隨著5G通信技術(shù)向高頻高速演進(jìn)，智能手機(jī)射頻天線系統(tǒng)的發(fā)熱問(wèn)題日益凸顯，成為影響信號(hào)穩(wěn)定性和用戶體驗(yàn)的關(guān)鍵瓶頸。手機(jī)射頻天線，特別是5G毫米波天線模塊，在高速數(shù)據(jù)傳輸過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生顯著熱量。傳統(tǒng)金屬屏蔽罩或石墨烯散熱方案存在電磁干擾、厚度限制或?qū)岱较騿我坏葐?wèn)題。氮化硼散熱膜，憑借其獨(dú)特的材料特性，精準(zhǔn)地解決了這些挑戰(zhàn)問(wèn)題。

氮化硼是優(yōu)秀的絕緣體，將其應(yīng)用于天線附近時(shí)，不會(huì)干擾電磁場(chǎng)的分布，從而完全避免了對(duì)天線性能的負(fù)面影響，這是金屬材料無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。

享有“白色石墨烯”美譽(yù)的氮化硼

具備極高的面內(nèi)導(dǎo)熱系數(shù)

通過(guò)先進(jìn)的制備工藝，氮化硼散熱膜能夠快速將天線產(chǎn)生的熱點(diǎn)擴(kuò)散至整個(gè)平面，實(shí)現(xiàn)熱量的均勻分布，并通過(guò)與其他散熱部件（如VC均熱板）配合，將熱量高效導(dǎo)出，顯著降低天線核心區(qū)域的工作溫度。

氮化硼散熱膜的應(yīng)用

氮化硼散熱膜具有良好的機(jī)械強(qiáng)度和柔性

這使得超薄型的氮化硼散熱膜能夠完美貼合天線模組的復(fù)雜結(jié)構(gòu)，適應(yīng)手機(jī)內(nèi)部緊湊的設(shè)計(jì)空間，為寸土寸金的手機(jī)內(nèi)部布局提供了極大的靈活性。實(shí)際測(cè)試表明，應(yīng)用了氮化硼散熱膜的5G手機(jī)，在長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)荷通信場(chǎng)景（如高速下載、在線直播、大型手游）下，天線區(qū)域的溫度得到有效控制。這不僅保障了信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和強(qiáng)度，減少了因過(guò)熱導(dǎo)致的性能降級(jí)，也提升了設(shè)備的長(zhǎng)期可靠性與使用壽命。

使用氮化硼散熱膜前后對(duì)比效果圖

無(wú)線技術(shù)已成為現(xiàn)代生活的隱形支柱，它將設(shè)備和系統(tǒng)連接起來(lái)，創(chuàng)造出更智能的家庭、更健康的生活方式和更高效的工業(yè)。隨著對(duì)可靠、低功耗和安全連接的需求成倍增長(zhǎng)，創(chuàng)新解決方案正在推動(dòng)這場(chǎng)無(wú)線革命，使物聯(lián)網(wǎng)（IoT）能夠改變?nèi)粘ｓw驗(yàn)和業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)。無(wú)線技術(shù)正在重塑我們的生活、工作以及與周?chē)澜缁?dòng)的方式。對(duì)可靠、低功耗和安全連接的需求比以往任何時(shí)候都要高。

5G毫米波通訊技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)：兼顧散熱和信號(hào)傳輸

毫米波通信是未來(lái)無(wú)線移動(dòng)通信重要發(fā)展方向之一，目前已經(jīng)在大規(guī)模天線技術(shù)、低比特量化ADC、低復(fù)雜度信道估計(jì)技術(shù)、功放非線性失真等關(guān)鍵技術(shù)上有了明顯研究進(jìn)展。隨著新一代無(wú)線通信對(duì)無(wú)線寬帶通信網(wǎng)絡(luò)提出新的長(zhǎng)距離、高移動(dòng)、更大傳輸速率的軍用、民用特殊應(yīng)用場(chǎng)景的需求，針對(duì)毫米波無(wú)線通信的理論研究與系統(tǒng)設(shè)計(jì)面臨重大挑戰(zhàn)，開(kāi)展面向長(zhǎng)距離、高移動(dòng)毫米波無(wú)線寬帶系統(tǒng)的基礎(chǔ)理論和關(guān)鍵技術(shù)研究，已經(jīng)成為新一代寬帶移動(dòng)通信最具潛力的研究方向之一。5G網(wǎng)絡(luò)比4G網(wǎng)絡(luò)的傳輸速度快10倍以上，具有傳輸速度快、穩(wěn)定、高頻傳輸技術(shù)等優(yōu)勢(shì)。

通訊電子產(chǎn)品輕薄化面臨的挑戰(zhàn)：芯片高性能和散熱問(wèn)題

科技的不斷發(fā)展，人們對(duì)計(jì)算機(jī)和移動(dòng)設(shè)備的需求也在不斷增加，現(xiàn)在的芯片的設(shè)計(jì)都是追求高性能的，人們需要在更快的速度下完成更復(fù)雜的任務(wù)，這就需要芯片能夠提供更多的運(yùn)行能力。而這種高性能的設(shè)計(jì)卻是要以付出更高的代價(jià)，例如消耗更多的電力，引起更多的熱量的產(chǎn)生。芯片的小型化和高度集成化，會(huì)導(dǎo)致局部熱流密度大幅上升。算力的提升、速度的提高帶來(lái)巨大的功耗和發(fā)熱量，制約高算力芯片發(fā)展的主要因素之一就是散熱能力。

高性能必須伴隨著高功率，因?yàn)槟軌蛱峁└咝阅艿男酒仨氂凶銐虻哪茉慈ヲ?qū)動(dòng)它們，并支持它們?cè)诟咚龠\(yùn)轉(zhuǎn)期間產(chǎn)生的高溫。這樣的高功率和高溫度不斷累積，讓芯片產(chǎn)生更多的熱量。新的應(yīng)用程序?qū)映霾桓F，也是導(dǎo)致芯片越來(lái)越熱的原因之一。

二維氮化硼低介電散熱材料

解決通訊電子領(lǐng)域產(chǎn)品散熱難題

1

散熱難題：二維化工藝制程技術(shù)，通過(guò)定向取向讓X-Y水平方向最高可達(dá)導(dǎo)熱系數(shù)100W/mK(ASTM E1461)。

2

絕緣難題：膜材電擊穿強(qiáng)度大于 40kV(ASTM D149)。

3

透波難題：1MHz~28MHz: 介電常數(shù)小于 4.50 ，介電損耗小于 0.005 （ASTM D150)。

4

柔性輕薄化：厚度范圍 30~200um,可折彎柔韌性，超薄空間要求。

5

穩(wěn)定批量化生產(chǎn)：2021年3月佛山設(shè)立工廠，開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)化階段；2024年8月東莞大朗新工廠產(chǎn)能大幅度提升。

6

自主創(chuàng)新全球領(lǐng)先技術(shù)工藝材料：卷材出貨，原膜或單面背膠。