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MAX16128/MAX16129:負載突降/反極性電壓保護電路的卓越之選

璟琰乀 ? 2026-02-10 15:10 ? 次閱讀
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MAX16128/MAX16129:負載突降/反極性電壓保護電路的卓越之選

在電子設備的設計中,電源保護至關重要。尤其是在汽車、工業(yè)、航空電子以及電信等領域,電源常常面臨過壓、反極性電壓和高壓瞬態(tài)脈沖等惡劣條件的挑戰(zhàn)。Maxim Integrated的MAX16128/MAX16129負載突降/反極性電壓保護電路,就是為應對這些挑戰(zhàn)而設計的優(yōu)秀解決方案。

文件下載:MAX16128UAADAA+.pdf

產品概述

MAX16128/MAX16129能夠保護電源免受各種有害輸入電壓條件的影響。它利用內置電荷泵控制兩個外部背對背n溝道MOSFET,在出現如汽車負載突降脈沖或電池反接等故障時,迅速關閉并隔離下游電源。該器件可在低至3V的電壓下正常工作,確保在汽車冷啟動等情況下也能穩(wěn)定運行。此外,它還具備標志輸出(FLAG),可在故障發(fā)生時發(fā)出信號。

關鍵特性與優(yōu)勢

增強敏感電子元件保護

  • 寬輸入電壓保護范圍:支持 -36V 至 +90V 的輸入電壓,能有效應對各種惡劣環(huán)境。
  • 快速關斷與負載隔離:在故障發(fā)生時,可快速關閉柵極,實現完全的負載隔離。
  • 熱關斷保護:當內部芯片溫度超過 145°C 時,自動關閉 MOSFET,防止過熱損壞。
  • 故障指示:FLAG 輸出可明確指示故障狀態(tài)。
  • 汽車級認證:適用于汽車應用,能在 -40°C 至 +125°C 的寬溫度范圍內穩(wěn)定工作。

集成化設計減小方案尺寸

  • 內部電荷泵電路:增強外部 n 溝道 MOSFET 的驅動能力。
  • 固定欠壓/過壓閾值:減少外部元件數量,簡化設計。
  • 小巧封裝:采用 3mm × 3mm、8 引腳的 μMAX 封裝。

降低功耗

與分立解決方案相比,MAX16128/MAX16129 在反極性電壓保護時的工作電壓降極小。在 30V 輸入時,其電源電流為 380μA,關斷電流為 100μA。

電氣特性詳解

輸入電壓與電流

輸入電壓范圍為 3V 至 -36V 到 +90V,不同工作模式和輸入電壓下,輸入電源電流和 SRC 輸入電流有所不同。例如,在 VIN = VSRC = VOUT = 12V 且 SHDN = high 時,輸入電源電流典型值為 260μA。

閾值與遲滯

內部欠壓閾值、過壓閾值以及冷啟動閾值都有明確的范圍和遲滯值。這些閾值確保了器件在不同電壓條件下的穩(wěn)定工作。

響應時間

啟動響應時間為 150μs,過壓到柵極的傳播延遲為 1μs,欠壓到柵極的傳播延遲為 21μs。快速的響應時間能及時應對各種故障。

輸出特性

GATE 輸出電壓在不同輸入電壓下有不同的表現,FLAG 輸出在故障時會拉低,方便用戶檢測故障。

工作模式與功能

過壓保護

通過比較器檢測過壓情況,當輸入或輸出電壓超過閾值時,GATE 輸出變低,關閉外部 MOSFET,同時 FLAG 輸出指示故障。

過壓限制器模式(MAX16129)

在此模式下,輸出電壓被調節(jié)在過壓閾值電壓,繼續(xù)為下游設備供電。MOSFET 會根據輸出電壓的變化進行開關操作,實現電壓調節(jié)。但長時間工作在該模式時,需注意 MOSFET 的散熱問題。

過壓開關模式(MAX16128)

當輸入電壓超過過壓閾值時,外部 MOSFET 關閉,斷開負載與輸入的連接。該模式有多種重試選項,如始終重試、一次重試后鎖存、三次重試后鎖存和鎖存模式。

欠壓保護

當輸入電壓低于欠壓閾值時,GATE 變低,關閉 MOSFET,FLAG 輸出指示故障。輸入電壓恢復正常后,經過 150μs 延遲,GATE 變高。

冷啟動監(jiān)測

根據器件型號后綴的不同,有兩種處理冷啟動故障的方式。冷啟動比較器可選擇啟用或禁用,以應對輸入電壓下降的情況。

熱關斷

當內部芯片溫度超過 145°C 時,MOSFET 關閉,溫度下降 15°C 后,MOSFET 重新開啟。需注意不要超過絕對最大結溫 150°C。

標志輸出(FLAG)

FLAG 輸出為開漏輸出,在啟動時,若無故障,VOUT 大于 90% VIN 時變?yōu)楦咦钁B(tài)。在關機、過壓、熱關斷、欠壓故障或 VOUT 低于 90% VIN 時,FLAG 拉低。

應用與設計要點

應用領域

廣泛應用于汽車、工業(yè)、航空電子、電信/服務器/網絡等領域。

MOSFET 選擇

選擇 MOSFET 時,需考慮柵極電容、漏源電壓額定值、導通電阻、峰值功率耗散能力和平均功率耗散限制等因素。一般建議兩個 MOSFET 采用相同型號,對于空間受限的應用,可選擇雙 MOSFET。

MOSFET 功率耗散

正常工作時,MOSFET 的功率耗散可通過公式 (P = I{LOAD}^{2} × R{DS(ON)}) 計算。在故障的開關模式下,MOSFET 不耗散功率;在限制器模式下,平均功率可通過公式 (P = I{LOAD} times (V{IN } - V_{OUT })) 計算。需注意確保電路不超過 MOSFET 的峰值功率額定值。

MOSFET 柵極保護

為保護 MOSFET 的柵極,需在柵極和源極之間連接齊納鉗位二極管,選擇的齊納鉗位電壓應在 10V 以上且低于 MOSFET 的 VGS 最大額定值。

增加輸入電壓保護范圍

可通過在 IN 到 GND 之間連接兩個背對背的齊納二極管,并在 IN 和電源輸入之間串聯電阻來增加正輸入電壓保護范圍。同時,需計算串聯電阻的峰值功率耗散,必要時可并聯多個電阻或使用汽車級電阻。

輸出儲能電容

輸出電容可作為儲能電容,使下游電路在故障瞬態(tài)條件下繼續(xù)工作。由于輸出電壓受保護,電容的電壓額定值可低于預期的最大輸入電壓。

總結

MAX16128/MAX16129 負載突降/反極性電壓保護電路以其卓越的性能和豐富的功能,為電子工程師在惡劣環(huán)境下保護敏感電子元件提供了可靠的解決方案。通過合理選擇 MOSFET 和外部元件,工程師可以充分發(fā)揮該器件的優(yōu)勢,設計出穩(wěn)定、高效的電源保護電路。你在實際應用中是否遇到過類似的電源保護問題?你是如何解決的呢?歡迎在評論區(qū)分享你的經驗。

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