2026 年4月1日，以“零碳賽道上的生態(tài)合力：技術(shù)、資本與政策”為主題的2026國際綠色能源生態(tài)發(fā)展峰會在上海圓滿舉行。作為全球綠色能源與功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要交流平臺，本次峰會匯聚國內(nèi)外頂尖專家、企業(yè)領(lǐng)袖與行業(yè)精英，聚焦光伏、儲能、寬禁帶半導(dǎo)體、新能源交通等前沿方向，共探全球新能源電子生態(tài)發(fā)展新路徑。

瑞能半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品線產(chǎn)品與市場高級經(jīng)理王越受邀出席本次峰會，并發(fā)表《SiC功率器件應(yīng)用趨勢分析以及瑞能產(chǎn)品適用性介紹》主題演講，與行業(yè)同仁共話SiC技術(shù)演進、應(yīng)用落地及產(chǎn)業(yè)未來趨勢。

聚焦SiC應(yīng)用新趨勢，賦能綠色能源高效升級

王越在演講中表示：“SiC 功率器件的應(yīng)用正朝著‘大道至簡’的方向發(fā)展，SiC器件不斷提升的耐壓等級、功率密度、可靠性表現(xiàn)是支撐拓撲簡單化的基石。功率器件的性能提升，幫助客戶使用更簡單的拓撲、實現(xiàn)更不簡單的性能突破。這也會大大加速客戶項目落地，搶占市場先機?！?/p>

當前，以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體已成為綠色能源、新能源汽車、高效電源等領(lǐng)域的核心支撐。憑借高效率、高可靠性、低損耗等優(yōu)勢，SiC功率器件正加速推動能源電子產(chǎn)業(yè)高效化、低碳化升級。

演講中，王越圍繞當前SiC功率器件應(yīng)用的四大核心趨勢展開深入解讀：

01功率器件電壓提升

為進一步優(yōu)化系統(tǒng)成本與效率，SiC 器件正朝著更高電壓等級發(fā)展，以適應(yīng)光伏、儲能及充電樁等應(yīng)用對更高功率密度的需求。

02功率環(huán)路拓撲簡化

兩電平拓撲應(yīng)用日益普及，單級變換器成為主流趨勢，這極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計，加速了項目落地進程。

03功率器件應(yīng)用領(lǐng)域拓展

SiC的應(yīng)用正從傳統(tǒng)領(lǐng)域向更多新興場景拓展，如固態(tài)變壓器（SST）、固態(tài)斷路器（SSCB）以及高性能線性電源等。

04功率器件封裝多樣化

隨著應(yīng)用場景的復(fù)雜化，對封裝的散熱性能、可靠性、模塊化及小型化提出了更高要求，封裝創(chuàng)新成為關(guān)鍵。

王越結(jié)合瑞能半導(dǎo)體的產(chǎn)品布局與技術(shù)能力，系統(tǒng)介紹了SiC器件如何通過技術(shù)創(chuàng)新，完美適配這些趨勢。他展示了瑞能SiC產(chǎn)品的技術(shù)路線圖與匹配應(yīng)用發(fā)展的產(chǎn)品規(guī)劃，其產(chǎn)品矩陣覆蓋650V-2300V的器件耐壓范圍。同時，他還分享了瑞能半導(dǎo)體在產(chǎn)品性能、產(chǎn)品封裝、功率模塊類產(chǎn)品的全方位布局。

此外，針對火熱的SiC MOS領(lǐng)域，王越展示了瑞能最新的技術(shù)突破方向，包括Trench gate MOS、Suppet junction MOS、3kV -10kV 特高壓產(chǎn)品、8inch 晶圓產(chǎn)品。這些層出不窮的技術(shù)迭代，充分彰顯了瑞能半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域的技術(shù)前瞻性與行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。

作為全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)，瑞能半導(dǎo)體堅持以技術(shù)創(chuàng)新為核心驅(qū)動力，專注于高性能、高可靠性功率器件的研發(fā)與生產(chǎn)，廣泛應(yīng)用于消費電子、工業(yè)控制、汽車電子及可再生能源等多個核心領(lǐng)域。

面向全球能源轉(zhuǎn)型浪潮，瑞能半導(dǎo)體持續(xù)加大SiC等寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)投入，不斷優(yōu)化產(chǎn)品性能與成本競爭力，以更高效、更可靠的功率器件產(chǎn)品，賦能光伏、儲能、新能源交通、綠色數(shù)據(jù)中心等關(guān)鍵領(lǐng)域，助力全球綠色能源生態(tài)高質(zhì)量發(fā)展。