還在為MOSFET的閾值電壓漂移、開關(guān)損耗莫名上升而頭疼？傳統(tǒng)DC和短脈沖測(cè)試無法捕捉μs-ms級(jí)的電荷捕獲效應(yīng)，讓可靠性評(píng)估舉步維艱。根源在于測(cè)試設(shè)備性能瓶頸！德思特PG-1000脈沖發(fā)生器以70ps瞬態(tài)建立、s級(jí)長脈沖穩(wěn)定保持及多通道精準(zhǔn)同步，助力您解決電荷捕獲測(cè)試難題，讓不可見的性能劣化清晰可見。

01 MOSFET電荷捕獲效應(yīng)的挑戰(zhàn)

在功率MOSFET（如SiC、GaN）和先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)（如FinFET）中，電荷捕獲效應(yīng)是導(dǎo)致器件性能退化和可靠性下降的核心問題。

主要表現(xiàn)

動(dòng)態(tài)參數(shù)漂移：閾值電壓 、導(dǎo)通電阻 隨開關(guān)次數(shù)增加而劣化。

開關(guān)損耗上升：電荷捕獲改變米勒平臺(tái)電壓，導(dǎo)致 增加。

壽命預(yù)測(cè)困難：傳統(tǒng)DC測(cè)試無法捕捉瞬態(tài)電荷行為，難以評(píng)估長期可靠性。

當(dāng)前測(cè)試方法的局限性

直流測(cè)試（DC）：無法反映動(dòng)態(tài)電荷捕獲，自熱掩蓋真實(shí)特性。

短脈沖測(cè)試（ns級(jí)）：雖避免自熱，但無法觀測(cè)μs~ms級(jí)電荷捕獲的時(shí)間依賴性。

理想測(cè)試需求

慢脈沖Id-Vg曲線技術(shù)通過利用具有快速上升沿的微秒級(jí)長脈沖非常適合用于研究電荷捕獲效應(yīng)，然而理想工作模式需要滿足：

極快上升沿（<10ns）：確保柵壓瞬時(shí)建立，獲取無電荷干擾的初始漏極電流。

精準(zhǔn)保持階段：平頂電壓穩(wěn)定（波動(dòng)<0.1%），持續(xù)μs~ms級(jí)以觀測(cè)電流衰減。

低噪聲環(huán)境：可檢測(cè)漏極電流微小變化（如0.1%衰減）。

多通道同步：通道延遲<10ns，避免偏置點(diǎn)漂移。

傳統(tǒng)脈沖發(fā)生器的性能瓶頸

上升時(shí)間緩慢：傳統(tǒng)脈沖發(fā)生器上升時(shí)間>50ns，導(dǎo)致柵壓爬升期間電荷提前捕獲，初始漏極電流失真。

脈沖寬度精度低：無法精準(zhǔn)匹配配電荷捕獲的時(shí)間常數(shù)τ（界面態(tài)μs級(jí) & 體陷阱ms級(jí)）。

信號(hào)完整性差：平頂階段噪聲>3mVrms，掩蓋微小電流衰減（如<1%的退化）。

多通道同步誤差：通道延遲>10ns，導(dǎo)致偏置點(diǎn)漂移。

02德思特解決方案

德思特PG-1000系列通過超快邊沿、高精度控制、多通道同步三大核心技術(shù)，精準(zhǔn)解決電荷捕獲測(cè)試難題。

核心性能優(yōu)勢(shì)

總結(jié)

電荷捕獲效應(yīng)是影響MOSFET可靠性的關(guān)鍵因素，傳統(tǒng)測(cè)試手段受限于脈沖性能，難以獲取真實(shí)動(dòng)態(tài)行為。德思特PG-1000系列脈沖發(fā)生器憑借：

70ps超快上升時(shí)間

300ps~8s超寬脈寬范圍

10ps時(shí)間分辨率

<1mVrms超低噪聲

±10ps多通道同步

全面滿足慢脈沖Id-Vg測(cè)試對(duì)速度、精度、穩(wěn)定性與同步性的嚴(yán)苛要求，為功率器件的可靠性評(píng)估與壽命預(yù)測(cè)提供了強(qiáng)有力的技術(shù)支撐。

審核編輯 黃宇