概述：

PC5200 是一種增強(qiáng)模式氮化鎵（GaN-on-Silicon）晶體管。氮化鎵是一種寬禁帶半導(dǎo)體，具有高功率密度。氮化鎵晶體管的特點(diǎn)是沒有體二極管，因此反向恢復(fù)電荷為零。這種氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）是一種高性能增強(qiáng)模式氮化鎵 HEMT，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的高頻和高效率運(yùn)行。該氮化鎵功率 HEMT 結(jié)合了最高的 dv/dt 免疫能力和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的低輪廓、低電感、底部冷卻表面貼裝 DFN5x6/DFN8X8 封裝，使設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)簡單、快速且可靠的解決方案。

特性：
? 700V增強(qiáng)型功率開關(guān)
? 易驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O要求
? 極高的開關(guān)頻率
? 快速且可控的下降和上升時(shí)間
? 零反向恢復(fù)損耗

應(yīng)用：
? 快速電池充電
? LED照明驅(qū)動(dòng)器
? 功率因數(shù)校正
? LLC轉(zhuǎn)換器
? 無線電力傳輸



審核編輯 黃宇