1、PSRAM介紹：
PSRAM本質(zhì)上是一種自帶刷新電路的DRAM，其存儲(chǔ)單元采用1T+1C結(jié)構(gòu)（一個(gè)晶體管加一個(gè)電容），相較于傳統(tǒng)SRAM的6T結(jié)構(gòu)，在相同芯片面積下能夠?qū)崿F(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度，單位成本也顯著降低。根據(jù)行業(yè)應(yīng)用數(shù)據(jù)，PSRAM的售價(jià)通常比SRAM低30%至50%，接近DRAM的價(jià)格水平，使其在對(duì)成本較為敏感的設(shè)計(jì)中具備明顯優(yōu)勢(shì)。

2、PSRAM與DRAM/SRAM相比的優(yōu)勢(shì)是什么？
PSRAM保留了SRAM簡(jiǎn)潔的并行訪問(wèn)接口，包括地址線、數(shù)據(jù)線和片選信號(hào)等，開(kāi)發(fā)者無(wú)需像使用DRAM那樣額外配置復(fù)雜的刷新控制器。這種接口兼容性讓PSRAM可以直接替代SRAM，在提升容量的同時(shí)盡可能減少對(duì)現(xiàn)有系統(tǒng)架構(gòu)的改動(dòng)。

此外，PSRAM將刷新電路集成于芯片內(nèi)部，支持自刷新（Self-Refresh）功能，能夠在不依賴外部控制器干預(yù)的情況下自動(dòng)維護(hù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的完整性。與標(biāo)準(zhǔn)DRAM需要周期性由外部發(fā)起刷新操作不同，PSRAM的這一特性既降低了系統(tǒng)功耗，也減輕了主控芯片的負(fù)擔(dān)，在低功耗便攜產(chǎn)品、手持設(shè)備等場(chǎng)景中優(yōu)勢(shì)尤為突出。

3、PSRAM的工作原理：
PSRAM的存儲(chǔ)單元沿用了DRAM利用電容存儲(chǔ)電荷的原理，數(shù)據(jù)以電荷形式保存在電容中，因此本質(zhì)上具有易失性。但其內(nèi)部集成了自刷新電路，可以按照設(shè)定的周期自動(dòng)完成刷新操作，對(duì)外表現(xiàn)出近似SRAM的靜態(tài)存儲(chǔ)特性，無(wú)需用戶系統(tǒng)關(guān)注底層刷新時(shí)序。

在接口設(shè)計(jì)上，PSRAM延續(xù)了SRAM的并行接口規(guī)范，控制器側(cè)無(wú)需增加額外的DRAM控制邏輯即可直接訪問(wèn)。這種設(shè)計(jì)降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度，也使PSRAM適用于微控制器（MCU）或系統(tǒng)級(jí)芯片（SoC）資源有限、但需要擴(kuò)展較大容量?jī)?nèi)存的應(yīng)用。

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審核編輯 黃宇