ON Semiconductor ATP207:N溝道功率MOSFET的性能與應(yīng)用解析
在電子工程師的日常工作中,選擇合適的功率MOSFET至關(guān)重要。今天來聊聊ON Semiconductor推出的ATP207 N溝道功率MOSFET,它在40V、65A的工作場景下表現(xiàn)優(yōu)異,值得我們深入研究。
文件下載:ATP207-D.PDF
1. 產(chǎn)品概述
ATP207是一款N溝道功率MOSFET,額定電壓40V,額定電流65A,導(dǎo)通電阻低至9.1mΩ,采用單ATPAK封裝。它具備低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力等特性,可以用于多種電子設(shè)備的電源管理、開關(guān)電路等設(shè)計中。
2. 產(chǎn)品特性
2.1 低導(dǎo)通電阻
ATP207在4.5V驅(qū)動下就能實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,它的功率損耗較小,能有效提高電路的效率。同時,該產(chǎn)品符合無鹵標(biāo)準(zhǔn),更加環(huán)保。大家在設(shè)計對功耗要求較高的電路時,低導(dǎo)通電阻的特性是不是很有吸引力呢?
2.2 大電流承載能力
它能夠承受65A的直流電流,在脈沖寬度小于等于10μs、占空比小于等于1%的情況下,脈沖電流可達(dá)195A。并且采用了超薄封裝,內(nèi)部還集成了保護二極管,在大電流應(yīng)用場景中表現(xiàn)出色。
3. 規(guī)格參數(shù)
3.1 絕對最大額定值
| 在環(huán)境溫度為25°C時,ATP207的各項絕對最大額定值如下: | 參數(shù) | 符號 | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | - | 40 | V | |
| 柵源電壓 | VGSS | - | ±20 | V | |
| 漏極直流電流 | ID | - | 65 | A | |
| 漏極脈沖電流 | IDP | PW ≤ 10 μs,占空比 ≤ 1% | 195 | A | |
| 允許功耗 | PD | Tc = 25°C | 50 | W | |
| 溝道溫度 | Tch | - | 150 | °C | |
| 存儲溫度 | Tstg | - | -55 至 +150 | °C | |
| 雪崩能量(單脈沖) | EAS | - | 35 | mJ | |
| 雪崩電流 | IAV | - | 33 | A |
需要注意的是,超過最大額定值的應(yīng)力可能會損壞器件,且在推薦工作條件以上的功能操作并不被保證。長時間處于推薦工作條件以上的應(yīng)力環(huán)境可能會影響器件的可靠性。
3.2 電氣特性
| 在25°C環(huán)境溫度下,ATP207的電氣特性參數(shù)豐富,以下是部分關(guān)鍵參數(shù): | 參數(shù) | 符號 | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | ID = 1mA,VGS = 0V | 40 | - | - | V | |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS = 40V,VGS = 0V | - | - | 1 | μA | |
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VGS = ±16V,VDS = 0V | - | - | ±10 | μA | |
| 截止電壓 | VGS(off) | VDS = 10V,ID = 1mA | 1.5 | - | 2.6 | V | |
| 正向傳輸導(dǎo)納 | yfs | VDS = 10V,ID = 33A | 12 | 20 | - | S | |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on)1 | ID = 33A,VGS = 10V | - | 7 | 9.1 | mΩ | |
| RDS(on)2 | ID = 17A,VGS = 4.5V | - | 11 | 15.5 | mΩ |
這些參數(shù)為我們在電路設(shè)計中評估器件性能提供了重要依據(jù)。大家在實際設(shè)計時,會重點關(guān)注哪些參數(shù)呢?
4. 封裝與包裝信息
4.1 封裝尺寸
ATP207采用ATPAK封裝,具體尺寸(單位:mm,典型值)可參考文檔中的詳細(xì)標(biāo)注。這種封裝具有一定的優(yōu)勢,比如在空間利用上更加高效。
4.2 包裝信息
產(chǎn)品型號為ATP207 - TL - H,包裝類型為TL,最小包裝數(shù)量為3000pcs/卷。包裝包含載帶、內(nèi)盒和外盒,并且有相應(yīng)的標(biāo)簽說明。其中,“LEAD FREE”表示端子表面處理無鉛。
5. 開關(guān)時間測試電路
文檔中給出了開關(guān)時間測試電路的相關(guān)信息,包括輸入電壓VIN、電源電壓VDD、負(fù)載電阻RL等參數(shù)。通過這個測試電路,我們可以準(zhǔn)確測量ATP207的開關(guān)時間等性能指標(biāo)。
6. 注意事項
由于ATP207是MOSFET產(chǎn)品,在使用時應(yīng)避免在高電荷物體附近使用,防止靜電等因素對器件造成損壞。同時,ON Semiconductor對產(chǎn)品的使用也有相關(guān)說明,如不承擔(dān)因產(chǎn)品應(yīng)用或使用產(chǎn)生的任何責(zé)任,產(chǎn)品參數(shù)會因應(yīng)用場景不同而有所變化等。大家在使用過程中,一定要嚴(yán)格遵循這些注意事項,確保設(shè)計的可靠性。
綜上所述,ATP207 N溝道功率MOSFET憑借其低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力等特性,在電子電路設(shè)計中具有廣泛的應(yīng)用前景。電子工程師們在進(jìn)行電路設(shè)計時,可以根據(jù)具體需求,充分利用該器件的優(yōu)勢,打造出高效、可靠的電子系統(tǒng)。
-
電子電路設(shè)計
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