賦能光伏儲能領(lǐng)域

卓越FST 3.0 IGBT模塊

隨著全球能源轉(zhuǎn)型的加速，光伏發(fā)電與儲能系統(tǒng)已成為構(gòu)建新型電力系統(tǒng)的關(guān)鍵。作為電力電子系統(tǒng)的 “核心心臟” 與 “智能開關(guān)”，功率IGBT模塊的性能直接決定了整個系統(tǒng)的效率、可靠性及綜合成本。

長晶科技基于FST G3.0工藝平臺推出IGBT半橋模塊，優(yōu)化器件在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗表現(xiàn)的綜合性能，保證惡劣環(huán)境下的運行可靠性，為光伏逆變器、PCS 等應(yīng)用場景提供高效率、強穩(wěn)定性的核心技術(shù)支撐。

01產(chǎn)品介紹

長晶科技推出的1200V IGBT半橋模塊系列，包含450A、600A與900A三種電流規(guī)格，搭載自主研發(fā)的FST 3.0 IGBT芯片，具有高功率密度、低損耗及高可靠性的特點，可全面覆蓋光伏儲能系統(tǒng)需求。

同時長晶科技與國內(nèi)頭部驅(qū)動廠商合作推出按產(chǎn)品參數(shù)特性定制的驅(qū)動板，可提供配合調(diào)試支持服務(wù)。

02電性參數(shù)

長晶科技1200V IGBT半橋模塊產(chǎn)品具有卓越的性能設(shè)計

◆ 針對開關(guān)特性，通過優(yōu)化柵電荷（Qg），實現(xiàn)了開關(guān)應(yīng)力與損耗之間的平衡，提升不同柵極驅(qū)動設(shè)計的兼容性，并減輕散熱系統(tǒng)承受的壓力。

◆ 針對通態(tài)性能，產(chǎn)品在高溫下表現(xiàn)出顯著的低VCE(sat)，在系統(tǒng)運行時轉(zhuǎn)化為更低的導(dǎo)通損耗。

◆ 綜合芯片選用條件，表現(xiàn)出更低的FOM值（定義見下圖），性能優(yōu)秀同時兼具成本優(yōu)勢。

FOM值定義 = VCE(sat)[V] · Eoff[mJ] · Active Area[cm2]

03競爭優(yōu)勢

1.飽和降壓

長晶科技FST 3.0 IGBT采用先進的微溝槽柵（1.6μm Pitch）場截止結(jié)構(gòu)，發(fā)射極效率優(yōu)化，有效提升了功率密度。

測定條件：IC=450A,VGE=15V

測定條件：IC=600A,VGE=15V

測定條件：IC=900A,VGE=15V

同測試平臺條件下，VCE(sat)基本達到國際主流友商第七代產(chǎn)品優(yōu)秀水平，高電流900A產(chǎn)品MCF900N120T3E3較競品飽和壓降降低5%~6%，實現(xiàn)高溫系統(tǒng)下優(yōu)異的通態(tài)損耗性能。

2.關(guān)斷損耗

基于同平臺雙脈沖測試得到TJ=150℃時的關(guān)斷損耗Eoff，結(jié)果如下圖所示。

測定條件：VCE=600V, IC=450A,Rg=1.3 Ω, VGE=±15V, Inductive Load

測定條件：VCE=600V,IC=600A,Rg=7Ω, VGE=±15V, Inductive Load

長晶FST 3.0 IGBT在高溫條件下實現(xiàn)了開關(guān)應(yīng)力與關(guān)斷損耗之間的平衡，這一特性確保了模塊在光伏儲能系統(tǒng)特定工況下的運行效率與長期穩(wěn)定性。

長晶科技將致力于高效功率模塊的研發(fā)與創(chuàng)新，持續(xù)推動電力電子系統(tǒng)朝著更小尺寸、更高效率、更可靠穩(wěn)定且更具成本競爭力的方向不斷升級！