英特爾正努力在制程技術和全球先進產(chǎn)能方面追趕臺積電，但在美國市場，這家芯片巨頭仍然無人能敵。據(jù)報道，英特爾的Fab 52工廠比臺積電目前的Fab 21一期和即將投產(chǎn)的Fab 21二期工廠更為先進，其產(chǎn)能相當于這兩個工廠的總和。

英特爾Fab 52工廠旨在生產(chǎn)采用英特爾18A（1.8nm級）及更先進工藝技術的芯片，這些工藝技術使用環(huán)柵（GAA）RibbonFET晶體管以及PowerVia背面供電網(wǎng)絡。該工廠的產(chǎn)能為每周1萬片晶圓，滿負荷運轉時每月約4萬片晶圓*（WSPM），按如今標準來看，這確實是一個非常龐大的晶圓廠。

據(jù)@IntelProMUltra觀察，目前，F(xiàn)ab 52配備了四臺ASML Twinscan NXE低數(shù)值孔徑EUV光刻系統(tǒng)，其中包括至少一臺NXE:3800E ——ASML最先進的低數(shù)值孔徑EUV光刻機，它借鑒了下一代高數(shù)值孔徑EUV光刻機的晶圓處理裝置、更快的晶圓平臺和光源，因此在30 mJ/cm2 的劑量下，每小時可處理多達220片晶圓。該工廠還擁有三臺NXE:3600D系統(tǒng)，在30 mJ/cm2的劑量下，每小時可處理160片晶圓。

此外，英特爾在亞利桑那奧科蒂洛的“硅沙漠”園區(qū)預留了至少15臺EUV光刻機的安裝空間，未來可能引入更高數(shù)值孔徑（High-NA）機型，進一步鞏固技術壁壘。

審核編輯 黃宇