動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2026-03-12 10:01

  鍵合率達95%！三菱電機推進 GaN-on-Diamond 新技術(shù)

  

  憑借其3.0MV/cm的高擊穿電場及2.9×10?cm/s的高電子飽和漂移速度，已成為高功率、高頻電子器件領(lǐng)域的核心材料?；贕aN的高電子遷移率晶體管（HEMT）目前已廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、移動通信、射頻功率放大器等關(guān)鍵領(lǐng)域，為高端電子設(shè)備的性能提升提供了重要支撐。然而，高功率運行場景下，GaNHEMT器件內(nèi)部會產(chǎn)生顯著的自熱效應(yīng)，過高的工作溫度

  GaN 三菱電機 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2026-03-11 08:31

  AI筆記本電腦顯示屏導(dǎo)熱散熱材料應(yīng)用方案 | 晟鵬技術(shù)

  

  筆電作為“移動算力中心”，散熱邏輯與手機同源但規(guī)模更大、熱源更集中。以下是適配AI筆電（輕薄本/旗艦本）的屏幕端散熱全案，可直接作為供應(yīng)鏈技術(shù)溝通或產(chǎn)品規(guī)劃的參考基底。一、核心痛點與設(shè)計基準（旗艦級）維度痛點解析設(shè)計基準（目標值）熱源密度APU/CPU、高刷Mini-LED/OLED、充電IC屏體最高溫≤55℃，表面溫差≤3℃空間約束機身超薄（15-18mm

  AI 材料 筆記本電腦

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• 發(fā)布了文章 2026-03-11 08:04

  AI手機顯示屏導(dǎo)熱散熱材料應(yīng)用方案 | 晟鵬技術(shù)

  

  AI手機顯示屏散熱核心矛盾：高亮度/高刷屏自熱+AI算力傳導(dǎo)熱，需屏體減熱+界面導(dǎo)熱+全域均熱三層材料方案，兼顧輕薄、柔性、低色差。一、痛點與指標（旗艦基準）-熱源：LTPO/OLED發(fā)光層、驅(qū)動IC、屏下指紋/攝像頭、主板傳導(dǎo)熱-目標：屏面ΔT≤3℃、熱點≤42℃、總熱阻≤0.06℃/W、厚度≤0.3mm-約束：柔性可折、不偏色、不反光、絕緣兼容二、分層材

  AI 散熱材料

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• 發(fā)布了文章 2026-03-11 07:02

  一文讀懂SiC功率模塊datasheet所有細節(jié)：特征參數(shù)、特性曲線與工程應(yīng)用全解析

  

  -關(guān)于SIC關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v2.0版本，全文21000字-文字原創(chuàng)，素材來源：Danfoss,infineon,NXP,ROHM,網(wǎng)絡(luò)-非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載，或進行散播，或用于任何形式商業(yè)行為-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，詳細分布見目錄頁導(dǎo)語：在新能源汽車、eVTOL電機驅(qū)動、高端電源系統(tǒng)等高功率、高效率應(yīng)用領(lǐng)域，SiC功率半導(dǎo)體正憑借其卓越的性能

  SiC 功率半導(dǎo)體 功率模塊

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• 發(fā)布了文章 2026-03-10 11:21

  電磁屏蔽安全是智能電動汽車時代的“空氣和水”

  

  當汽車撞上無形的“電磁風(fēng)暴”2023年，某新能源車主在高速上遭遇驚魂一刻：儀表盤突然黑屏、動力瞬間中斷，事后排查發(fā)現(xiàn)，元兇是高壓系統(tǒng)帶來的電磁干擾。當前這一安全隱患并未消失，反而愈發(fā)突出。去年多地車主接連在高速行駛時出現(xiàn)車輛黑屏、動力中斷、門鎖失效等險情，故障根源同樣指向高壓系統(tǒng)電磁干擾、電控模塊受擾失效、BMS通信中斷等問題。從偶發(fā)個案，演變?yōu)槎嗥放祁l發(fā)的

  新能源車 電動汽車 電磁 電磁屏蔽

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• 發(fā)布了文章 2026-03-10 08:02

  電驅(qū)動系統(tǒng)的需求定義和分解方法指南 v3.0

  

  -關(guān)于《電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)參數(shù)化匹配設(shè)計指南》系列文章v3.0-回答諸多星友關(guān)于動力性參數(shù)匹配的問題-原創(chuàng)作者Mr.H，非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載或用于商業(yè)用途-本篇為知識星球節(jié)選，完整版報告與解讀在知識星球發(fā)布導(dǎo)語：過去一段時間，知識星球里，關(guān)于電機×電控×減速器參數(shù)化匹配的提問成了高頻話題：如何把整車SOR落到EDU指標？動力/能耗/NVH/EMC/安全之間怎么權(quán)衡？

  電動汽車 電驅(qū)動 驅(qū)動系統(tǒng)

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• 發(fā)布了文章 2026-03-09 06:31

  智能手機氮化硼導(dǎo)熱散熱材料方案 | 晟鵬技術(shù)

  

  在智能手機散熱里，氮化硼（尤其是六方氮化硼h?BN）最核心的優(yōu)勢就一句話：它是少數(shù)能同時做到「高導(dǎo)熱+電絕緣+不擋5G信號」的材料，石墨、銅、硅膠片都做不到。氮化硼在手機散熱里的核心優(yōu)勢1.導(dǎo)熱快，還不導(dǎo)電——不會短路、不干擾電路氮化硼是絕緣體，擊穿電壓極高可以直接貼在芯片、PCB、射頻PA、電池上石墨、銅片都是導(dǎo)體，靠近電路必須加絕緣層，熱阻變大、散熱變差

  散熱材料 智能手機 氮化硼

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• 發(fā)布了文章 2026-03-08 10:49

  博世PM6功率模塊方案深度解析：拓撲結(jié)構(gòu)、三維布局、互連方式、高熱導(dǎo)與可靠性設(shè)計

  

  以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于BoschPM6功率模塊平臺化方案深度解析-「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球節(jié)選，非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-文字原創(chuàng)，素材來源：Bosch、網(wǎng)絡(luò)-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語：在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，博世的PM6功率模塊為業(yè)內(nèi)經(jīng)典，也是諸多新型半導(dǎo)體廠商研發(fā)時的核心對標產(chǎn)品。就在這個月，

  功率半導(dǎo)體 功率模塊 博世

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• 發(fā)布了文章 2026-03-07 11:50

  全球十大主流車規(guī)級功率封裝全景解析：HPD, DCM, TPAK, ZPAK, eMPack, PM6, 埋嵌, 混碳, 分立

  

  以下完整內(nèi)容發(fā)表在「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球-關(guān)于全球十大車規(guī)級功率模塊封裝·全景解析，共19500字-文字原創(chuàng)，素材來源：各器件廠商信息，第二次更新-「SysPro電力電子技術(shù)」知識星球節(jié)選，非授權(quán)不得轉(zhuǎn)載-本篇為節(jié)選，完整內(nèi)容會在知識星球發(fā)布，歡迎學(xué)習(xí)、交流導(dǎo)語：在新能源汽車和智能電動化的時代背景下，功率半導(dǎo)體作為"能源轉(zhuǎn)換與能量驅(qū)動的心臟”，

  DCM 功率半導(dǎo)體 大功率封裝

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• 發(fā)布了文章 2026-03-07 11:40

  氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

  

  摘要隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料SiC碳化硅因其優(yōu)異的物理和電學(xué)性能，在IGBT單管等高性能器件中得到了廣泛應(yīng)用。絕緣方案作為影響SiC碳化硅IGBT單管性能與可靠性的關(guān)鍵因素，其優(yōu)化設(shè)計具有重要意義。本文旨在深入對比氮化硼墊片在SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣方案中的應(yīng)用，通過分析兩種方案的結(jié)構(gòu)設(shè)計、性能特點及成本差異，為器件絕緣設(shè)計提供科

  IGBT SiC 功率器件 碳化硅

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