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長(zhǎng)晶科技車載OBC功率器件選型指南:IGBT與SiC MOS助力6.6kW雙向應(yīng)用

南山電子 ? 2026-03-25 17:09 ? 次閱讀
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長(zhǎng)晶科技針對(duì)車載OBC(車載充電機(jī))應(yīng)用場(chǎng)景,推出6.6kW雙向OBC拓?fù)浣鉀Q方案,提供IGBT單管和SiC MOS兩種技術(shù)路線的功率器件選擇。兩種器件均采用TO-247-3L封裝,適用于650V電壓等級(jí),能夠滿足車載充電系統(tǒng)的效率與可靠性要求。

6.6kW雙向OBC拓?fù)洌?/strong>

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產(chǎn)品型號(hào)推薦:

1. IGBT單管:穩(wěn)定可靠的量產(chǎn)之選

針對(duì)6.6kW OBC的主流設(shè)計(jì),長(zhǎng)晶科技已量產(chǎn)兩款650V IGBT單管,兼具優(yōu)異的導(dǎo)通壓降與開(kāi)關(guān)特性,助力實(shí)現(xiàn)高效能與高性價(jià)比的平衡。

  • CGWT80N65F2KAD (650V/80A):采用TO-247-3L封裝,具備更高的電流裕量,適合對(duì)過(guò)載能力要求較高的前級(jí)PFC或后級(jí)DC-DC電路。
  • CGWT40N65F2KAD (650V/40A):同樣采用TO-247-3L封裝,在滿足6.6kW功率需求的同時(shí),提供更緊湊的性價(jià)比方案。

2. SiC MOS:下一代高效升級(jí)之選

為應(yīng)對(duì)未來(lái)對(duì)更高功率密度與極致效率的追求,長(zhǎng)晶科技規(guī)劃了CJWT030CP65M1H (650V/30mΩ)SiC MOS器件。

  • 該器件同樣采用TO-247-3L標(biāo)準(zhǔn)封裝,便于Pin-to-Pin替換升級(jí)。
  • 憑借更低的開(kāi)關(guān)損耗和更高的耐溫特性,可顯著提升OBC在輕載工況下的效率,并簡(jiǎn)化熱管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
產(chǎn)品類別規(guī)格推薦 PN產(chǎn)品狀態(tài)適合用于
IGBT單管650V/80A/K/TO-247-3LCGWT80N65F2KAD量產(chǎn)6.6kW
IGBT單管650V/40A/K/TO-247-3LCGWT40N65F2KAD量產(chǎn)6.6kW
SiC MOS650V/30mΩ/TO-247-3LCJWT030CP65M1HPlan6.6kW

南山電子是長(zhǎng)晶科技的金牌授權(quán)代理商,如需采購(gòu)正品長(zhǎng)晶科技產(chǎn)品或獲取批量?jī)r(jià)格優(yōu)惠,可通過(guò)南山電子官網(wǎng)獲取更多信息與技術(shù)支持。

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