SGM2033:250mA超低噪聲高PSRR LDO穩(wěn)壓器的卓越之選
在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域,低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)扮演著至關(guān)重要的角色。今天,我們就來深入了解一款性能出色的LDO——SGM2033,它由SGMICRO公司推出,專為射頻和模擬電路設(shè)計,具備超低噪聲、高電源抑制比(PSRR)等顯著特點。
文件下載:SGM2033.pdf
產(chǎn)品概述
SGM2033采用CMOS技術(shù)設(shè)計,是一款超低噪聲、低輸入電壓、高PSRR、高精度且低壓差的線性穩(wěn)壓器,能夠提供250mA的輸出電流。其工作輸入電壓范圍為1.8V至5.5V,輸出電壓范圍為1.2V至5.0V。此外,它還具備邏輯控制關(guān)機模式、短路電流限制和熱關(guān)斷保護等功能,并且在禁用狀態(tài)下具有自動放電功能,可快速釋放輸出電壓。
SGM2033適用于對噪聲要求較低且需要快速瞬態(tài)響應(yīng)電源的應(yīng)用場景,如智能手機相機模塊的電源等。它提供綠色SOT - 23 - 5和UTDFN - 1×1 - 4AL兩種封裝形式,工作溫度范圍為 - 40℃至 + 125℃。
產(chǎn)品特性
電氣性能
- 寬輸入輸出電壓范圍:工作輸入電壓范圍為1.8V至5.5V,固定和可調(diào)輸出電壓范圍均為1.2V至5.0V,能滿足多種不同的應(yīng)用需求。
- 低靜態(tài)電流:典型靜態(tài)電流僅為13.5μA,關(guān)機電流低至0.1μA,有助于降低功耗,延長電池續(xù)航時間。
- 高PSRR:在1kHz時典型PSRR可達94dB,能有效抑制電源噪聲,為射頻和模擬電路提供干凈穩(wěn)定的電源。
- 低壓差:在250mA輸出電流且 (V_{OUT}=1.8V) 時,SOT - 23 - 5封裝的典型壓差為175mV,UTDFN - 1×1 - 4AL封裝的典型壓差為145mV。
- 輸出電流限制:典型輸出電流限制為500mA,短路電流限制為220mA,可有效保護電路免受過載和短路的影響。
保護功能
- 短路保護:當(dāng)輸出引腳短路到地時,短路保護功能會將輸出電流限制在220mA,防止器件損壞。
- 熱關(guān)斷保護:當(dāng)芯片溫度超過熱關(guān)斷閾值(165℃)時,SGM2033會進入關(guān)機狀態(tài),直到芯片溫度降至145℃以下,確保器件在高溫環(huán)境下的安全運行。
其他特性
- 快速負載瞬態(tài)響應(yīng):能夠快速響應(yīng)負載變化,保持輸出電壓的穩(wěn)定。
- 小尺寸陶瓷電容穩(wěn)定性:與1μF的小尺寸陶瓷電容配合使用時仍能保持穩(wěn)定。
典型應(yīng)用電路
SGM2033提供固定電壓和可調(diào)電壓兩種典型應(yīng)用電路。在可調(diào)電壓應(yīng)用中,通過連接兩個外部電阻到ADJ引腳,可以根據(jù)公式 (V{OUT}=V{FB}×(1 + frac{R{1}}{R{2}})) 來調(diào)整輸出電壓,其中 (V{FB}=1.2V)。同時,在 (R{1}) 上并聯(lián)一個 (C_{FF}≥100pF) 的電容可以提高反饋環(huán)路的穩(wěn)定性和PSRR,增強瞬態(tài)響應(yīng)并降低輸出噪聲。
應(yīng)用信息
電容選擇
- 輸入電容( (C_{IN}) ):輸入去耦電容應(yīng)盡可能靠近IN引腳連接,建議選擇0.1μF或更大的X7R或X5R陶瓷電容,以確保器件的穩(wěn)定性和良好的動態(tài)性能。當(dāng) (V_{IN}) 需要瞬時提供大電流時,應(yīng)使用多個輸入電容來限制輸入跟蹤電感,防止出現(xiàn)過沖和振鈴現(xiàn)象。
- 輸出電容( (C_{OUT}) ):輸出去耦電容應(yīng)靠近OUT引腳放置,建議選擇1μF或更大的X7R或X5R陶瓷電容。SGM2033能保持穩(wěn)定的最小有效電容為0.5μF,但由于陶瓷電容的有效電容會受到溫度、直流偏置和封裝尺寸的影響,設(shè)計時應(yīng)考慮足夠的余量。較大的電容和較低的ESR有助于改善負載瞬態(tài)響應(yīng)和提高高頻PSRR。
使能控制
SGM2033通過EN引腳來實現(xiàn)芯片的啟用和禁用,同時激活或停用輸出自動放電功能。當(dāng)EN引腳電壓低于0.4V時,器件處于關(guān)機狀態(tài),輸入到輸出引腳無電流流動,自動放電晶體管通過220Ω(典型值)電阻釋放輸出電壓;當(dāng)EN引腳電壓高于1.5V時,器件處于工作狀態(tài),輸入電壓被調(diào)節(jié)為輸出電壓,自動放電晶體管關(guān)閉。此外,當(dāng)EN引腳浮空時,內(nèi)部0.2μA(典型值)的電流源會將其拉低,確保器件處于關(guān)機狀態(tài),降低系統(tǒng)功耗。
功率耗散
SGM2033的熱保護功能可以限制功率耗散。當(dāng)功率耗散過大導(dǎo)致結(jié)溫超過165℃時,OTP電路會啟動熱關(guān)斷功能,關(guān)閉通過元件。為了保證可靠運行,SGM2033的結(jié)溫不得超過125℃??梢允褂霉?(P{D(MAX)}=(125^{circ}C - T{A}) / theta{JA}) 來計算器件能夠承受的最大功率,其中 (T{A}) 是環(huán)境溫度, (theta_{JA}) 是結(jié)到環(huán)境的熱阻。
注意事項
- 負偏置輸出:當(dāng)輸出為負電壓時,由于寄生效應(yīng),芯片可能無法啟動。因此,應(yīng)確保輸出電壓在所有條件下都大于 - 0.3V。如果應(yīng)用中可能出現(xiàn)過大的負偏置輸出,可以在OUT引腳和GND引腳之間添加一個肖特基二極管。
- 反向電流:通過晶體管具有固有的體二極管,當(dāng) (V{OUT}>(V{IN}+0.3V)) 時,體二極管會正向偏置。如果預(yù)計會有長時間的反向電壓操作,可能需要采取外部限制措施。
封裝信息
SGM2033提供SOT - 23 - 5和UTDFN - 1×1 - 4AL兩種封裝形式,文檔中詳細給出了這兩種封裝的外形尺寸、推薦焊盤圖案以及卷帶和紙盒的相關(guān)參數(shù),方便工程師進行PCB設(shè)計和器件安裝。
總結(jié)
SGM2033憑借其超低噪聲、高PSRR、寬輸入輸出電壓范圍、豐富的保護功能以及良好的瞬態(tài)響應(yīng)等特性,成為射頻和模擬電路電源管理的理想選擇。無論是在便攜式電子設(shè)備、煙霧探測器、電池供電設(shè)備,還是智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機和音頻設(shè)備等領(lǐng)域,SGM2033都能為電路提供穩(wěn)定、干凈的電源。在實際應(yīng)用中,工程師們需要根據(jù)具體的設(shè)計需求,合理選擇電容、正確使用使能控制功能,并注意負偏置輸出和反向電流等問題,以充分發(fā)揮SGM2033的性能優(yōu)勢。大家在使用SGM2033的過程中,有沒有遇到過什么特別的問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)兀繗g迎在評論區(qū)分享交流。
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