當(dāng)一顆精心設(shè)計的芯片突然“罷工”，失效分析工程師就像是一位偵探進入案發(fā)現(xiàn)場。而失效點，往往只是一個微米甚至納米級的缺陷。如何在整個電路過程中快速準(zhǔn)確找到這個缺陷，熱點技術(shù)就成了我們關(guān)鍵的手段，然而面對多種熱點分析技術(shù)手段選擇，我們又該如何精準(zhǔn)選擇對應(yīng)的分析技術(shù)呢？

什么是熱點定位？

熱點定位就是通過檢測芯片局部因缺陷（如短路、漏電、柵氧擊穿等）所產(chǎn)生的異常熱或光發(fā)射，從而精確定位故障點的技術(shù)。特別是在集成電路中用于失效分析定位異常，是非常常見的一種分析手法。

不同熱點定位分析差異性對比

EMMI（Si-CCD）

通過Si-CCD探測器捕捉電子空穴復(fù)合釋放的光子（波長400-1200 nm）

適用場景：定位各種組件缺陷所產(chǎn)生的漏電流，如柵極氧化層缺陷 (Gate Oxide Defects)、Latch up閂鎖效應(yīng)、靜電放電破壞 (ESD Failure) 等

局限性：難以分析金屬遮蔽、電阻式缺陷、不發(fā)光缺陷

Thermal EMMI（InSb）

利用InSb探測器捕捉熱輻射（波長3.7-5.2 μm），還可通過相位差預(yù)估缺陷深度

適用場景：非破壞性檢測，定位芯片封裝打線和芯片內(nèi)部線路短路、介電層 (Oxide)漏電、晶體管和二極管的漏電、ESD 閂鎖效應(yīng)、3D封裝 (Stacked Die)失效點的深度預(yù)估、芯片未開蓋的故障點定位偵測、TFT LCD面板&PCB/PCBA的金屬線路缺陷和短路、低阻抗短路(＜10 ohm)的問題分析

局限性：對樣品的功率要求較高

OBIRCH（激光束電阻異常偵測）

激光掃描芯片表面，通過電阻變化定位熱點

適用場景：定位金屬線/Poly/Well短路、柵極氧化層漏電 (Gate Oxide Leakage)、金屬導(dǎo)通孔/接觸孔阻值異常、IR-OM觀察 (晶背)，利用背扎可以免去COB的制樣時間。

局限性：不適用于電流不穩(wěn)定的樣品，金屬遮蔽、不易加熱區(qū)域、多晶電阻或偏壓電場的干擾會影響結(jié)果

InGaAs（砷化鎵銦微光顯微鏡）

與EMMI類似，但探測器為InGaAs，波長范圍更寬（900-1700 nm）

適用場景：探測微小電流及先進制程缺陷、較輕微的金屬橋接、柵極氧化層缺陷或漏電、硅基底損傷、機械系損傷

局限性：難以分析金屬遮蔽、電阻式缺陷、不發(fā)光缺陷；紅外光對硅基底穿透性更強，適合芯片背面定位

熱點定位對比

隨著半導(dǎo)體集成電路的快速發(fā)展，在先進封裝、AI芯片、高端制程中的失效分析越來越復(fù)雜，掌握選對熱點定位技術(shù)是突破分析測試的關(guān)鍵，才能少走技術(shù)彎路。而在實際失效分析工作中，工程師需依據(jù)失效現(xiàn)象、樣品結(jié)構(gòu)及制程特點，靈活選擇或組合運用這些技術(shù)，形成優(yōu)勢互補的分析策略，從而高效、精準(zhǔn)地鎖定失效根源，加速產(chǎn)品問題的解決。