近日，全球人工智能領(lǐng)域最具影響力的年度盛會(huì) NVIDIA GTC 2026 在美國(guó)加州圣何塞舉行。本屆大會(huì)以AI工業(yè)化與規(guī)模化應(yīng)用為核心主題，重點(diǎn)聚焦加速計(jì)算、AI Factory建設(shè)以及數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)等關(guān)鍵技術(shù)方向，成為全球AI產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要風(fēng)向標(biāo)。

在大會(huì)主題演講中，NVIDIA創(chuàng)始人兼CEO 黃仁勛表示，人工智能正進(jìn)入由智能體(Agents)、物理AI(Physical AI)以及工業(yè)級(jí)部署驅(qū)動(dòng)的新階段。隨著AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，未來(lái)將形成萬(wàn)億級(jí)算力基礎(chǔ)設(shè)施市場(chǎng)，推動(dòng)AI產(chǎn)業(yè)從模型創(chuàng)新邁向大規(guī)模基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)。

在這一背景下，AI數(shù)據(jù)中心電力架構(gòu)升級(jí)成為產(chǎn)業(yè)關(guān)注的重要方向。大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，多家電源與半導(dǎo)體企業(yè)集中展示了 800V HVDC(高壓直流)數(shù)據(jù)中心電源架構(gòu) 的相關(guān)技術(shù)方案，覆蓋從服務(wù)器電源到多級(jí)DC-DC轉(zhuǎn)換模塊的完整電力系統(tǒng)生態(tài)。

作為 NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem 的合作伙伴，英諾賽科(Innoscience)在大會(huì)上重點(diǎn)展示了 800V-to-50V 全氮化鎵電源模塊方案。該模塊位于AI服務(wù)器電源系統(tǒng)的關(guān)鍵前級(jí)轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，采用英諾賽科最新的第三代氮化鎵器件(8顆650V GaN 和 32顆100V GaN),可將 800V高壓直流母線電壓直接轉(zhuǎn)換為50V服務(wù)器標(biāo)準(zhǔn)電壓，為后端GPU服務(wù)器提供穩(wěn)定、高效的輸入電源。

同時(shí)，在NVIDIA本次現(xiàn)場(chǎng)展示的全套800V HVDC AI數(shù)據(jù)中心電源解決方案生態(tài)中，除了英諾賽科自己展示的方案以外，超過(guò)半數(shù)NVIDIA合作伙伴的電源系統(tǒng)方案，均以英諾賽科氮化鎵器件為核心構(gòu)建，英諾賽科GaN已成為AI高壓直流供電架構(gòu)的主流選擇。

相較于傳統(tǒng)硅基功率器件，英諾賽科的氮化鎵技術(shù)在800V架構(gòu)應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì)：

高密度集成：依托氮化鎵器件的高頻特性，可顯著提升電源轉(zhuǎn)換頻率，實(shí)現(xiàn)模塊體積小型化與功率密度提升，更好適配AI服務(wù)器小型化、集約化的發(fā)展趨勢(shì)。

極致能效表現(xiàn)：氮化鎵器件具備更低的開(kāi)關(guān)損耗與驅(qū)動(dòng)損耗，可有效提升電源轉(zhuǎn)換效率，降低AI數(shù)據(jù)中心整體能耗水平。

顯著降低系統(tǒng)成本：在GW級(jí)AI數(shù)據(jù)中心部署中，800V HVDC架構(gòu)能夠顯著降低電力傳輸電流，從而減少銅材使用量，并簡(jiǎn)化配電系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，降低整體建設(shè)與運(yùn)維成本。

根據(jù)產(chǎn)業(yè)測(cè)算，在理想情況下，單個(gè)MW級(jí)AI機(jī)柜的GaN潛在價(jià)值可超過(guò)17萬(wàn)美元，而單一GW級(jí)AI數(shù)據(jù)中心的GaN潛在價(jià)值規(guī)?？蛇_(dá)到約1.8億美元，顯示出氮化鎵在AI基礎(chǔ)設(shè)施中的巨大應(yīng)用潛力。

作為全球最大的氮化鎵功率半導(dǎo)體供應(yīng)商之一，英諾賽科持續(xù)推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車、消費(fèi)電子及工業(yè)電源等領(lǐng)域的規(guī)模化應(yīng)用。隨著AI算力需求持續(xù)增長(zhǎng)，800V HVDC電源架構(gòu)正逐步成為下一代AI數(shù)據(jù)中心的重要技術(shù)方向。

英諾賽科憑借在氮化鎵功率器件領(lǐng)域的技術(shù)積累，以高效率、高功率密度和高可靠性的電力解決方案，為AI基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)提供關(guān)鍵支撐，助力推動(dòng)全球AI產(chǎn)業(yè)邁向規(guī)模化落地的新階段。

英諾賽科(香港聯(lián)合交易所股票代碼:02577.HK)是全球氮化鎵工藝創(chuàng)新與功率器件制造領(lǐng)導(dǎo)者。英諾賽科的器件設(shè)計(jì)與性能樹(shù)立了全球氮化鎵技術(shù)標(biāo)桿，持續(xù)迭代創(chuàng)新的企業(yè)文化將加速氮化鎵性能提升與市場(chǎng)普及。公司的氮化鎵產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于低壓、中壓和高壓產(chǎn)品領(lǐng)域，涵蓋了從 15V至1200V的氮化鎵工藝節(jié)點(diǎn)。公司的晶圓、分立器件、集成功率集成電路(IC)以及模組產(chǎn)品為客戶提供了強(qiáng)勁可靠的氮化鎵(GaN)解決方案。憑借已授權(quán)及申請(qǐng)中的專利布局，英諾賽科產(chǎn)品以高可靠性、性能與功能優(yōu)勢(shì)，服務(wù)于消費(fèi)電子、汽車電子、數(shù)據(jù)中心、可再生能源及工業(yè)電源領(lǐng)域，開(kāi)創(chuàng)氮化鎵技術(shù)的光明未來(lái)。