威兆半導(dǎo)體推出的VSD011N10MS-G是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 TO-252 封裝，適配中壓中功率電源管理、負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí) 10.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時(shí) 13.5mΩ，中壓場景下傳導(dǎo)損耗可控；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時(shí) 58A、\(T=100^\circ\text{C}\)時(shí) 44A，承載能力較強(qiáng)；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：222A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應(yīng)對(duì)瞬時(shí)超大電流沖擊。

二、核心特性

• VeriMOS? II 技術(shù)：兼顧快速開關(guān)與高能量轉(zhuǎn)換效率，適配高頻中壓場景；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達(dá) 25mJ，抗沖擊能力強(qiáng)；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，適配綠色電子制造。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應(yīng)用場景

• 封裝形式：TO-252 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 2500pcs / 卷，適配中功率密度電路設(shè)計(jì)；
• 典型應(yīng)用：
  • 100V 級(jí)中壓中功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 工業(yè)設(shè)備、儲(chǔ)能系統(tǒng)的中壓負(fù)載開關(guān)；
  • 中壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導(dǎo)體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標(biāo)注整理，實(shí)際以最新版手冊為準(zhǔn)。）