氮化鎵電源芯片U8722CAS打嗝模式實(shí)現(xiàn)噪音和紋波最優(yōu)化

打嗝模式本質(zhì)為電源保護(hù)機(jī)制（如短路保護(hù)），優(yōu)化需在保障可靠性的前提下進(jìn)行。高頻噪聲問題需協(xié)同芯片設(shè)計(jì)、封裝工藝及PCB布局綜合解決。氮化鎵電源芯片U8722CAS采用了打嗝噪音優(yōu)化技術(shù)，可自適應(yīng)的調(diào)節(jié)打嗝VSKIP_OUT的閾值，實(shí)現(xiàn)噪音和紋波的最優(yōu)化！

氮化鎵電源芯片U8722CAS在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN (典型值 0.4V)時(shí)，系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作，停止開關(guān)動作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典型值 0.5V/0.7V)時(shí)，芯片重新開始開關(guān)動作。打嗝模式降低了輕載和待機(jī)狀態(tài)下的系統(tǒng)功耗。

氮化鎵電源芯片U8722CAS引腳說明：

1 CS I/O 電流采樣輸入、最高頻率選擇管腳

2 FB I 系統(tǒng)反饋輸入管腳

3 DEM I/O 消磁檢測、輸出 OVP 檢測、驅(qū)動能力分檔判定管腳

4 VDD P 芯片供電管腳

5 SW P Boost 電路內(nèi)置 MOS 的漏極管腳

6 GND P 芯片參考地

7 DRAIN P 內(nèi)置高壓 GaN FET 漏極、高壓啟動供電管腳

● 集成 高壓 E-GaN

● 集成高壓啟動功能

● 超低啟動和工作電流，待機(jī)功耗 <30mW

● 谷底鎖定模式，最高工作頻率兩檔可調(diào)(220kHz，130kHz)

● 集成 EMI 優(yōu)化技術(shù)

● 驅(qū)動電流分檔配置

● 集成 Boost 供電電路

● 集成完備的保護(hù)功能：

VDD 過壓/欠壓保護(hù) (VDD OVP/UVLO)

輸出過壓保護(hù) (OVP)

輸入欠壓保護(hù) (BOP)

片內(nèi)過熱保護(hù) (OTP)

逐周期電流限制 (OCP)

異常過流保護(hù) (AOCP)

短路保護(hù) (SCP)

過載保護(hù) (OLP)

過流保護(hù)（SOCP）

前沿消隱 (LEB)

CS 管腳開路保護(hù)

● 封裝類型 ASOP7-T4

在滿載和重載工況下，系統(tǒng)工作在QR工作模式，可以大幅降低系統(tǒng)的開關(guān)損耗。芯片根據(jù)FB電壓值調(diào)節(jié)谷底個(gè)數(shù)，同時(shí)為了避免系統(tǒng)在臨界負(fù)載處的FB電壓波動導(dǎo)致谷底數(shù)跳變，產(chǎn)生噪音，氮化鎵電源芯片U8722CAS采用了谷底鎖定工作模式在負(fù)載一定的情況下，導(dǎo)通谷底數(shù)穩(wěn)定，系統(tǒng)無噪音。