深入解析 FCD900N60Z - N 溝道 SuperFET? II MOSFET

一、引言

在電子工程領(lǐng)域，MOSFET 作為重要的功率器件，廣泛應(yīng)用于各種電源和功率轉(zhuǎn)換電路中。飛兆半導(dǎo)體（Fairchild）的 FCD900N60Z - N 溝道 SuperFET? II MOSFET 憑借其出色的性能，成為眾多工程師的選擇。隨著飛兆半導(dǎo)體并入安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor），我們有必要深入了解這款產(chǎn)品的特性、參數(shù)及應(yīng)用。

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二、公司背景與產(chǎn)品編號變更

飛兆半導(dǎo)體現(xiàn)已成為安森美半導(dǎo)體的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分飛兆可訂購的產(chǎn)品編號需要更改。安森美半導(dǎo)體的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（）的部件命名，因此飛兆部件編號中的下劃線（）將更改為破折號（-）。大家可在安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站（www.onsemi.com）上核實更新后的器件編號。

三、FCD900N60Z 產(chǎn)品特性

3.1 技術(shù)優(yōu)勢

SuperFET? II MOSFET 是飛兆半導(dǎo)體新一代高壓超級結(jié)（SJ）MOSFET 系列產(chǎn)品，利用電荷平衡技術(shù)實現(xiàn)了出色的低導(dǎo)通電阻和更低的柵極電荷性能。這項技術(shù)能最小化導(dǎo)通損耗，提供卓越的開關(guān)性能、dv/dt 額定值和更高的雪崩能量。

3.2 具體特性參數(shù)

• 耐壓與電流：漏極 - 源極電壓（VDSS）可達 600V，在 (T{J}=150^{circ} C) 時耐壓為 650V；連續(xù)漏極電流（ID）在 (T{C}=25^{circ} C) 時為 4.5A，(T_{C}=100^{circ} C) 時為 3.5A。
• 低導(dǎo)通電阻：典型值 (R_{DS(on)}=820 ~m Omega)，有助于降低功率損耗。
• 低柵極電荷：典型值 (Q_{g}=13 nC)，可減少開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。
• 低有效輸出電容：典型值 (C_{oss(eff.) }=49 pF)，有利于提高開關(guān)效率。
• 雪崩測試與 ESD 保護：100% 經(jīng)過雪崩測試，提高了靜電放電保護能力。
• 環(huán)保標準：符合 RoHS 標準，滿足環(huán)保要求。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

4.1 顯示設(shè)備

適用于 LCD / LED / PDP 電視和顯示器照明，能為這些設(shè)備提供穩(wěn)定的電源供應(yīng)，提高顯示質(zhì)量。

4.2 能源領(lǐng)域

在太陽能逆變器中，可實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換，提高能源利用效率。同時也可用于充電器等設(shè)備。

五、電氣參數(shù)與性能特征

5.1 絕對最大額定值

給出了在不同條件下的各項參數(shù)極限值，如漏極 - 源極電壓、柵極 - 源極電壓、漏極電流、功耗等。例如，功耗（PD）在 (T_{C}=25^{circ} C) 時為 52W，25°C 以上以 0.42 W/°C 的速率降低。

5.2 電氣特性

• 關(guān)斷特性：包括漏極 - 源極擊穿電壓（BVDSS）、零柵極電壓漏極電流（IDSS）等參數(shù)。
• 導(dǎo)通特性：如柵極閾值電壓（VGS(th)）、漏極至源極靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(on)）等。
• 動態(tài)特性：涉及輸入電容（Ciss）、輸出電容（Coss）、反向傳輸電容（Crss）等。
• 開關(guān)特性：導(dǎo)通延遲時間（td(on)）、開通上升時間（tr）、關(guān)斷延遲時間（td(off)）、關(guān)斷下降時間（tf）等。
• 漏極 - 源極二極管特性：如二極管最大正向連續(xù)電流（IS）、正向脈沖電流（ISM）、正向電壓（VSD）等。

5.3 典型性能特征

通過一系列圖表展示了通態(tài)區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻變化與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系等。這些圖表有助于工程師更直觀地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。

六、封裝與訂購信息

該器件采用 DPAK 封裝，包裝方法為卷帶，卷尺寸為 330mm，帶寬為 16mm，每卷數(shù)量為 2500 個。其頂標為 FCD900N60Z。

七、注意事項

7.1 重復(fù)額定值

脈沖寬度受限于最大結(jié)溫，使用時需注意結(jié)溫的控制。

7.2 應(yīng)用限制

安森美半導(dǎo)體產(chǎn)品不設(shè)計、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3 醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。若買方將產(chǎn)品用于此類非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用，需承擔相應(yīng)責任。

八、總結(jié)

FCD900N60Z - N 溝道 SuperFET? II MOSFET 以其優(yōu)秀的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為電子工程師在電源設(shè)計和功率轉(zhuǎn)換等方面提供了可靠的選擇。在使用過程中，工程師需根據(jù)具體應(yīng)用需求，結(jié)合產(chǎn)品的各項參數(shù)和特性，合理設(shè)計電路，確保產(chǎn)品的穩(wěn)定運行。大家在實際應(yīng)用中是否遇到過類似 MOSFET 的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。