威兆半導體推出的VSE090N10MS是一款面向 100V 中壓場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 PDFN3x3 封裝，適配中壓小型電源管理、負載開關等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：100V，適配中壓供電場景；
  • 導通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時典型值 7.0mΩ、\(V_{GS}=4.5V\)時 8.3mΩ，中壓場景下傳導損耗低；
  • 連續(xù)漏極電流（\(I_D\)，\(V_{GS}=10V\)）：\(T=25^\circ\text{C}\)時 14A、\(T=100^\circ\text{C}\)時 9A，滿足中壓小型負載的電流需求；
  • 脈沖漏極電流（\(I_{DM}\)）：56A（\(T=25^\circ\text{C}\)），可應對瞬時中電流沖擊。

二、核心特性

• 5V 邏輯電平控制：適配 5V 邏輯驅動，無需額外電平轉換，簡化中壓電路設計；
• 快速開關 + 高效率：開關特性優(yōu)異，搭配低導通電阻，提升中壓電源能效；
• 環(huán)保合規(guī)：滿足無鹵及 RoHS 標準，適配綠色電子制造。

三、關鍵電氣參數(shù)（\(T=25^\circ\text{C}\)，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：PDFN3x3 表面貼裝封裝，包裝規(guī)格為 4000pcs / 卷，適配小型化中壓電路板設計；
• 典型應用：
  • 100V 級中壓小型 DC/DC 轉換器；
  • 消費電子、工業(yè)設備的中壓負載開關；
  • 中壓電源管理模塊。

五、信息來源

威兆半導體官方產(chǎn)品手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版手冊為準。）