今天兆易創(chuàng)新（GigaDevice）宣布，其1.2V超低功耗SPI NOR Flash GD25UF系列已實現(xiàn)8Mb至256Mb全線容量擴展。這一舉措精準(zhǔn)響應(yīng)了從高性能AI計算到低功耗電池供電設(shè)備等多元應(yīng)用場景的差異化存儲需求。該產(chǎn)品憑借低電壓與超低功耗優(yōu)勢，為可穿戴設(shè)備、智能耳機、AI ASIC平臺、醫(yī)療電子等高速發(fā)展的新興應(yīng)用市場提供強有力支撐，在顯著延長終端設(shè)備續(xù)航能力的同時，將進(jìn)一步推動產(chǎn)品向邊緣AI與超小型化演進(jìn)，加速新一代智能終端的創(chuàng)新升級。

深度適配SoC低電壓演進(jìn)，重塑系統(tǒng)設(shè)計架構(gòu)
隨著半導(dǎo)體工藝的持續(xù)革新，為了追求更高的能效比，先進(jìn)的主控芯片與處理器工作電壓已逐步跨入1.2V時代。兆易創(chuàng)新GD25UF系列SPI NOR Flash應(yīng)需而生，其1.14V至1.26V的工作電壓完美匹配了這一低電壓主控平臺趨勢。

GD25UF系列能夠與1.2V主控實現(xiàn)電源系統(tǒng)的無縫銜接，開發(fā)者無需再為存儲器額外配置電壓轉(zhuǎn)換電路或復(fù)雜的電源管理模塊。這種架構(gòu)上的精簡不僅大幅減少了外圍元器件的數(shù)量，降低了系統(tǒng)整體BOM成本，更從源頭上消除了電壓轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗，顯著提升了能源利用效率。

雙向容量擴展：滿足AI計算與小型化雙重挑戰(zhàn)
隨著AI基礎(chǔ)設(shè)施由超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心向邊緣側(cè)不斷延伸，在更大規(guī)模模型、更復(fù)雜推理任務(wù)以及海量數(shù)據(jù)傳輸趨勢的推動下，AI服務(wù)器、高性能計算平臺及機器學(xué)習(xí)系統(tǒng)正面臨與日俱增的需求壓力。從超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的代碼存儲，到CXL等高帶寬內(nèi)存互連架構(gòu)，再到光模塊的高速數(shù)據(jù)傳輸，穩(wěn)定可靠的本地非易失性存儲正變得愈發(fā)關(guān)鍵。為此，GD25UF系列將容量進(jìn)一步擴展至256Mb，以提供更充足的存儲空間，推動AI推理效率與系統(tǒng)靈活性的提升。

與此同時，針對物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備及光模塊等對空間布局極其苛刻的應(yīng)用場景，GD25UF系列提供低至8Mb的小容量選擇，并支持WLCSP晶圓級封裝。這一舉措確保了在極度受限的物理空間內(nèi)，依然能提供卓越的存儲性能，助力終端產(chǎn)品實現(xiàn)極致的輕量化設(shè)計。

卓越的功耗與可靠性表現(xiàn)
GD25UF具備優(yōu)異的功耗與性能表現(xiàn)。該系列支持單通道、雙通道、四通道及DTR四通道SPI模式，最高時鐘頻率STR 120MHz，DTR 80MHz，數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)80MB/s。GD25UF系列特別提供了Normal Mode和Low Power Mode兩種工作模式，較于傳統(tǒng)的1.8V Flash產(chǎn)品，該系列的工作電壓降低約33%，功耗可降低50%至70%。這一突破性表現(xiàn)對于智能健康監(jiān)測、單電池供電的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備而言至關(guān)重要，能有效延長設(shè)備的續(xù)航時間，提升用戶體驗。

此外，該系列展現(xiàn)了極高的可靠性，支持10萬次擦寫及20年數(shù)據(jù)保存期限，其工作溫度范圍廣泛覆蓋-40℃~85℃、-40℃~105℃及-40℃~125℃，能夠滿足從嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境到高性能車規(guī)級的全溫度等級要求。目前，兆易創(chuàng)新GD25UF系列各容量型號均已量產(chǎn)，該系列產(chǎn)品支持SOP8、WSON8、USON8、WLCSP多種封裝選擇，客戶可聯(lián)系當(dāng)?shù)劁N售代表或授權(quán)代理商獲取樣品及詳細(xì)技術(shù)支持。

審核編輯 黃宇