91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

LTC1157:高效的雙微功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用解析

h1654155282.3538 ? 2026-02-05 09:45 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

LTC1157:高效的雙微功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用解析

作為一名電子工程師,在日常的設(shè)計(jì)工作中,常常會(huì)遇到需要高性能MOSFET驅(qū)動(dòng)器的場(chǎng)景。今天就來和大家深入探討一款非常實(shí)用的驅(qū)動(dòng)器——LTC1157。

文件下載:LTC1157.pdf

一、LTC1157簡(jiǎn)介與特性

特性亮點(diǎn)

LTC1157是一款雙3.3V微功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器,它具備一系列令人矚目的特性。首先,它能實(shí)現(xiàn)最低壓降3.3V電源切換,可在3.3V或5V標(biāo)稱電源下工作,這大大增加了其使用的靈活性。其待機(jī)電流僅3微安,導(dǎo)通電流80微安,這種低功耗特性使其非常適合用于電池供電的應(yīng)用場(chǎng)景。它還能驅(qū)動(dòng)低成本的N溝道功率MOSFET,且無需外部電荷泵組件,這不僅降低了成本,還簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)。

引腳功能

  • 輸入引腳:LTC1157的輸入引腳為高電平有效,開啟時(shí)會(huì)激活電荷泵電路。其邏輯輸入是具有高阻抗的CMOS門,帶有到地和電源的ESD保護(hù)二極管,使用時(shí)不要讓其超出電源軌。
  • 柵極驅(qū)動(dòng)引腳:開關(guān)關(guān)閉時(shí)該引腳接地,開關(guān)開啟時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓高于電源軌。當(dāng)驅(qū)動(dòng)高于電源軌時(shí)阻抗較高,使用時(shí)要注意減少接地或電源的寄生電阻對(duì)該引腳的負(fù)載影響。
  • 電源引腳:千萬不要讓電源引腳電壓低于地電位,否則可能會(huì)對(duì)器件造成永久性損壞。如果預(yù)計(jì)有負(fù)電源電壓瞬變,應(yīng)在接地引腳串聯(lián)一個(gè)300Ω電阻。

二、工作原理與功能模塊

工作原理概述

LTC1157專為在3.3V和5V電壓下工作而設(shè)計(jì),它包含多個(gè)重要的功能模塊。

具體功能模塊

  1. 3.3V邏輯兼容輸入:其輸入能適配多種3.3V和5V邏輯系列,提供約50mV的滯后電壓以確保干凈的開關(guān)動(dòng)作。超低待機(jī)電流電壓調(diào)節(jié)器為邏輯 - CMOS轉(zhuǎn)換器提供連續(xù)偏置,轉(zhuǎn)換器輸出使其余電路工作,從而在待機(jī)模式下將功耗降至最低。
  2. 柵極電荷泵:內(nèi)部的電荷泵電路為功率MOSFET產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng),能生成遠(yuǎn)高于電源電壓的柵極電壓,且電荷泵電容集成在芯片上,無需外部組件就能產(chǎn)生柵極驅(qū)動(dòng)。
  3. 可控的柵極上升和下降時(shí)間:輸入開關(guān)開啟和關(guān)閉時(shí),內(nèi)部電荷泵以可控方式對(duì)柵極進(jìn)行充電和放電,設(shè)定的充放電速率能最小化RFI和EMI輻射。

三、電氣特性分析

在不同的電源電壓和溫度條件下,LTC1157表現(xiàn)出不同的電氣特性。

靜態(tài)電流

  • 當(dāng)電源電壓為3.3V,輸入電壓為0V時(shí),靜態(tài)關(guān)斷電流典型值為3μA,最大值為10μA。
  • 電源電壓為3.3V,輸入電壓為3.3V時(shí),靜態(tài)導(dǎo)通電流典型值為80μA;電源電壓為5V,輸入電壓為5V時(shí),典型值為180μA。

    輸入電壓

    輸入高電壓約為70%×電源電壓,輸入低電壓約為15%×電源電壓。

    柵極電壓

    不同電源電壓下,柵極電壓高于電源電壓的值不同,如電源電壓為3V時(shí),典型值為4.7V;3.3V時(shí),典型值為5.4V;5V時(shí),典型值為8.8V。

    開關(guān)時(shí)間

    開啟和關(guān)閉時(shí)間也會(huì)隨電源電壓和柵極電容的不同而變化。例如,在電源電壓為3.3V,柵極電容為1000pF時(shí),柵極電壓大于電源電壓+2V的開啟時(shí)間典型值為75μs,關(guān)閉時(shí)間典型值為36μs。

四、MOSFET選擇與應(yīng)用要點(diǎn)

MOSFET選擇

  • 3.3V時(shí)的邏輯電平MOSFET開關(guān):當(dāng)電源電壓在2.7V到4V之間時(shí),應(yīng)使用邏輯電平MOSFET開關(guān)。這類開關(guān)通常額定柵源電壓 (V{GS}=4V),最大連續(xù) (V{GS}) 額定值為 ±10V,部分可承受 ±15V,適用于2.7V到5.5V的整個(gè)范圍。
  • 5V時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)MOSFET開關(guān):電源電壓在4V到5.5V時(shí),應(yīng)使用標(biāo)準(zhǔn)N溝道MOSFET開關(guān),內(nèi)置電荷泵能在5V標(biāo)稱電源下為其提供足夠的柵極驅(qū)動(dòng),標(biāo)準(zhǔn)N溝道MOSFET開關(guān)額定 (V_{GS}=10V),最大一般限制在 ±20V。

    應(yīng)用要點(diǎn)

    為大電容負(fù)載供電

    便攜式電池供電設(shè)備中的電氣子系統(tǒng)通常會(huì)使用大濾波電容來減少電源瞬變和電源引起的毛刺。通過在LTC1157的柵極驅(qū)動(dòng)輸出端連接一個(gè)簡(jiǎn)單的RC網(wǎng)絡(luò)(R1和C1)來限制N溝道開關(guān)柵極的轉(zhuǎn)換速率,可以將啟動(dòng)電流從可能高達(dá)10A降低到約15mA,方便系統(tǒng)調(diào)節(jié)器進(jìn)行管理。同時(shí),使用R2可消除開關(guān)過渡期間寄生MOSFET振蕩的可能性,對(duì)于并聯(lián)MOSFET,用1k電阻隔離柵極可減少開關(guān)之間的相互作用。

    反向電池保護(hù)

    在接地引腳串聯(lián)一個(gè)300Ω電阻可保護(hù)LTC1157免受反向電池情況的影響,該電阻能將施加 - 3.6V時(shí)的電源電流限制在小于12mA。在輸入引腳串聯(lián)10k電阻可保護(hù)3.3V微處理器(或控制邏輯)。

五、典型應(yīng)用案例

超低壓降3 - 4節(jié)電池雙高端開關(guān)

可用于對(duì)電池供電設(shè)備的電源進(jìn)行高效切換和管理,確保設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行。

混合5V和3.3V雙高端開關(guān)

適用于需要同時(shí)處理不同電源電壓的電路,實(shí)現(xiàn)不同電壓的有效切換和分配。

混合3.3V和12V高低端開關(guān)

在復(fù)雜的電源系統(tǒng)中,能靈活處理不同電壓的高低端切換,滿足多樣化的設(shè)計(jì)需求。

總之,LTC1157憑借其出色的性能和豐富的功能,為電子工程師在設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)電路時(shí)提供了一個(gè)非常好的選擇。大家在實(shí)際應(yīng)用中,不妨多嘗試一下這款驅(qū)動(dòng)器,說不定會(huì)有意想不到的效果。你在使用類似驅(qū)動(dòng)器時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    TSC426功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器

    深入解析MAX626/7/8 - TSC426/7/8功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器 引言 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,
    的頭像 發(fā)表于 02-08 14:15 ?691次閱讀

    TSC428功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析

    MAX626/7/8 - TSC426/7/8 功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析 在電子設(shè)計(jì)的領(lǐng)域中,
    的頭像 發(fā)表于 02-08 14:05 ?555次閱讀

    MAX4427:高性能路高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器解析

    MAX4426/MAX4427/MAX4428:高性能路高速MOSFET驅(qū)動(dòng)器解析 一、引言 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 02-05 14:10 ?580次閱讀

    MAX628功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    MAX626/7/8 - TSC426/7/8 功率 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子工程師的日常工作中,功率
    的頭像 發(fā)表于 02-05 11:15 ?212次閱讀

    探索MAX627功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn)

    探索MAX626/7/8 - TSC426/7/8功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器:特性、應(yīng)用與設(shè)計(jì)要點(diǎn) 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET
    的頭像 發(fā)表于 02-05 11:15 ?235次閱讀

    探索MAX626功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器

    探索MAX626/7/8 - TSC426/7/8功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率MOSF
    的頭像 發(fā)表于 02-05 10:55 ?253次閱讀

    高性能MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4440的深度解析

    高性能MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器LTC4440的深度解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)中,選擇合適的MOSFET柵極
    的頭像 發(fā)表于 02-05 10:45 ?230次閱讀

    LTC1155:高性能高端柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用與特性解析

    LTC1155:高性能高端柵極驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用與特性解析 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的驅(qū)動(dòng)器對(duì)于實(shí)現(xiàn)
    的頭像 發(fā)表于 02-05 09:50 ?138次閱讀

    探索LTC1156:高性能四通道高端功耗MOSFET驅(qū)動(dòng)器

    探索LTC1156:高性能四通道高端功耗MOSFET驅(qū)動(dòng)器 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,高性能的MOSFET驅(qū)動(dòng)器
    的頭像 發(fā)表于 02-05 09:40 ?175次閱讀

    探索LTC1154:高性能高側(cè)功耗MOSFET驅(qū)動(dòng)器

    探索LTC1154:高性能高側(cè)功耗MOSFET驅(qū)動(dòng)器 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFET驅(qū)動(dòng)器是不可
    的頭像 發(fā)表于 02-05 09:40 ?139次閱讀

    LT1160:高效半/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用

    LT1160/LT1162:高效半/全橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 在電子工程師的日常工作中,功率
    的頭像 發(fā)表于 02-05 09:30 ?181次閱讀

    探索MAXIM ICL7667功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器:性能、應(yīng)用與設(shè)計(jì)考量

    驅(qū)動(dòng)功率MOSFET進(jìn)行高效功率轉(zhuǎn)換。今天,我們要深入探討的是MAXIM公司推出的ICL7667
    的頭像 發(fā)表于 02-05 09:20 ?137次閱讀

    LT1158:高效半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全方位解析

    LT1158:高效半橋N溝道功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器的全方位解析 在電子工程師的設(shè)計(jì)生涯中,選擇合適的功率
    的頭像 發(fā)表于 02-05 09:15 ?143次閱讀

    深入解析 LTC4444 - 5:高效高電壓同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

    深入解析 LTC4444-5:高效高電壓同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,MOSFE
    的頭像 發(fā)表于 02-04 09:10 ?520次閱讀

    深入剖析 LTC7067:高性能 150V 高端 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

    深入剖析 LTC7067:高性能 150V 高端 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中,選擇合適的 MOSFET 柵極
    的頭像 發(fā)表于 02-03 14:15 ?150次閱讀