近日，東莞市漢思新材料科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“漢思新材料”）成功斬獲“一種溫控晶振小間距芯片填充膠及其制備方法”發(fā)明專利（公開號(hào)：CN121343527A）。依托突破性創(chuàng)新配方設(shè)計(jì)，該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)≤50微米窄間隙場(chǎng)景下的全浸潤(rùn)式填充，從根源上徹底杜絕空洞缺陷，為超薄、小間距芯片封裝模組提供高可靠性核心技術(shù)支撐，填補(bǔ)了溫控晶振領(lǐng)域窄間隙填充的技術(shù)空白。

精準(zhǔn)錨定核心需求，攻克封裝行業(yè)痛點(diǎn)

此次專利技術(shù)以溫控晶振（TCXO）等高端微型電子元件為核心應(yīng)用目標(biāo)，針對(duì)性解決其封裝過程中的關(guān)鍵可靠性難題。作為通信、導(dǎo)航、5G基站、AI服務(wù)器等設(shè)備的核心時(shí)鐘源，溫控晶振對(duì)封裝完整性、抗熱應(yīng)力及耐腐蝕性要求極高，而小間距封裝場(chǎng)景下的空洞缺陷，正是制約其性能升級(jí)的核心瓶頸。

在高密度、小間距（＜100μm）芯片封裝領(lǐng)域，傳統(tǒng)底部填充膠普遍存在粘度偏高、流動(dòng)性不足、脫泡不徹底等問題，易在芯片與基板間隙殘留氣泡或形成空洞。這些缺陷會(huì)直接導(dǎo)致熱應(yīng)力集中、焊點(diǎn)開裂、潮氣侵入腐蝕等連鎖反應(yīng)，最終引發(fā)器件失效，嚴(yán)重影響終端產(chǎn)品的穩(wěn)定性與使用壽命。

多維創(chuàng)新突破，構(gòu)筑技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)壁壘

漢思新材料憑借多年在電子膠粘劑領(lǐng)域的技術(shù)沉淀，通過材料配方與工藝的協(xié)同優(yōu)化，形成五大核心創(chuàng)新點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)窄間隙填充技術(shù)的跨越式提升：

• 低粘高流體系：采用定制化低粘度樹脂基質(zhì)，搭配高效流動(dòng)促進(jìn)劑，確保膠液在≤50微米窄間隙內(nèi)快速完成毛細(xì)浸潤(rùn)填充，無(wú)死角覆蓋；
• 復(fù)合填料優(yōu)化：創(chuàng)新采用納米/微米復(fù)合球形二氧化硅填料，精準(zhǔn)調(diào)控粒徑分布，既提升膠層致密性，又保障填充流動(dòng)性，杜絕間隙殘留；
• 高效脫泡方案：通過引入專用消泡/脫泡助劑，結(jié)合真空混合工藝，從源頭消除膠液內(nèi)部氣泡，徹底規(guī)避空洞產(chǎn)生；
• 熱性能精準(zhǔn)匹配：嚴(yán)格控制固化收縮率與熱膨脹系數(shù)（CTE），實(shí)現(xiàn)與溫控晶振、PCB基板的熱性能高度適配，降低熱應(yīng)力損傷；
• 工藝兼容性強(qiáng)：支持圍壩填充（Dam & Fill）工藝，可精準(zhǔn)控制膠液范圍，有效防止溢膠，適配自動(dòng)化量產(chǎn)需求。

產(chǎn)業(yè)化前景廣闊，賦能高端制造升級(jí)

該專利技術(shù)的成功產(chǎn)業(yè)化，將為高端電子封裝領(lǐng)域帶來(lái)多重價(jià)值突破。一方面，可顯著提升高頻通信設(shè)備、車規(guī)級(jí)晶振、AI服務(wù)器時(shí)鐘模塊等產(chǎn)品的封裝良率與長(zhǎng)期可靠性，助力終端設(shè)備向更輕薄、高密度、高穩(wěn)定性方向升級(jí)；另一方面，將打破進(jìn)口高端填充膠在該領(lǐng)域的壟斷格局，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)電子新材料在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的深度替代與自主可控。

憑借優(yōu)異的性能表現(xiàn)，該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于高端智能手機(jī)、柔性OLED、可穿戴設(shè)備、車載電子等終端場(chǎng)景，為電子行業(yè)突破小間距封裝瓶頸、提升產(chǎn)品核心競(jìng)爭(zhēng)力提供全新技術(shù)路徑。

深耕技術(shù)創(chuàng)新，引領(lǐng)國(guó)產(chǎn)材料崛起

作為電子膠粘劑領(lǐng)域的深耕者，漢思新材料始終以技術(shù)創(chuàng)新為核心驅(qū)動(dòng)力，積累了多項(xiàng)核心專利與資質(zhì)認(rèn)證，構(gòu)建了完善的高端封裝材料技術(shù)體系。此次專利的成功申請(qǐng)，不僅彰顯了企業(yè)在小間距封裝材料領(lǐng)域的深厚技術(shù)積淀，更標(biāo)志著我國(guó)在溫控晶振專用填充膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破。

未來(lái)，漢思新材料將持續(xù)聚焦電子封裝領(lǐng)域的技術(shù)痛點(diǎn)與市場(chǎng)需求，加速推動(dòng)專利成果產(chǎn)業(yè)化落地，以更精準(zhǔn)、高效的材料解決方案賦能半導(dǎo)體、顯示面板、車載電子等高端制造業(yè)升級(jí)，助力我國(guó)電子新材料產(chǎn)業(yè)突破核心技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量發(fā)展。

文章來(lái)源：漢思新材料