ON Semiconductor ATP401 N-Channel Power MOSFET:高性能與可靠性的完美結(jié)合
在電子工程領(lǐng)域,功率MOSFET是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。今天,我們來深入了解ON Semiconductor推出的ATP401 N-Channel Power MOSFET,看看它有哪些獨(dú)特的性能和優(yōu)勢(shì)。
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產(chǎn)品概述
ATP401是一款60V、100A的N-Channel Power MOSFET,采用ATPAK封裝。它具有低導(dǎo)通電阻、高輸入電容等特點(diǎn),并且符合無鹵要求,適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。
產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電阻
在4.5V驅(qū)動(dòng)下,典型導(dǎo)通電阻RDS(on)低至2.8mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,MOSFET的功率損耗較小,能夠有效提高電路的效率。低導(dǎo)通電阻還可以降低發(fā)熱,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
高輸入電容
輸入電容Ciss典型值為17000pF,這使得MOSFET在開關(guān)過程中能夠快速響應(yīng),減少開關(guān)時(shí)間,提高開關(guān)頻率,從而滿足一些對(duì)速度要求較高的應(yīng)用。
無鹵合規(guī)
ATP401符合無鹵要求,這對(duì)于環(huán)保和一些對(duì)材料有特殊要求的應(yīng)用來說非常重要。
規(guī)格參數(shù)
絕對(duì)最大額定值
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | - | 60 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | - | ±20 | V |
| 漏極直流電流 | ID | - | 100 | A |
| 漏極脈沖電流 | IDP | PW≤10μs,占空比≤1% | 400 | A |
| 允許功耗 | PD | Tc = 25°C | 90 | W |
| 通道溫度 | Tch | - | 150 | °C |
| 存儲(chǔ)溫度 | Tstg | - | -55 to +150 | °C |
| 雪崩能量(單脈沖) | EAS | VDD = 36V,L = 100μH,IAV = 70A | 549 | mJ |
| 雪崩電流 | IAV | Ls = 100μH,單脈沖 | 70 | A |
需要注意的是,超過最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件,而且最大額定值僅為應(yīng)力額定值,不意味著在推薦工作條件以上仍能正常工作。
電氣特性
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | ID = 1mA,VGS = 0V | 60 | - | - | V |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS = 60V,VGS = 0V | - | - | 10 | μA |
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VGS = ±16V,VDS = 0V | - | - | ±10 | μA |
| 截止電壓 | VGS(off) | VDS = 10V,ID = 1mA | 1.2 | - | 2.6 | V |
| 正向傳輸導(dǎo)納 | yfs | VDS = 10V,ID = 50A | - | 90 | - | S |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on)1 | ID = 50A,VGS = 10V | - | 2.8 | 3.7 | mΩ |
| RDS(on)2 | ID = 50A,VGS = 4.5V | - | 3.7 | 5.2 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS = 20V,f = 1MHz | - | 17000 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | - | - | 1000 | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | - | - | 770 | pF |
| 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | td(on) | 見Fig.2 | - | 110 | - | ns |
| 上升時(shí)間 | tr | - | - | 580 | - | ns |
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | - | - | 840 | - | ns |
| 下降時(shí)間 | tf | - | - | 710 | - | ns |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS = 36V,VGS = 10V,ID = 100A | - | 300 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | - | 60 | - | nC |
| 柵漏“米勒”電荷 | Qgd | - | - | 60 | - | nC |
| 二極管正向電壓 | VSD | IS = 100A,VGS = 0V | - | 0.9 | 1.2 | V |
這些電氣特性為工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)提供了重要的參考依據(jù)。例如,導(dǎo)通電阻決定了功率損耗,開關(guān)時(shí)間影響著開關(guān)頻率和效率等。
封裝與尺寸
ATP401采用ATPAK封裝,其尺寸(典型值)如下:
1.5 0.4
ATP401-TL-H
6.5
0.5
7.3
9.5
0.5
0.8
0.6
2.3
0.4
6.05
4.6
封裝的尺寸對(duì)于電路板的布局和設(shè)計(jì)非常重要,工程師需要根據(jù)實(shí)際情況合理安排元件的位置。
訂購(gòu)信息
| 器件 | 封裝 | 包裝 | 備注 |
|---|---|---|---|
| ATP401 - TL - H | ATPAK | 3,000pcs./reel | 無鉛無鹵 |
使用注意事項(xiàng)
由于ATP401是MOSFET產(chǎn)品,使用時(shí)應(yīng)避免在高電荷物體附近使用,以免受到靜電等影響而損壞器件。
此外,ON Semiconductor不保證其產(chǎn)品適用于所有特定用途,所有工作參數(shù)都需要客戶的技術(shù)專家針對(duì)每個(gè)應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。同時(shí),該產(chǎn)品不適合用于一些對(duì)安全要求極高的應(yīng)用,如手術(shù)植入、維持生命等應(yīng)用。
在實(shí)際設(shè)計(jì)中,工程師們是否遇到過類似MOSFET因靜電等問題損壞的情況呢?又采取了哪些有效的防護(hù)措施呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。
通過對(duì)ATP401的詳細(xì)了解,我們可以看到它在性能和可靠性方面都有出色的表現(xiàn)。它的低導(dǎo)通電阻和高輸入電容等特性使其在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。希望本文能為電子工程師們?cè)谶x擇和使用功率MOSFET時(shí)提供一些有價(jià)值的參考。
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