探索TS12A4516/TS12A4517:高性能CMOS模擬開關(guān)的奧秘
在電子工程師的日常設(shè)計工作中,選擇合適的模擬開關(guān)至關(guān)重要。今天,我們就來深入了解德州儀器(TI)的TS12A4516和TS12A4517這兩款雙電源、低導(dǎo)通電阻的單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān),看看它們有哪些獨特的性能和應(yīng)用場景。
文件下載:ts12a4517.pdf
1. 產(chǎn)品概述
TS12A4516和TS12A4517是低電壓、雙電源CMOS模擬開關(guān),具備極低的開關(guān)導(dǎo)通電阻。其中,TS12A4516為常開(NO)型,TS12A4517為常閉(NC)型。它們能夠在±1V至±6V的雙電源下連續(xù)工作,適用于處理軌到軌的模擬信號。
2. 產(chǎn)品特性
2.1 電源適應(yīng)性
這兩款開關(guān)支持±1V至±6V的雙電源供電,不過在實際測試和規(guī)格制定中,主要針對±5V、±3.3V和±1.8V這幾種電源電壓。不同電源電壓下,開關(guān)的導(dǎo)通電阻有所不同:
- ±5V電源時,導(dǎo)通電阻最大為25Ω。
- ±3.3V電源時,導(dǎo)通電阻最大為35Ω。
- ±1.8V電源時,導(dǎo)通電阻最大為47Ω。
大家在設(shè)計電路時,需要根據(jù)實際的電源情況和對導(dǎo)通電阻的要求來選擇合適的電源電壓。
2.2 低泄漏電流
無論是關(guān)斷狀態(tài)還是導(dǎo)通狀態(tài),這兩款開關(guān)都具有極低的泄漏電流:
- 在25°C時,關(guān)斷和導(dǎo)通泄漏電流最大均為5nA。
- 在85°C時,關(guān)斷和導(dǎo)通泄漏電流最大均為10nA。 低泄漏電流特性有助于減少電路中的功耗和信號干擾,提高電路的穩(wěn)定性和精度。
2.3 快速開關(guān)速度
開關(guān)速度也是衡量模擬開關(guān)性能的重要指標。TS12A4516和TS12A4517具有快速的開關(guān)速度,在±5V電源下,導(dǎo)通時間(t{ON}=85ns),關(guān)斷時間(t{OFF}=50ns)。這種快速的開關(guān)速度使得它們能夠滿足一些對信號切換速度要求較高的應(yīng)用場景。
2.4 其他特性
- 低電荷注入:在±5V電源下,電荷注入僅為13pC,有助于減少信號失真。
- 先斷后通操作:即(t{ON}>t{OFF}),避免在開關(guān)切換過程中出現(xiàn)信號短路的情況。
- 抗閂鎖性能:超過100mA(符合JESD 78,Class II標準),提高了器件的可靠性。
- ESD性能:通過了多種ESD測試標準,包括2500V人體模型(A114 - F)、1000V充電設(shè)備模型(C101 - C)和250V機器模型(A115 - A),增強了器件的抗靜電能力。
3. 引腳配置與功能
TS12A4516和TS12A4517有不同的封裝形式,如8引腳的SOIC - D和5引腳的SOP(SOT - 23) - DBV。它們的引腳功能如下:
- COM:公共端。
- NO/NC:常開/常閉端。
- V+:正電源。
- V -:負電源。
- IN:數(shù)字控制端,用于控制開關(guān)的導(dǎo)通和關(guān)斷。
輸入信號的高低電平?jīng)Q定了開關(guān)的狀態(tài),對于TS12A4516,低電平為關(guān)斷,高電平為導(dǎo)通;對于TS12A4517,低電平為導(dǎo)通,高電平為關(guān)斷。
4. 電氣特性
文檔中詳細給出了在±5V、±3.3V和±1.8V電源下的電氣特性參數(shù),包括模擬信號范圍、導(dǎo)通電阻、泄漏電流、開關(guān)時間、電荷注入、電容、帶寬、隔離度和總諧波失真等。例如,在±5V電源下,帶寬可達464MHz,關(guān)斷隔離度為 - 83dB,總諧波失真僅為0.07%。這些參數(shù)為工程師在不同電源條件下的電路設(shè)計提供了重要參考。
5. 應(yīng)用信息
5.1 電源供應(yīng)考慮
TS12A4516和TS12A4517的獨特之處在于只有兩個電源引腳(V{+})和(V{-}),它們不僅驅(qū)動內(nèi)部CMOS開關(guān),還設(shè)定了模擬電壓的限制。內(nèi)部的ESD保護二極管會在模擬信號超出(V{+})或(V{-})時導(dǎo)通,大部分模擬泄漏電流來自這些二極管。同時,(V{+})和(V{-})還為內(nèi)部邏輯和邏輯電平轉(zhuǎn)換器供電。
在使用時,如果需要單電源供電,可考慮引腳兼容的TS12A4514和TS12A4515。另外,要特別注意邏輯電平閾值的問題,由于沒有接地引腳,邏輯電平閾值參考(V{+}),當(dāng)(V{+})在6V至3V之間時,閾值限制為(V{+} - 1.5V)和(V{+} - 3.5V);當(dāng)(V{+}=2V)時,邏輯閾值約為0.6V。千萬不要將(V{+})連接到3V,同時將邏輯電平引腳連接到5V電源的邏輯信號,否則可能會損壞器件。
5.2 測試電路與時序圖
文檔中提供了電荷注入、開關(guān)時間、關(guān)斷隔離和導(dǎo)通損耗以及電容測量的測試電路和時序圖。這些測試電路和時序圖有助于工程師更好地理解和驗證器件的性能,在實際設(shè)計中進行準確的測試和調(diào)試。
6. 封裝與訂購信息
TS12A4516和TS12A4517有多種可訂購的型號,對應(yīng)不同的封裝形式和包裝數(shù)量。例如,TS12A4516D為8引腳SOIC - D封裝,有75個/管的包裝;TS12A4516DBVR為5引腳SOT - 23 - DBV封裝,有3000個/大卷帶的包裝。同時,文檔還提供了詳細的封裝材料信息,包括卷帶尺寸、管裝尺寸、封裝外形圖、示例電路板布局和示例模板設(shè)計等,方便工程師進行PCB設(shè)計和生產(chǎn)。
綜上所述,TS12A4516和TS12A4517以其低導(dǎo)通電阻、低泄漏電流、快速開關(guān)速度和良好的ESD性能等優(yōu)點,在電子電路設(shè)計中具有廣泛的應(yīng)用前景。電子工程師們在進行相關(guān)設(shè)計時,可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求和電路條件,合理選擇這兩款模擬開關(guān),并參考文檔中的各項參數(shù)和信息進行優(yōu)化設(shè)計。大家在使用過程中有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)??歡迎在評論區(qū)分享交流。
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CMOS模擬開關(guān)
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