ON Semiconductor NTMT190N65S3H MOSFET：高效電源轉(zhuǎn)換的理想之選

在電子工程師的日常工作中，選擇合適的功率器件對于電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的性能至關(guān)重要。今天，我們將深入探討 ON Semiconductor（現(xiàn)更名為 onsemi）推出的 NTMT190N65S3H MOSFET，這款器件在電源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域展現(xiàn)出了卓越的性能。

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產(chǎn)品概述

NTMT190N65S3H 是一款 650V、190mΩ、16A 的 N 溝道 POWER MOSFET，屬于 SUPERFET III 系列。SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 全新的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 家族，采用電荷平衡技術(shù)，具備出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)旨在最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 速率，非常適合各種 AC/DC 電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，有助于實現(xiàn)系統(tǒng)的小型化和更高的效率。

封裝優(yōu)勢

該器件采用 Power88 封裝，這是一種超薄表面貼裝封裝，高度僅為 1mm，外形小巧，尺寸為 8 x 8mm。Power88 封裝具有較低的寄生源電感，并且將功率源和驅(qū)動源分離，從而提供了出色的開關(guān)性能。此外，它的防潮等級達(dá)到了 MSL 1，這意味著它在潮濕環(huán)境下具有更好的穩(wěn)定性。

關(guān)鍵特性

1. 高耐壓與低導(dǎo)通電阻：在 (T{J}=150^{circ}C) 時，耐壓可達(dá) 700V，典型 (R{DS(on)}=156mOmega)，能有效降低導(dǎo)通損耗。
2. 超低柵極電荷：典型 (Q_{g}=31nC)，有助于減少開關(guān)損耗，提高開關(guān)速度。
3. 低有效輸出電容：典型 (C_{oss(eff.)}=292pF)，可降低開關(guān)過程中的能量損耗。
4. 雪崩測試：經(jīng)過 100% 雪崩測試，保證了器件在惡劣條件下的可靠性。
5. 環(huán)保合規(guī)：這些器件無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，符合環(huán)保要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

1. 電信/服務(wù)器電源：在電信和服務(wù)器電源系統(tǒng)中，對電源的效率和穩(wěn)定性要求極高。NTMT190N65S3H 的低損耗和高開關(guān)性能能夠滿足這些系統(tǒng)的需求，提高電源的整體效率。
2. 工業(yè)電源：工業(yè)環(huán)境通常對電源的可靠性和穩(wěn)定性有嚴(yán)格要求。該 MOSFET 的高耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其能夠在工業(yè)電源中穩(wěn)定工作，減少能量損耗。
3. UPS/太陽能：在不間斷電源（UPS）和太陽能電源系統(tǒng)中，需要高效的功率轉(zhuǎn)換器件來提高能源利用率。NTMT190N65S3H 能夠滿足這些系統(tǒng)對效率和可靠性的要求。

電氣特性

絕對最大額定值

電氣特性

典型特性曲線

文檔中還提供了一系列典型特性曲線，如導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻隨漏極電流和柵極電壓的變化、二極管正向電壓隨源電流和溫度的變化、電容特性、柵極電荷特性、擊穿電壓隨溫度的變化、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、最大安全工作區(qū)、最大漏極電流隨殼溫的變化、(E_{oss}) 隨漏源電壓的變化以及瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線等。這些曲線對于工程師在設(shè)計電路時評估器件的性能非常有幫助。

測試電路與波形

文檔中給出了柵極電荷測試電路與波形、電阻性開關(guān)測試電路與波形、無鉗位電感開關(guān)測試電路與波形以及峰值二極管恢復(fù) dv/dt 測試電路與波形等。這些測試電路和波形有助于工程師理解器件在不同工作條件下的性能。

注意事項

在使用 NTMT190N65S3H 時，需要注意以下幾點：

1. 應(yīng)力超過絕對最大額定值可能會損壞器件，因此在設(shè)計電路時應(yīng)確保工作條件在額定范圍內(nèi)。
2. “典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會有所變化，實際性能可能會隨時間變化。因此，所有工作參數(shù)，包括“典型值”，都必須由客戶的技術(shù)專家針對每個客戶應(yīng)用進(jìn)行驗證。
3. 該器件不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3 類醫(yī)療設(shè)備或具有相同或類似分類的外國司法管轄區(qū)的醫(yī)療設(shè)備，以及任何用于人體植入的設(shè)備。如果購買或使用該器件用于此類非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，買方應(yīng)承擔(dān)相關(guān)責(zé)任。

總之，ON Semiconductor 的 NTMT190N65S3H MOSFET 以其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，為電子工程師在電源轉(zhuǎn)換設(shè)計中提供了一個可靠的選擇。在實際應(yīng)用中，工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計需求，結(jié)合器件的特性和注意事項，合理設(shè)計電路，以充分發(fā)揮該器件的優(yōu)勢。大家在使用這款 MOSFET 時，有沒有遇到過什么問題或者有什么獨特的應(yīng)用經(jīng)驗?zāi)?？歡迎在評論區(qū)分享。