在半導(dǎo)體行業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門正全力沖刺，計(jì)劃在2030年前推出1nm工藝，這一技術(shù)被譽(yù)為“夢(mèng)想半導(dǎo)體”工藝，每個(gè)計(jì)算單元大小僅相當(dāng)于五個(gè)原子。此舉目標(biāo)明確，直指與臺(tái)積電展開全面技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，鞏固自身在下一代半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。

1nm工藝不僅實(shí)現(xiàn)元件小型化，還將引入“fork sheet”（叉片）新結(jié)構(gòu)。此前2nm工藝采用環(huán)柵（GAA）技術(shù)，通過(guò)將電流路徑從三邊擴(kuò)展到四邊提升功率效率。而“fork sheet”技術(shù)通過(guò)在GAA元件間構(gòu)建電絕緣壁，最大限度縮短元件距離，使相同芯片面積內(nèi)可放置更多元件。目前占據(jù)市場(chǎng)主導(dǎo)地位的臺(tái)積電也計(jì)劃在2030年后將該技術(shù)引入1nm工藝，三星此舉已做好與之同等競(jìng)爭(zhēng)的準(zhǔn)備。

自2019年發(fā)布“2030年成為系統(tǒng)半導(dǎo)體第一”愿景以來(lái)，三星電子在先進(jìn)工藝上不斷追趕臺(tái)積電。2019年率先推出7nm極紫外（EUV）光刻工藝，2022年又在3nm工藝中率先采用GAA元件。如今，三星在2nm技術(shù)上持續(xù)發(fā)力，開發(fā)“SF2T”定制工藝用于特斯拉2nm AI芯片量產(chǎn)，該芯片2027年起在三星泰勒新晶圓代工廠投產(chǎn)；還加速開發(fā)“SF2P”工藝用于新型智能手機(jī)應(yīng)用處理器生產(chǎn)，“SF2P+”工藝也將于明年投入運(yùn)營(yíng)。

據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)人士透露，三星2nm工藝的良率已超過(guò)60%，生產(chǎn)效率持續(xù)攀升，市場(chǎng)對(duì)今年實(shí)現(xiàn)盈利的預(yù)期正逐步走高。從2nm的穩(wěn)步推進(jìn)到1nm的雄心勃勃，三星正以技術(shù)實(shí)力為籌碼，在下一代半導(dǎo)體市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中奮力縮小與臺(tái)積電的差距。

審核編輯 黃宇