新品

第二代CoolSiC MOSFET G2

1400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝

采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiC MOSFET G2 1400V功率器件，是電動(dòng)汽車充電、儲(chǔ)能系統(tǒng)、工業(yè)變頻器等大功率輸出應(yīng)用的理想選擇。

第二代1400V CoolSiC MOSFET 前沿技術(shù)具有前沿性，可顯著提升熱管理性能、功率密度及系統(tǒng)可靠性。其封裝支持回流焊工藝（可承受三次回流焊循環(huán)），有助于降低熱阻并承載高峰值電流。

產(chǎn)品型號(hào)：

■IMYR140R008M2H

■IMYR140R019M2H

產(chǎn)品特點(diǎn)

極低的開(kāi)關(guān)損耗

封裝背面適用于260°C高溫回流焊，且可承受三次焊接過(guò)程

最高結(jié)溫（Tvj）達(dá)200°C的過(guò)載運(yùn)行能力

短路耐受時(shí)間達(dá)2 μs

基準(zhǔn)柵極閾值電壓VGS(th)為4.2V

抗寄生導(dǎo)通能力強(qiáng)，可施加0V關(guān)斷柵極電壓

采用.XT 擴(kuò)散焊技術(shù)，實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的熱性能

寬電源引腳（2mm），提供高電流承載能力

可電阻焊管腳，允許母排直連

TO-247PLUS封裝，具有10.8mm高爬電距離及CTI≥600V

應(yīng)用價(jià)值

提升功率密度

增大系統(tǒng)輸出功率

提高整體效率

增強(qiáng)對(duì)瞬態(tài)過(guò)載、雪崩條件及米勒效應(yīng)的耐受性

簡(jiǎn)化針對(duì)過(guò)流事件的系統(tǒng)設(shè)計(jì)

易于并聯(lián)

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

支持1000V以上電壓等級(jí)的設(shè)計(jì)

回流焊組裝工藝有助于實(shí)現(xiàn)更低熱阻

在最高工作電壓1000V的應(yīng)用中：提供充足電壓裕度，支持高峰值電流下的更快開(kāi)關(guān)速度

高功率密度有助于縮小系統(tǒng)整體尺寸

應(yīng)用領(lǐng)域

商用、工程及農(nóng)用車輛 (CAV)

電動(dòng)汽車充電設(shè)施

儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS)

在線式UPS/工業(yè)級(jí)不間斷電源

組串式逆變器

通用變頻驅(qū)動(dòng)器 (GPD)