探索TS12A4516/TS12A4517:雙電源低導(dǎo)通電阻SPST CMOS模擬開關(guān)
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,模擬開關(guān)是不可或缺的組件,它們在信號路由、切換等方面發(fā)揮著重要作用。今天,我們將深入探討德州儀器(TI)的TS12A4516和TS12A4517雙電源低導(dǎo)通電阻SPST CMOS模擬開關(guān),了解它們的特性、參數(shù)以及應(yīng)用注意事項(xiàng)。
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一、產(chǎn)品概述
TS12A4516和TS12A4517是單刀單擲(SPST)、低壓、雙電源CMOS模擬開關(guān),具有極低的開關(guān)導(dǎo)通電阻。其中,TS12A4516為常開(NO)型,TS12A4517為常閉(NC)型。這兩款開關(guān)能夠在±1 V至±6 V的雙電源下連續(xù)工作,且每個(gè)開關(guān)都能處理軌到軌的模擬信號。
二、產(chǎn)品特性
2.1 電源適應(yīng)性
該模擬開關(guān)支持±1 - ±6 V的雙電源供電,在不同電源電壓下都有出色表現(xiàn):
- ±5 V供電時(shí),最大導(dǎo)通電阻為25 Ω。
- ±3.3 V供電時(shí),最大導(dǎo)通電阻為35 Ω。
- ±1.8 V供電時(shí),最大導(dǎo)通電阻為47 Ω。 如此寬的電源范圍和低導(dǎo)通電阻,使得它在不同的電源環(huán)境中都能穩(wěn)定工作,滿足多種設(shè)計(jì)需求。
2.2 低泄漏電流
- 關(guān)斷泄漏電流在25°C時(shí)最大為5 nA,85°C時(shí)最大為10 nA。
- 導(dǎo)通泄漏電流在25°C時(shí)最大為5 nA,85°C時(shí)最大為10 nA。 低泄漏電流特性可以有效減少能量損耗,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
2.3 低電荷注入與快速開關(guān)速度
- 電荷注入低至13 pC(±5 V供電),這有助于減少信號失真,提高信號傳輸?shù)馁|(zhì)量。
- 開關(guān)速度快,導(dǎo)通時(shí)間 (t{ON}=85 ns),關(guān)斷時(shí)間 (t{OFF}=50 ns)(±5 V供電),能夠快速響應(yīng)信號切換需求。
2.4 其他特性
- 具有先斷后通操作((t{ON}>t{OFF})),避免信號切換時(shí)的瞬間短路,保護(hù)電路安全。
- 閂鎖性能超過100 mA(符合JESD 78,Class II標(biāo)準(zhǔn)),增強(qiáng)了器件的抗干擾能力。
- 靜電放電(ESD)性能經(jīng)過測試,人體模型(HBM)可達(dá)2500 V,帶電設(shè)備模型(CDM)可達(dá)1000 V,機(jī)器模型(MM)可達(dá)250 V,提高了器件在復(fù)雜電磁環(huán)境下的可靠性。
三、引腳配置與功能
3.1 引腳定義
| 引腳編號 | TS12A4516(D, P / SOT23 - 5) | TS12A4517(D, P / SOT23 - 5) | 引腳功能 | |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 1 | 1 | COM(公共端) | |
| 2, 3, 5 | – | 2, 3, 5 | N.C.(無連接,內(nèi)部未連接) | |
| 4 | 5 | 4 | 5 | V +(正電源) |
| 6 | 4 | 6 | 4 | IN(數(shù)字控制端,用于連接COM到NO或NC) |
| 7 | 3 | 7 | 3 | V –(負(fù)電源) |
| 8 | 2 | – | – | NO(常開) |
| – | – | 8 | 2 | NC(常閉) |
3.2 輸入與開關(guān)狀態(tài)
| INPUT | TS12A4516開關(guān)狀態(tài) | TS12A4517開關(guān)狀態(tài) |
|---|---|---|
| LOW | OFF | ON |
| HIGH | ON | OFF |
需要注意的是,NO、NC和COM引腳是相同且可互換的,信號可以雙向傳輸。
四、電氣參數(shù)
4.1 絕對最大額定值
| 參數(shù) | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| V +(電源電壓范圍) | –0.3 | 13 | V |
| 模擬電壓范圍(V NC、V NO、V COM) | V – –0.3 | V + + 0.3 | V |
| V IN(邏輯輸入范圍) | V – –0.3 | V + + 0.3 | V |
| 連續(xù)電流流入任何端子 | ±20 | mA | |
| 峰值電流(NO或COM,1 ms脈沖,10%占空比) | ±30 | mA | |
| ESD(方法3015.7) | >2000 | V | |
| 連續(xù)功率耗散(TA = 70°C,8 - 引腳SOIC) | 471 | mW | |
| 連續(xù)功率耗散(TA = 70°C,5 - 引腳SOT23 - 5) | 571 | mW | |
| T A(工作溫度范圍) | –40 | 85 | °C |
| T stg(存儲溫度范圍) | –65 | 150 | °C |
| 引腳溫度(焊接,10 s) | 300 | °C |
4.2 不同電源下的電氣特性
在±5 V、±3.3 V和±1.8 V電源下,該模擬開關(guān)的各項(xiàng)參數(shù)表現(xiàn)有所不同,如導(dǎo)通電阻、泄漏電流、開關(guān)時(shí)間等。例如,在±5 V電源下,導(dǎo)通電阻最大為25 Ω,而在±1.8 V電源下,導(dǎo)通電阻最大為47 Ω。工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用場景選擇合適的電源電壓,以滿足系統(tǒng)對性能的要求。
五、應(yīng)用信息
5.1 電源供應(yīng)考慮
TS12A4516和TS12A4517可以在±1 V至±6 V的電源電壓下工作,但測試和規(guī)格是在±5 V、±3.3 V和±1.8 V電源下進(jìn)行的。如果只需要單電源供電,推薦使用引腳兼容的TS12A4514和TS12A4515。此外, (V{+}) 和 (V{-}) 不僅驅(qū)動(dòng)內(nèi)部CMOS開關(guān),還為內(nèi)部邏輯和邏輯電平轉(zhuǎn)換器供電。
5.2 邏輯電平閾值
由于該器件沒有接地引腳,邏輯電平閾值參考 (V{+}) 。當(dāng) (V{+}) 在6 V至3 V之間時(shí),閾值限制為 (V{+}) –1.5 V和 (V{+}) –3.5 V;當(dāng) (V{+}=2 V) 時(shí),邏輯閾值約為0.6 V。需要注意的是,不要將 (V{+}) 連接到3 V,然后將邏輯電平引腳連接到5 V電源的邏輯電平信號,否則可能會超過絕對最大額定值,損壞器件和/或外部電路。
六、總結(jié)
TS12A4516和TS12A4517雙電源低導(dǎo)通電阻SPST CMOS模擬開關(guān)以其寬電源范圍、低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流、快速開關(guān)速度等特性,在電子設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,在使用過程中,工程師需要根據(jù)實(shí)際需求選擇合適的電源電壓和邏輯電平,同時(shí)注意遵守絕對最大額定值,以確保器件的正常工作和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。大家在實(shí)際設(shè)計(jì)中是否遇到過類似模擬開關(guān)的應(yīng)用挑戰(zhàn)呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
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模擬開關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
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