解析FCH104N60F-F085：一款高性能N溝道MOSFET

在電子設計領域，MOSFET作為關鍵的功率開關器件，其性能優(yōu)劣直接影響著電路的效率和穩(wěn)定性。今天，我們就來深入剖析一款來自安森美（ON Semiconductor）的高性能N溝道MOSFET——FCH104N60F-F085。

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產(chǎn)品概述

FCH104N60F-F085屬于安森美全新的SUPERFET? II系列，這是采用了電荷平衡技術的高壓超結（SJ）MOSFET家族。該技術使得這款MOSFET具備出色的低導通電阻和低柵極電荷性能，能夠有效降低傳導損耗，提供卓越的開關性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，它非常適合軟開關和硬開關拓撲，如高壓全橋和半橋DC - DC、交錯式升壓PFC以及用于HEV - EV汽車的升壓PFC等應用。

此外，SUPERFET II FRFET? MOSFET優(yōu)化了體二極管的反向恢復性能，這一特性可以減少額外的組件，提高系統(tǒng)的可靠性。

關鍵特性

電氣特性

• 導通電阻：在(V{GS}=10V)，(I{D}=18.5A)的條件下，典型的(R_{DS(on)} = 91mΩ)。較低的導通電阻意味著在導通狀態(tài)下，MOSFET的功率損耗更小，能夠提高電路的效率。
• 柵極電荷：在相同條件下，典型的(Q_{g(tot)} = 109nC)。低柵極電荷可以減少開關過程中的能量損耗，提高開關速度。
• 雪崩能力：具備UIS（非鉗位感性開關）能力，單脈沖雪崩額定值（EAS）為809mJ，這使得它在應對感性負載時更加可靠。

其他特性

• 符合標準：該器件符合AEC Q101標準，具備PPAP能力，適用于汽車級應用。
• 環(huán)保特性：產(chǎn)品無鉛且符合RoHS標準，滿足環(huán)保要求。

應用領域

• 汽車車載充電器：在汽車充電系統(tǒng)中，需要高效、可靠的功率開關器件來實現(xiàn)電能的轉換和控制。FCH104N60F-F085的高性能特性使其能夠滿足汽車車載充電器的嚴格要求。
• 混合動力汽車（HEV）的DC/DC轉換器：在HEV的電力系統(tǒng)中，DC/DC轉換器起著至關重要的作用。這款MOSFET的低損耗和高可靠性可以提高轉換器的效率和穩(wěn)定性。

技術參數(shù)

最大額定值

電氣特性

關斷特性

• (B{V{DSS}})（漏源擊穿電壓）：(V{GS}=0V)，(I{D}=250μA)時，最小值為600V。
• (I_{DSS})（漏源泄漏電流）：(V{DS}=600V)，(V{GS}=0V)，(T{J}=25°C)時為10μA；(T{J}=150°C)時為1mA。
• (I_{GSS})（柵源泄漏電流）：(V_{GS}=±20V)時為±100nA。

導通特性

在(V{GS}=10V)，(I{D}=18.5A)，(T{J}=25°C)的條件下，(R{DS(on)})典型值為91mΩ，最大值為275mΩ。

動態(tài)特性

• (C_{iss})（輸入電容）：(V{DS}=100V)，(V{GS}=0V)，(f = 1MHz)時為4302pF。
• (C_{oss})（輸出電容）：為134pF。
• (C_{rss})（反向傳輸電容）：為1.7pF。
• (R_{g})（柵極電阻）：(f = 1MHz)時為0.49Ω。

開關特性

• (t_{on})（導通時間）：(V{DD}=380V)，(I{D}=18.5A)，(V{GS}=10V)，(R{G}=4.7Ω)時，典型值為58ns，最大值為78ns。
• (t_{d(on)})（導通延遲時間）：典型值為35ns。
• (t_{r})（上升時間）：為23ns。
• (t_{d(off)})（關斷延遲時間）：典型值為94ns。
• (t_{f})（下降時間）：典型值為5ns。
• (t_{off})（關斷時間）：典型值為98ns，最大值為131ns。

漏源二極管特性

• (V_{SD})（源漏二極管電壓）：(I{SD}=18.5A)，(V{GS}=0V)時為1.2V。
• (T_{rr})（反向恢復時間）：(I{F}=18.5A)，(dI{SD}/dt = 100A/μs)，(V_{DD}=480V)時為162ns。
• (Q_{rr})（反向恢復電荷）：為1223nC。

典型特性曲線

文檔中還給出了一系列典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了該MOSFET在不同條件下的性能表現(xiàn)，例如：

• 歸一化功率耗散與殼溫的關系：隨著殼溫的升高，功率耗散會相應降低。
• 最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關系：溫度升高時，最大連續(xù)漏極電流會減小。

這些曲線對于工程師在設計電路時，合理選擇工作條件和評估器件性能非常有幫助。

封裝與訂購信息

FCH104N60F-F085采用TO - 247封裝，這是一種常見的功率器件封裝形式，具有良好的散熱性能。其器件標記為FCH104N60F，具體的訂購和發(fā)貨信息可參考數(shù)據(jù)手冊的第2頁。

總結

FCH104N60F-F085作為一款高性能的N溝道MOSFET，憑借其出色的電氣性能、優(yōu)化的體二極管反向恢復性能以及符合汽車級標準等特點，在汽車電子和其他高壓應用領域具有廣闊的應用前景。電子工程師在設計相關電路時，可以充分考慮這款MOSFET的優(yōu)勢，以提高電路的效率和可靠性。

你在使用這款MOSFET的過程中，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應用經(jīng)驗呢？歡迎在評論區(qū)分享。