><b class='flag-5'>考量</b>

    國產(chǎn)芯片真的 “穩(wěn)” 了?這家企業(yè)的 14nm 制程,已經(jīng)悄悄滲透到這些行業(yè)…

    最近扒了扒國產(chǎn)芯片的進(jìn)展,發(fā)現(xiàn)中國際(官網(wǎng)鏈接:https://www.smics.com)的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)” 了 —— 從消費(fèi)電子的中端處理器,到汽車電子
    發(fā)表于 11-25 21:03

    電線是多的好還是的好

    的墻內(nèi)布線、固定設(shè)備接線(如空調(diào)、熱水器),需長期穩(wěn)定且不易彎曲。 大電流傳輸:同截面積下,單電線載流量更高,適合工業(yè)電機(jī)、大型設(shè)備等高功率場景。 長距離傳輸:減少導(dǎo)體間接觸電阻,降低能量損耗。 成本敏感項(xiàng)目:在預(yù)算有
    的頭像 發(fā)表于 09-16 10:20 ?2755次閱讀
    電線是多<b class='flag-5'>芯</b>的好<b class='flag-5'>還是</b>單<b class='flag-5'>芯</b>的好

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)

    工藝中性能與成本的平衡,并縮短較大規(guī)模芯片的設(shè)計(jì)時(shí)間,同時(shí)降低風(fēng)險(xiǎn)。 產(chǎn)業(yè)界將粒做成IP的例子: ①存儲器②光互連③片上網(wǎng)絡(luò)④FPGA⑤RISC-V 5)粒研發(fā)前沿 粒之間通訊的
    發(fā)表于 09-15 14:50

    原榮獲2025年度設(shè)計(jì)服務(wù)合作伙伴獎

    近日,在2025年 (GlobalFoundries) 北美技術(shù)峰會上,原獲頒“年度設(shè)計(jì)服務(wù)合作伙伴”獎。這一榮譽(yù)充分肯定了原在芯片
    的頭像 發(fā)表于 09-09 15:40 ?836次閱讀

    國際 7 納米工藝突破:代工龍頭的技術(shù)躍遷與拓能半導(dǎo)體的封裝革命

    流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠,正以每月 3 萬片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證,標(biāo)志著中國大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中國際的
    的頭像 發(fā)表于 08-04 15:22 ?1.2w次閱讀

    羅方德推出GlobalShuttle多項(xiàng)目晶圓服務(wù)

    羅方德(GlobalFoundries)推出GlobalShuttle多項(xiàng)目晶圓(multi-project wafer, MPW),計(jì)劃通過將多個(gè)芯片設(shè)計(jì)項(xiàng)目集成于同一片晶圓上,助力客戶將差異化芯片設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際產(chǎn)品,同時(shí)無
    的頭像 發(fā)表于 07-26 15:27 ?1198次閱讀

    體硅FinFET和SOI FinFET的差異

    三維立體結(jié)構(gòu)成為行業(yè)主流。然而在FinFET陣營內(nèi)部,一場關(guān)于“地基材料”的技術(shù)路線競爭悄然展開——這便是Bulk Silicon(體硅) 與SOI(絕緣體上硅) 兩大技術(shù)的對決。這場對決不僅關(guān)乎性能極限的突破,更牽動著芯片
    的頭像 發(fā)表于 06-25 16:49 ?2227次閱讀
    體硅<b class='flag-5'>FinFET</b>和SOI <b class='flag-5'>FinFET</b>的差異

    超聲波指紋模組靈敏度飛升!低溫納米燒結(jié)銀漿立大功

    超聲波指紋模組靈敏度飛升!低溫納米燒結(jié)銀漿立大功 在科技飛速發(fā)展的今天,指紋識別技術(shù)已經(jīng)成為我們生活中不可或缺的一部分,宛如一位忠誠的安全小衛(wèi)士,時(shí)刻守護(hù)著我們的信息與財(cái)產(chǎn)安全。當(dāng)你早上睡眼惺忪
    發(fā)表于 05-22 10:26

    FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

    本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)FinFET轉(zhuǎn)向GAA(Gate-All-Around)時(shí)工藝面臨的影響。
    的頭像 發(fā)表于 05-21 10:51 ?3902次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b>與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

    FinFET技術(shù)在晶圓制造中的優(yōu)勢

    本文通過介紹傳統(tǒng)平面晶體管的局限性,從而引入FinFET技術(shù)的原理、工藝和優(yōu)勢。
    的頭像 發(fā)表于 04-14 17:23 ?1631次閱讀
    <b class='flag-5'>FinFET</b><b class='flag-5'>技術(shù)</b>在晶圓制造中的優(yōu)勢

    電子榮獲思新能源“聯(lián)合創(chuàng)新獎”

    近日,上海瞻電子科技股份有限公司憑借與思新能源在光儲充領(lǐng)域的深度合作,以及在碳化硅(SiC)功率器件領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新,在思2025全球供應(yīng)商大會上榮獲 “聯(lián)合創(chuàng)新獎”。這一獎項(xiàng)不僅
    的頭像 發(fā)表于 03-21 17:05 ?1026次閱讀