91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Nexperia推出采用X.PAK封裝的1200V SiC MOSFET

安世半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:安世半導(dǎo)體 ? 2025-03-21 10:11 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

Nexperia(安世半導(dǎo)體)正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色,采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊,尺寸僅為14 mm ×18.5 mm,巧妙融合了SMD技術(shù)在封裝環(huán)節(jié)的便捷優(yōu)勢(shì)以及通孔技術(shù)的高效散熱能力,確保優(yōu)異的散熱效果。此次新品發(fā)布精準(zhǔn)滿足了眾多高功率(工業(yè))應(yīng)用領(lǐng)域?qū)Ψ至⑹絊iC MOSFET不斷增長(zhǎng)的需求,該系列器件借助頂部散熱技術(shù)的優(yōu)勢(shì),得以實(shí)現(xiàn)卓越的熱性能表現(xiàn)。這些器件在電池儲(chǔ)能系統(tǒng)(BESS)、光伏逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及不間斷電源(UPS)等工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)卓越。此外,在包括充電樁在內(nèi)的電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域同樣能發(fā)揮出眾效能。

X.PAK封裝允許將散熱器直接連接至引線框架,進(jìn)一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散熱性能,實(shí)現(xiàn)從外殼頂部高效散熱。這一設(shè)計(jì)有效降低了通過(guò)PCB散熱所帶來(lái)的負(fù)面影響。同時(shí),Nexperia的X.PAK封裝使表面貼裝組件具備低電感特性,并支持自動(dòng)化電路板封裝流程。

新款X.PAK封裝器件具備N(xiāo)experia SiC MOSFET一貫的優(yōu)異品質(zhì)因數(shù)(FoM)。其中,RDS(on)作為關(guān)鍵參數(shù),對(duì)導(dǎo)通損耗影響顯著。然而,許多制造商往往僅關(guān)注該參數(shù)(常溫)的標(biāo)稱(chēng)值,卻忽略了一個(gè)事實(shí),即隨著器件工作溫度的升高,標(biāo)稱(chēng)值可能會(huì)增加100%以上,從而造成相當(dāng)大的導(dǎo)通損耗。與之不同,Nexperia SiC MOSFET展現(xiàn)出出色的溫度穩(wěn)定性,在25℃至175℃的工作溫度區(qū)間內(nèi),RDS(on)的標(biāo)稱(chēng)值僅增加38%。

Nexperia SiC分立器件和模塊資深總監(jiān)兼負(fù)責(zé)人Katrin Feurle表示:我們推出采用X.PAK封裝的SiC MOSFET,標(biāo)志著在高功率應(yīng)用散熱管理與功率密度方面取得重要突破?;诖饲俺晒ν瞥龅腡O-247和SMD D2PAK-7封裝分立式SiC MOSFET器件,我們研發(fā)了這款新型頂部散熱的產(chǎn)品方案。這充分彰顯了Nexperia致力于為客戶(hù)提供先進(jìn)、靈活的產(chǎn)品組合,以滿足其不斷進(jìn)化的設(shè)計(jì)需求的堅(jiān)定承諾。

首批產(chǎn)品組合涵蓋RDS(on)值為30、40、60 mΩ的型號(hào)(NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0),并計(jì)劃于2025年4月推出一款17 mΩ產(chǎn)品。2025年后續(xù)還將推出符合汽車(chē)標(biāo)準(zhǔn)的X.PAK封裝SiC MOSFET產(chǎn)品系列,以及80 mΩ等更多RDS(on)等級(jí)的產(chǎn)品。

Nexperia (安世半導(dǎo)體)

Nexperia(安世半導(dǎo)體)總部位于荷蘭,是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導(dǎo)體公司,目前在歐洲、亞洲和美國(guó)共有12,500多名員工。作為基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)跑者,Nexperia(安世半導(dǎo)體)的器件被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、工業(yè)、移動(dòng)和消費(fèi)等多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,幾乎為世界上所有電子設(shè)計(jì)的基本功能提供支持。

Nexperia(安世半導(dǎo)體)為全球客戶(hù)提供服務(wù),每年的產(chǎn)品出貨量超過(guò)1,000億件。這些產(chǎn)品在效率(如工藝、尺寸、功率及性能)方面成為行業(yè)基準(zhǔn),獲得廣泛認(rèn)可。Nexperia(安世半導(dǎo)體)擁有豐富的IP產(chǎn)品組合和持續(xù)擴(kuò)充的產(chǎn)品范圍,并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,充分體現(xiàn)了公司對(duì)于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴(yán)苛要求的堅(jiān)定承諾。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • MOSFET
    +關(guān)注

    關(guān)注

    151

    文章

    9640

    瀏覽量

    233412
  • 封裝
    +關(guān)注

    關(guān)注

    128

    文章

    9248

    瀏覽量

    148595
  • SiC
    SiC
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    3719

    瀏覽量

    69358
  • Nexperia
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    796

    瀏覽量

    59729

原文標(biāo)題:新品快訊 | Nexperia推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET

文章出處:【微信號(hào):Nexperia_China,微信公眾號(hào):安世半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析

    6ED2231S12T:1200V三相IGBT/SiC柵極驅(qū)動(dòng)器解析 在電力電子領(lǐng)域,柵極驅(qū)動(dòng)器是驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件(如IGBT和SiC MOSFET)的關(guān)鍵組件。今天我們來(lái)詳細(xì)探討英
    的頭像 發(fā)表于 12-20 14:25 ?1928次閱讀

    安森美1200V碳化硅MOSFET:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

    在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiCMOSFET憑借其卓越的性能,正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選功率器件。今天,我們就來(lái)深入探討安森美(onsemi)推出的一款1200V碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 12-04 15:19 ?642次閱讀
    安森美<b class='flag-5'>1200V</b>碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>:NTH4L013N120M3S的特性與應(yīng)用分析

    基本半導(dǎo)體1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊Pcore 2系列介紹

    基本半導(dǎo)體推出62mm封裝1200V工業(yè)級(jí)碳化硅MOSFET半橋模塊,產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 09-15 16:53 ?1194次閱讀
    基本半導(dǎo)體<b class='flag-5'>1200V</b>工業(yè)級(jí)碳化硅<b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊Pcore 2系列介紹

    Nexperia推出40-100V汽車(chē)MLPAK MOSFET

    Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日推出40-100 V汽車(chē)MOSFET產(chǎn)品組合,該系列采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)微引腳
    的頭像 發(fā)表于 09-12 09:38 ?828次閱讀

    派恩杰第三代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)

    1200V SiC MOSFET是派恩杰推出的一系列高性能碳化硅功率器件,具有卓越的柵氧層可靠性和優(yōu)異的高溫特性,專(zhuān)為高壓、高頻、高溫應(yīng)用設(shè)計(jì)。相比傳統(tǒng)硅基
    的頭像 發(fā)表于 09-03 11:29 ?1196次閱讀

    AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容HU3PAK封裝的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    AB3M040065C SiC MOSFET采用T2PAK-7兼容 HU3PAK封裝 的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)
    的頭像 發(fā)表于 08-10 15:11 ?1573次閱讀
    AB3M040065C <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b><b class='flag-5'>采用</b>T2<b class='flag-5'>PAK</b>-7兼容HU3<b class='flag-5'>PAK</b><b class='flag-5'>封裝</b>的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    加速落地主驅(qū)逆變器,三安光電1200V 13mΩ SiC MOSFET完成驗(yàn)證

    ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日,三安光電在投資者平臺(tái)上表示,其主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET1200V 16mΩ迭代到1200V 13mΩ,在國(guó)內(nèi)頭部電動(dòng)車(chē)企客戶(hù)處的摸底模塊驗(yàn)證已
    的頭像 發(fā)表于 08-10 03:18 ?8372次閱讀

    瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用

    近期,中國(guó)領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開(kāi)發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品,憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶(hù)訂單,已量產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 07-16 14:08 ?1246次閱讀
    瞻芯電子第3代<b class='flag-5'>1200V</b> 35mΩ <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>量產(chǎn)交付應(yīng)用

    Nexperia推出兩款1200V SiC肖特基二極管

    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布,在其持續(xù)壯大的功率電子器件產(chǎn)品組合中新增兩款1200 V、20 A碳化硅(SiC)肖特基二極管。PSC2012
    的頭像 發(fā)表于 07-11 17:06 ?1028次閱讀

    基本股份B3M013C120Z(碳化硅SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析

    從基本股份推出的B3M013C120Z(1200V/176A SiC MOSFET)的產(chǎn)品力分析,中國(guó)SiC碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 06-19 17:02 ?884次閱讀
    基本股份B3M013C120Z(碳化硅<b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>)的產(chǎn)品力分析

    聞泰科技推出車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET

    ,聞泰科技半導(dǎo)體業(yè)務(wù)近期推出領(lǐng)先行業(yè)的D2PAK-7封裝車(chē)規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET,
    的頭像 發(fā)表于 05-14 17:55 ?1288次閱讀

    納微半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

    納微半導(dǎo)體 (納斯達(dá)克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿足最嚴(yán)苛汽車(chē)及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。納微最新一代650V1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 05-14 15:39 ?1540次閱讀

    Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車(chē)規(guī)級(jí)1200 V碳化硅MOSFET

    基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別為30、40和60 mΩ。這些器
    的頭像 發(fā)表于 05-09 19:42 ?5.9w次閱讀

    《電子發(fā)燒友電子設(shè)計(jì)周報(bào)》聚焦硬科技領(lǐng)域核心價(jià)值 第4期:2025.03.17--2025.03.21

    采用X.PAK封裝1200V SiC MOSFET https://www.elecfans.
    發(fā)表于 03-21 17:58

    Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術(shù)

    近日,Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,專(zhuān)為滿足工業(yè)應(yīng)用中的高效能和耐用性需求而設(shè)計(jì)。這些新產(chǎn)品不
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:18 ?1132次閱讀
    <b class='flag-5'>Nexperia</b><b class='flag-5'>推出</b>高效耐用的<b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> <b class='flag-5'>MOSFET</b>,<b class='flag-5'>采用</b>創(chuàng)新<b class='flag-5'>X.PAK</b><b class='flag-5'>封裝</b>技術(shù)