電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，杰平方半導(dǎo)體正式推出兩款1400V 碳化硅SiC MOSFET 新品，分別實(shí)現(xiàn) 40mΩ 和 80mΩ 的導(dǎo)通電阻，為 800V 及以上高壓應(yīng)用場(chǎng)景注入新的技術(shù)活力。這一新品的問世，不僅填補(bǔ)了傳統(tǒng) 1200V 與 1700V 之間的市場(chǎng)空白，更為正處于爆發(fā)前夜的 800V+ 汽車高壓平臺(tái)提供了兼顧性能與成本的最優(yōu)解。

隨著近10年電動(dòng)汽車的快速發(fā)展，電動(dòng)汽車的電壓平臺(tái)也經(jīng)歷了多次升級(jí)。

第一階段（2018-2022）：400V 平臺(tái)為主流，SiC 器件初步應(yīng)用于車載充電機(jī) (OBC) 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器，主要提升充電效率和續(xù)航里程。

第二階段（2023-2025）：800V 平臺(tái)快速滲透，從保時(shí)捷、奔馳等豪華品牌延伸到蔚來、小鵬、極氪等中端品牌，再到比亞迪、零跑等 15-20 萬元價(jià)位段車型，SiC 主驅(qū)逆變器成為標(biāo)配。

第三階段（2026+）：1000V + 超高壓平臺(tái)探索，比亞迪已發(fā)布全球首個(gè)量產(chǎn)的乘用車全域 1000V 高壓架構(gòu)，將電池、電機(jī)、電源、空調(diào)等全系高壓部件都做到了 1000V，充電速度進(jìn)一步提升，系統(tǒng)效率提升 25%。

然而，目前主流800V 平臺(tái)在實(shí)際工況中，其直流母線電壓往往會(huì)在充電末端逼近 900V，甚至在開關(guān)瞬態(tài)產(chǎn)生超過 1000V 的電壓尖峰。

這就給系統(tǒng)工程師帶來了一道兩難的選擇題： 在 900V+ 的工況下，1200V 器件的安全裕量被嚴(yán)重壓縮，難以應(yīng)對(duì)突發(fā)的電壓尖峰，且在高壓下受宇宙射線影響的失效率風(fēng)險(xiǎn)急劇上升；若為了安全選用 1700V 器件，則面臨成本高昂、導(dǎo)通損耗增加，以及驅(qū)動(dòng)復(fù)雜的難題，犧牲了系統(tǒng)效率。

因此，隨著比亞迪等車企推出 1000V + 高壓平臺(tái)，1400V SiC MOSFET 的戰(zhàn)略價(jià)值更加凸顯。1000V 平臺(tái)的直流母線電壓在極端工況下可能達(dá)到 1100V-1200V，1200V 器件已無法滿足安全要求，而 1400V 器件提供了足夠的電壓裕量，同時(shí)避免了 1700V 器件的成本和驅(qū)動(dòng)復(fù)雜性問題。

杰平方本次推出1400V SiC MOSFET產(chǎn)品，提供 40mΩ 和 80mΩ 兩種主流規(guī)格，顯著降低開關(guān)損耗，助力系統(tǒng)效率提升；柵源極電壓 (Vgs) 范圍寬達(dá) -10V 至 +22V，這一特性極大地增強(qiáng)了驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)的靈活性，防止在強(qiáng)電磁干擾環(huán)境下發(fā)生誤導(dǎo)通，提升了系統(tǒng)魯棒性；同時(shí)采用先進(jìn)的高壓封裝技術(shù)，支持最高結(jié)溫 175°C，確保在車規(guī)級(jí)高溫高濕的嚴(yán)苛環(huán)境下依然穩(wěn)定運(yùn)行。

實(shí)際上，近年來英飛凌、比亞迪半導(dǎo)體等廠商都相繼推出了1400V規(guī)格的SiC MOSFET，也正是順應(yīng)了電動(dòng)汽車高壓平臺(tái)這一趨勢(shì)。隨著應(yīng)用場(chǎng)景的拓展，杰平方 1400V SiC MOSFET 不僅是電動(dòng)汽車大功率充電樁和車載充電系統(tǒng)的理想選擇，同樣適用于光伏逆變器、儲(chǔ)能變流器及工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

在 800V架構(gòu)加速普及的今天，1400V 耐壓規(guī)格極有希望取代 1200V，成為高壓平臺(tái)的新一代的器件規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。杰平方半導(dǎo)體通過此次新品發(fā)布，不僅展現(xiàn)了其敏銳的市場(chǎng)嗅覺和深厚的技術(shù)積累，更為全球能源向更高效、更緊湊、更低成本轉(zhuǎn)型提供了強(qiáng)有力的核心器件支持。