近日，北方華創(chuàng)正式發(fā)布全新一代12英寸高端電感耦合等離子體(ICP)刻蝕設(shè)備——NMC612H。該設(shè)備聚焦先進邏輯與先進存儲領(lǐng)域關(guān)鍵刻蝕工藝需求，針對超高深寬比、超高均勻性、精確形貌控制等挑戰(zhàn)，攻克了全新一代精準偏壓控制、射頻多態(tài)脈沖控制、超高速通訊網(wǎng)絡(luò)控制等多項技術(shù)難題，搭配全國產(chǎn)超百區(qū)獨立控溫靜電卡盤及具備完全自主知識產(chǎn)權(quán)的溫控算法，將ICP小尺寸刻蝕的深寬比提升到數(shù)百比一，均勻性帶入埃米級時代，標志著北方華創(chuàng)持續(xù)引領(lǐng)高端ICP刻蝕設(shè)備領(lǐng)域的發(fā)展方向，突破性技術(shù)優(yōu)勢可滿足更先進節(jié)點的芯片制造要求，攜手芯片制造商共同迎接AI時代的機遇與挑戰(zhàn)。

全球算力與存儲芯片需求的爆發(fā)，帶動半導(dǎo)體設(shè)備市場持續(xù)增長。干法刻蝕作為半導(dǎo)體設(shè)備核心品類，市場份額超過20%，預(yù)計2026年全球市場規(guī)模將達到171億美元。其中，ICP刻蝕設(shè)備占比60%，約103億美元[1]，在芯片制造鏈條中占據(jù)不可或缺的地位。

[1] 信息來源：SEMI半導(dǎo)體制造設(shè)備市場規(guī)模(2024年12月)。

芯片制造中更精細的尺寸要求，帶來了工藝步驟數(shù)量的成倍增加，芯片更小的關(guān)鍵尺寸(CD)與節(jié)距(Pitch)由多輪沉積和ICP刻蝕工藝協(xié)同定義，每一步的微小差異，都會被后續(xù)的環(huán)節(jié)指數(shù)級放大。

在此背景下，北方華創(chuàng)精研更先進節(jié)點刻蝕工藝的難點、痛點，打造出全新一代高端ICP刻蝕產(chǎn)品612H，該產(chǎn)品具備以下四大優(yōu)勢：

1.全新一代精準偏壓控制(Pulsed DC Voltage，PDV)：實現(xiàn)電子伏特量級、窄能量分布的離子入射能量和離子方向的精確控制，滿足更小線寬、更高深寬比結(jié)構(gòu)的超高精度刻蝕需求。

2.量產(chǎn)級超百區(qū)精細控溫靜電卡盤：通過具備完全自主知識產(chǎn)權(quán)及全國產(chǎn)供應(yīng)鏈的超百區(qū)獨立控溫靜電卡盤，實現(xiàn)優(yōu)于0.3°C的溫度均勻性控制。

3.射頻多態(tài)脈沖(MLP)及快速匹配算法成套解決方案：匹配時間由秒級降低至毫秒級，具備同步脈沖、異步脈沖以及三頻同啟等多種RF模式，實現(xiàn)對單步工藝配方等離子體成分和能量的精確調(diào)控。

4.原位原子層沉積(ALD)模塊：具備同腔室內(nèi)任意交替使用ALD沉積和刻蝕工藝能力，突破了傳統(tǒng)刻蝕設(shè)備的功能局限，賦予產(chǎn)品更多更廣的應(yīng)用場景。

在實際工藝表現(xiàn)上，NMC612H不僅在ICP平臺上實現(xiàn)了小尺寸開口下數(shù)百比一的高深寬比刻蝕能力，還將Patterning[2]刻蝕CD[3]均勻性控制在了1個硅原子直徑范圍內(nèi)，真正實現(xiàn)了對刻蝕形貌的單原子層級精確控制，確?？涛g工藝能力滿足下一代高端芯片的規(guī)格需求。

[2] 圖形化或圖形轉(zhuǎn)移: 指把掩膜版(mask)上的電路圖形通過光刻、刻蝕等步驟轉(zhuǎn)移到硅片上的全過程。

[3] 關(guān)鍵尺寸或臨界線寬：CD值決定晶體管溝道長度、線寬精度，是衡量制程先進程度的核心指標之一。

除了硬件全面升級外，NMC612H還創(chuàng)新性配備了人工智能賦能的工藝配方優(yōu)化及大數(shù)據(jù)分析平臺(AI+RDF[4])，依托北方華創(chuàng)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的海量工藝數(shù)據(jù)庫，讓刻蝕工藝調(diào)試和機臺數(shù)據(jù)診斷從工程師的經(jīng)驗主導(dǎo)升級為AI輔助+專家經(jīng)驗協(xié)同，有效加速問題定位、保障運行穩(wěn)定性，為客戶帶來了整體運營效率的提升。

[4] RDF: Recipe Diagnosing Function。

依托在刻蝕領(lǐng)域25年的技術(shù)優(yōu)勢與應(yīng)用經(jīng)驗，北方華創(chuàng)通過了各領(lǐng)域頭部客戶的嚴苛驗證，累計客戶端ICP裝機超過8000腔，月度穩(wěn)定量產(chǎn)12英寸產(chǎn)品超500萬片。NMC612系列ICP刻蝕產(chǎn)品已深度嵌入國內(nèi)各主流Fab產(chǎn)線，全面覆蓋從成熟制程到更先進技術(shù)代的邏輯、存儲、功率、傳感等多元芯片制造場景，并在嚴苛的大規(guī)模量產(chǎn)環(huán)境中證明了其高穩(wěn)定性、低缺陷、極佳均勻性的核心競爭優(yōu)勢。

在國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局加速變革的背景下，北方華創(chuàng)作為ICP刻蝕技術(shù)引領(lǐng)者，始終以“推動產(chǎn)業(yè)進步，創(chuàng)造無限可能”為使命，深度協(xié)同產(chǎn)業(yè)鏈上下游合作伙伴聯(lián)合研發(fā)與創(chuàng)新，推動關(guān)鍵設(shè)備從“滿足量產(chǎn)”走向“定義路線”，持續(xù)致力于設(shè)備與工藝的迭代升級，貢獻AI時代的中國力量!