不同于HBM垂直堆疊，英特爾新型內(nèi)存ZAM技術(shù)采用交錯(cuò)互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
不同于HBM垂直堆疊，英特爾新型內(nèi)存ZAM技術(shù)采用交錯(cuò)互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
據(jù)日本媒體PCWatch報(bào)道，英特爾在2026年日本英特爾連接大會(huì)（Intel Connection Japan 2026）上，首次正式全面介紹了ZAM技術(shù)，其核心重點(diǎn)的是Z型角架構(gòu)如何緩解現(xiàn)有解決方案面臨的性能與散熱限制。
這款內(nèi)存解決方案的核心亮點(diǎn)的是采用了交錯(cuò)互連拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)將裸片堆疊內(nèi)部的連接線路設(shè)計(jì)為對(duì)角線分布，而非傳統(tǒng)的垂直向下鉆孔連接。這款以內(nèi)存為核心的項(xiàng)目，旨在進(jìn)軍HBM市場(chǎng)并參與競爭。
目前，關(guān)于Z型角內(nèi)存項(xiàng)目相較于HBM的具體表現(xiàn)，已有多項(xiàng)相關(guān)說法，但在初期討論中，有望看到以下幾方面的提升，包括功耗降低40%-50%,通過Z型角互連簡化制造流程，單芯片更高存儲(chǔ)容量（最高512GB）。
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發(fā)表于 03-05 06:48
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評(píng)論