Onsemi NTMT190N65S3HF：高性能N溝道功率MOSFET的卓越之選

在電子工程師的日常設(shè)計(jì)工作中，功率MOSFET是不可或缺的關(guān)鍵元件。今天，我們就來(lái)深入探討Onsemi推出的NTMT190N65S3HF這款N溝道功率MOSFET，看看它有哪些獨(dú)特的性能和應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。

文件下載：NTMT190N65S3HF-D.PDF

產(chǎn)品概述

NTMT190N65S3HF屬于Onsemi的SUPERFET III系列，這是全新的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET家族。該系列采用了電荷平衡技術(shù)，具有極低的導(dǎo)通電阻和較低的柵極電荷，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提供出色的開(kāi)關(guān)性能，并能承受極高的dv/dt速率。這使得它非常適合用于各種需要小型化和高效率的電源系統(tǒng)。

產(chǎn)品特性

卓越的電氣性能

• 耐壓與電流能力：其漏源電壓（VDSS）可達(dá)650V，在25°C時(shí)連續(xù)漏極電流（ID）為20A，100°C時(shí)為12.7A，脈沖漏極電流（IDM）更是高達(dá)50A，能滿足多種高功率應(yīng)用的需求。
• 低導(dǎo)通電阻：典型的靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(on)）為159mΩ，最大為190mΩ，可有效降低功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
• 低柵極電荷：總柵極電荷（Qg(tot)）典型值為34nC，有助于減少開(kāi)關(guān)損耗，提高開(kāi)關(guān)速度。
• 低輸出電容：有效輸出電容（Coss(eff.)）典型值為316pF，能降低開(kāi)關(guān)過(guò)程中的能量損耗。

優(yōu)化的體二極管性能

SUPERFET III FRFET MOSFET優(yōu)化了體二極管的反向恢復(fù)性能，可減少額外元件的使用，提高系統(tǒng)可靠性。

出色的封裝設(shè)計(jì)

采用TDFN4封裝，這是一種超薄表面貼裝封裝，高度僅1mm，尺寸為8x8mm，具有低外形和小尺寸的特點(diǎn)。同時(shí)，由于較低的寄生源電感以及分離的電源和驅(qū)動(dòng)源，該封裝的MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)性能，并且其濕度敏感度等級(jí)為1級(jí)（MSL 1）。

其他特性

• 100%雪崩測(cè)試，保證了產(chǎn)品的可靠性。
• 無(wú)鉛且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保合規(guī)。

絕對(duì)最大額定值

需要注意的是，超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓（BVDSS）：25°C時(shí)為650V，150°C時(shí)為700V。
• 零柵壓漏極電流（IDSS）：在不同條件下有相應(yīng)的數(shù)值。
• 擊穿電壓溫度系數(shù)（BVDSS /TJ）：0.65V/°C。
• 柵源泄漏電流（IGSS）：±100nA。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓（VGS(th)）：3.0 - 5.0V。
• 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：典型值159mΩ，最大值190mΩ。
• 正向跨導(dǎo)（gFS）：11S。

動(dòng)態(tài)特性

• 輸入電容（Ciss）：1610pF。
• 輸出電容（Coss）：30pF。
• 有效輸出電容（Coss(eff.)）：316pF。
• 能量相關(guān)輸出電容（Coss(er.)）：59pF。
• 總柵極電荷（Qg(tot)）：34nC。
• 柵源柵極電荷（Qgs）：11nC。
• 柵漏“米勒”電荷（Qgd）：13nC。
• 等效串聯(lián)電阻（ESR）：4.1Ω。

開(kāi)關(guān)特性

• 開(kāi)啟延遲時(shí)間（td(on)）：22ns。
• 上升時(shí)間（tr）：13ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間（td(off)）：53ns。
• 下降時(shí)間（tf）：3.3ns。

源漏二極管特性

最大脈沖源漏二極管正向電流在特定條件下有相應(yīng)的數(shù)值。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、體二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨外殼溫度的變化、Eoss隨漏極源電壓的變化、瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線有助于工程師更深入地了解器件在不同工作條件下的性能。

應(yīng)用領(lǐng)域

• 電信/服務(wù)器電源：滿足高功率、高效率的需求。
• 工業(yè)電源：適應(yīng)工業(yè)環(huán)境的穩(wěn)定性和可靠性要求。
• UPS/太陽(yáng)能：在不間斷電源和太陽(yáng)能系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。
• 照明/充電器/適配器：為小型電源設(shè)備提供高效解決方案。

總結(jié)

Onsemi的NTMT190N65S3HF功率MOSFET憑借其出色的性能和優(yōu)化的設(shè)計(jì)，在眾多電源應(yīng)用中具有顯著的優(yōu)勢(shì)。電子工程師在進(jìn)行相關(guān)設(shè)計(jì)時(shí)，可以充分考慮其特性和優(yōu)勢(shì)，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的小型化、高效率和高可靠性。你在實(shí)際設(shè)計(jì)中有沒(méi)有使用過(guò)類似的MOSFET呢？遇到過(guò)哪些挑戰(zhàn)？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。