AGMSEMI 推出的 AGMH6018C 是一款面向 60V 低壓大功率場景的 N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 TO-220 封裝，適配負載開關(guān)、電池保護等領域。

一、產(chǎn)品基本信息

• 器件類型：N 溝道增強型功率 MOSFET（溝槽工藝）
• 核心參數(shù)：
  • 漏源極擊穿電壓（VDSS?）：60V，適配低壓供電場景；
  • 導通電阻（RDS(ON)?）：1.5mΩ（VGS?=10V），低壓場景下傳導損耗極低；
  • 連續(xù)漏極電流（ID?）：TC?=25°C時 150A、TC?=100°C時 100A，承載能力極強；
  • 脈沖漏極電流（IDM?）：600A（TC?=25°C），可應對瞬時超大電流沖擊。

二、核心特性

• 先進溝槽工藝：高集成度設計，兼具低導通電阻與快速開關(guān)特性；
• 低柵極電荷：開關(guān)損耗小，提升電路能效；
• 高可靠性：通過 100% 雪崩測試，單脈沖雪崩能量達 706mJ，抗沖擊能力強；
• TO-220 封裝：直插封裝散熱性能優(yōu)異，適配大功率電路。

三、關(guān)鍵電氣參數(shù)（TC?=25°C，除非特殊說明）

四、封裝與應用場景

• 封裝形式：TO-220 直插封裝，包裝規(guī)格為 1000pcs / 卷；
• 典型應用：
  • 60V 級低壓大功率 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；
  • 負載開關(guān)電路；
  • 電池保護系統(tǒng)；
  • 電子鎮(zhèn)流器、開關(guān)電源。

五、信息來源

AGMSEMI 官方數(shù)據(jù)手冊（注：以上參數(shù)基于手冊標注整理，實際以最新版資料為準。）