2026年1月22日，美國西部光電展（SPIE Photonics West Exhibition 2026）在舊金山莫斯康展覽中心落下帷幕。度亙核芯攜多款最新系列產(chǎn)品亮相2231展位，與全球光電領(lǐng)域?qū)＜覍W(xué)者、業(yè)界同仁及行業(yè)客戶齊聚一堂，共探行業(yè)前沿技術(shù)趨勢，展現(xiàn)中國“芯”實(shí)力。

創(chuàng)“芯”閃耀，光匯全球

本次展會，度亙核芯攜系列創(chuàng)新產(chǎn)品亮相，涵蓋高功率半導(dǎo)體激光芯片、單模/多模光纖耦合模塊、半導(dǎo)體激光疊陣模塊、VCSEL模組等核心產(chǎn)品，覆蓋工業(yè)加工、光通信、智能傳感、醫(yī)療健康等多領(lǐng)域應(yīng)用，現(xiàn)場吸引了眾多國際專家與核心客戶駐足交流，向全球市場展現(xiàn)了中國激光技術(shù)的創(chuàng)新實(shí)力，獲得了廣泛關(guān)注與高度認(rèn)可。

技術(shù)突破，“芯”領(lǐng)前沿

展會期間，度亙核芯在SPIE論壇發(fā)布了《High-efficiency High-power on-chip Wavelength-stabilized Laser Diodes and Modules》、《Power Scaling of Broad-area Laser Diodes at 940nm》兩大主題報(bào)告，展示了公司在高功率、高效率、高溫度特性、高可靠性及波長穩(wěn)定性等方面的系統(tǒng)性突破，并集中發(fā)表了四項(xiàng)關(guān)鍵新技術(shù)突破，涵蓋976nm DFB多模芯片與模塊、1064nm DFB單模芯片與模塊、940nm耐高溫芯片以及雙結(jié)2000W巴條芯片，可廣泛應(yīng)用于光纖激光泵浦、激光雷達(dá)、工業(yè)加工、核聚變驅(qū)動等前沿領(lǐng)域。

01

976nm DFB多模芯片與模塊

——高功率與波長鎖定的完美結(jié)合

該芯片采用片上分布式反饋光柵設(shè)計(jì)，230μm條寬芯片在CW，25℃條件下實(shí)現(xiàn)38.2W輸出功率，最高光電轉(zhuǎn)換效率超過70%，波長溫漂系數(shù)僅0.06 nm/°C。據(jù)此開發(fā)的光纖耦合模塊輸出功率≥650W，在0–50℃范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)滿功率波長鎖定，適用于高效率、高穩(wěn)定性光纖激光泵浦。

圖1：976nm DFB芯片功率-電流-效率曲線

02

1064nm DFB單模芯片與模塊

——窄線寬、高純度光譜輸出

面向超快激光與精密系統(tǒng)，該單模芯片實(shí)現(xiàn)700mW無kink輸出，最大電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)55%。其蝶形封裝模塊輸出功率超過500mW，最大電光轉(zhuǎn)換效率達(dá)40%，波長隨電流變化極小，在長期CW工作中表現(xiàn)出穩(wěn)定的窄線寬發(fā)射特性。

圖2：1064nm DFB單模蝶形封裝模塊性能與光譜曲線

03

940nm耐高溫單管芯片

——適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境的高可靠性設(shè)計(jì)

該芯片在105°C高溫、14A電流條件下，仍可實(shí)現(xiàn)11.4W的功率輸出，表現(xiàn)出優(yōu)異的高溫工作穩(wěn)定性，適用于車載激光雷達(dá)等高溫、高可靠應(yīng)用場景。

圖3：940nm耐高溫單管芯片在不同溫度下的L-I-V-E曲線

04

雙結(jié)2000W巴條芯片

——突破功率極限的垂直結(jié)構(gòu)創(chuàng)新

采用雙結(jié)外延與隧道結(jié)設(shè)計(jì)，2mm巴條在QCW（300μs, 10Hz）、1000A電流驅(qū)動下，實(shí)現(xiàn)超過2000W的輸出功率，較單結(jié)結(jié)構(gòu)提升約1.72倍，為慣性約束聚變等極端功率需求提供可行的泵浦方案。

圖4：雙結(jié)與單結(jié)巴條輸出功率對比曲線

追光不息，“芯”向未來

作為一家以高端激光芯片設(shè)計(jì)與制造為核心競爭力的IDM光電企業(yè)，公司將始終堅(jiān)持以創(chuàng)新為驅(qū)動，以技術(shù)為引領(lǐng)，不斷推出更多的創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)，深化國際行業(yè)合作，拓展無限版圖，為全球客戶提供更加優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。