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ON Semiconductor ATP401 N-Channel Power MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合

lhl545545 ? 2026-04-02 09:20 ? 次閱讀
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ON Semiconductor ATP401 N-Channel Power MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合

在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電源管理電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天,我們來深入了解ON Semiconductor推出的ATP401 N-Channel Power MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)。

文件下載:ENA2167-D.PDF

產(chǎn)品概述

ATP401是一款60V、100A的N-Channel Power MOSFET,采用ATPAK封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、高輸入電容等特點(diǎn),并且符合無鹵要求,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

在4.5V驅(qū)動(dòng)下,典型導(dǎo)通電阻RDS(on)低至2.8mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,MOSFET的功率損耗較小,能夠有效提高電路的效率。低導(dǎo)通電阻還可以降低發(fā)熱,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。

高輸入電容

輸入電容Ciss典型值為17000pF,這使得MOSFET在開關(guān)過程中能夠快速響應(yīng),減少開關(guān)時(shí)間,提高開關(guān)頻率,從而滿足一些對(duì)速度要求較高的應(yīng)用。

無鹵合規(guī)

ATP401符合無鹵要求,這對(duì)于環(huán)保和一些對(duì)材料有特殊要求的應(yīng)用來說非常重要。

規(guī)格參數(shù)

絕對(duì)最大額定值

參數(shù) 符號(hào) 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDSS - 60 V
柵源電壓 VGSS - ±20 V
漏極直流電流 ID - 100 A
漏極脈沖電流 IDP PW≤10μs,占空比≤1% 400 A
允許功耗 PD Tc = 25°C 90 W
通道溫度 Tch - 150 °C
存儲(chǔ)溫度 Tstg - -55 to +150 °C
雪崩能量(單脈沖) EAS VDD = 36V,L = 100μH,IAV = 70A 549 mJ
雪崩電流 IAV Ls = 100μH,單脈沖 70 A

需要注意的是,超過最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件,而且最大額定值僅為應(yīng)力額定值,不意味著在推薦工作條件以上仍能正常工作。

電氣特性

參數(shù) 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 V(BR)DSS ID = 1mA,VGS = 0V 60 - - V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS = 60V,VGS = 0V - - 10 μA
柵源泄漏電流 IGSS VGS = ±16V,VDS = 0V - - ±10 μA
截止電壓 VGS(off) VDS = 10V,ID = 1mA 1.2 - 2.6 V
正向傳輸導(dǎo)納 yfs VDS = 10V,ID = 50A - 90 - S
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 RDS(on)1 ID = 50A,VGS = 10V - 2.8 3.7
RDS(on)2 ID = 50A,VGS = 4.5V - 3.7 5.2
輸入電容 Ciss VDS = 20V,f = 1MHz - 17000 - pF
輸出電容 Coss - - - 1000 pF
反向傳輸電容 Crss - - - 770 pF
導(dǎo)通延遲時(shí)間 td(on) 見Fig.2 - 110 - ns
上升時(shí)間 tr - - 580 - ns
關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) - - 840 - ns
下降時(shí)間 tf - - 710 - ns
總柵極電荷 Qg VDS = 36V,VGS = 10V,ID = 100A - 300 - nC
柵源電荷 Qgs - - 60 - nC
柵漏“米勒”電荷 Qgd - - 60 - nC
二極管正向電壓 VSD IS = 100A,VGS = 0V - 0.9 1.2 V

這些電氣特性為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。例如,導(dǎo)通電阻決定了功率損耗,開關(guān)時(shí)間影響著開關(guān)頻率和效率等。

封裝與尺寸

ATP401采用ATPAK封裝,其尺寸(典型值)如下:

1.5 0.4
ATP401-TL-H
6.5
0.5
7.3
9.5
0.5
0.8
0.6
2.3
0.4
6.05
4.6

封裝的尺寸對(duì)于電路板的布局和設(shè)計(jì)非常重要,工程師需要根據(jù)實(shí)際情況合理安排元件的位置。

訂購(gòu)信息

器件 封裝 包裝 備注
ATP401 - TL - H ATPAK 3,000pcs./reel 無鉛無鹵

使用注意事項(xiàng)

由于ATP401是MOSFET產(chǎn)品,使用時(shí)應(yīng)避免在高電荷物體附近使用,以免受到靜電等影響而損壞器件。

此外,ON Semiconductor不保證其產(chǎn)品適用于所有特定用途,所有工作參數(shù)都需要客戶的技術(shù)專家針對(duì)每個(gè)應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。同時(shí),該產(chǎn)品不適合用于一些對(duì)安全要求極高的應(yīng)用,如手術(shù)植入、維持生命等應(yīng)用。

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師們是否遇到過類似MOSFET因靜電等問題損壞的情況呢?又采取了哪些有效的防護(hù)措施呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

通過對(duì)ATP401的詳細(xì)了解,我們可以看到它在性能和可靠性方面都有出色的表現(xiàn)。它的低導(dǎo)通電阻和高輸入電容等特性使其在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。希望本文能為電子工程師們?cè)谶x擇和使用功率MOSFET時(shí)提供一些有價(jià)值的參考。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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