近日，北方華創(chuàng)微電子成功獲得了位于蘇州的一家知名化合物半導(dǎo)體公司批量采購訂單，訂單包括了ELEDE?330SG刻蝕機、SW GDE C200刻蝕機、 EPEE550 PECVD在內(nèi)的數(shù)十臺設(shè)備。本次需求源自蘇州一家化合物半導(dǎo)體公司擴產(chǎn)5G基站用氮化鎵功放芯片項目，作為中國高性能氮化鎵芯片IDM領(lǐng)先企業(yè)，該項目將為我國5G通訊基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)提供保障。此次是北方華創(chuàng)微電子在寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的重大突破，具有里程碑意義。

北方華創(chuàng)微電子ELEDE?330SG刻蝕機是寬禁帶化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備, 應(yīng)用于正面工藝中的臺面刻蝕，SiNx柵槽刻蝕，GaN、SiNx極慢速低損傷刻蝕。產(chǎn)品結(jié)合獨特的離子源設(shè)計、高精度低輸出的下電極和多片大產(chǎn)能的托盤設(shè)計，實現(xiàn)精確的刻蝕速率控制和良好的工藝均勻性控制，滿足不同制程的工藝要求，多項關(guān)鍵指標領(lǐng)先行業(yè)水平，成為了行業(yè)標桿產(chǎn)品，是客戶擴產(chǎn)的首選設(shè)備。

SW GDE C200系列單片刻蝕機，可實現(xiàn)SiC深孔的高速、均勻刻蝕，具備高MTBC的優(yōu)點，通過獨特的工藝調(diào)節(jié)可實現(xiàn)圓滑的刻蝕形貌控制，目前該設(shè)備已通過客戶技術(shù)驗證，獲得市場高度認可，在中國寬禁帶化合物半導(dǎo)體市場占據(jù)首席之位。同時，SW GDE C200系列刻蝕機也是SiC MOSFET 柵槽刻蝕和SiC二極管小角度臺面刻蝕的完美解決方案，除了SiC材料，該設(shè)備還可應(yīng)用于SiO2、SiN材料的刻蝕，其靈活的配置可滿足研發(fā)/中試線/量產(chǎn)的要求。

EPEE550 PECVD可用于寬禁帶化合物半導(dǎo)體器件鈍化層、結(jié)構(gòu)層、犧牲層等應(yīng)用，采用自主開發(fā)的高溫混頻技術(shù)，可實現(xiàn)高致密性、低應(yīng)力、高均勻性的薄膜沉積，助力客戶提高產(chǎn)品性能。截至目前，該設(shè)備國內(nèi)銷量已超過百臺。

5G商用時間表正在加速推進中，作為5G不可替代的核心技術(shù)，具有高頻率、高功率特性的GaN寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來發(fā)展機遇。北方華創(chuàng)微電子憑借豐富的設(shè)備工藝技術(shù)儲備，為該領(lǐng)域提供了一系列高競爭力的關(guān)鍵工藝裝備解決方案，本次能夠得到企業(yè)大客戶的批量采購訂單，也充分驗證了北方華創(chuàng)微電子卓越的產(chǎn)品實力。我們將繼續(xù)秉承以客戶為導(dǎo)向的持續(xù)創(chuàng)新，與客戶攜手并進，共同開拓產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍圖。