ON Semiconductor ATP213 N-Channel Power MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量
引言
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。ON Semiconductor 的 ATP213 N - Channel Power MOSFET 以其出色的性能和特性,成為眾多工程師的選擇。本文將詳細(xì)介紹 ATP213 的特點(diǎn)、規(guī)格參數(shù)以及使用注意事項(xiàng)。
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產(chǎn)品概述
ATP213 是一款 60V、50A、16mΩ 的單通道 N - Channel Power MOSFET,采用 ATPAK 封裝。該產(chǎn)品由 ON Semiconductor 生產(chǎn),其官方網(wǎng)站為 http://onsemi.com 。
產(chǎn)品特性
低導(dǎo)通電阻
- 4V 驅(qū)動(dòng):支持 4V 驅(qū)動(dòng),在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下就能實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)通性能,有助于降低驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)復(fù)雜度和功耗。
- 無(wú)鹵合規(guī):符合無(wú)鹵標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要求,適用于對(duì)環(huán)保有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
大電流能力
- 超薄封裝:采用 Slim 封裝,在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)大電流的承載能力,同時(shí)節(jié)省電路板空間。
- 內(nèi)置保護(hù)二極管:內(nèi)部集成保護(hù)二極管,可有效防止反向電壓對(duì) MOSFET 造成損壞,提高了電路的可靠性。
規(guī)格參數(shù)
絕對(duì)最大額定值(Ta = 25°C)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 額定值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | VDSS | - | 60 | V |
| 柵源電壓 | VGSS | - | +20 | V |
| 漏極電流(直流) | ID | - | 50 | A |
| 漏極電流(脈沖 10us) | IDP | PW 10us,占空比 1% | 150 | A |
| 允許功耗 | PD | Tc = 25°C | 50 | W |
| 通道溫度 | Tch | - | 150 | °C |
| 存儲(chǔ)溫度 | Tstg | - | -55 至 +150 | °C |
| 雪崩能量(單脈沖) | EAS | - | 37 | mJ |
| 雪崩電流 | IAV | - | 25 | A |
需要注意的是,超過(guò)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件,最大額定值僅為應(yīng)力額定值,在推薦工作條件以上的功能操作并不意味著器件可以正常工作。長(zhǎng)時(shí)間暴露在超過(guò)推薦工作條件的應(yīng)力下可能會(huì)影響器件的可靠性。
電氣特性(Ta = 25°C)
| 參數(shù) | 符號(hào) | 條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏源擊穿電壓 | V(BR)DSS | ID = 1mA,VGS = 0V | 60 | - | - | V |
| 零柵壓漏極電流 | IDSS | VDS = 60V,VGS = 0V | - | - | 1 | μA |
| 柵源泄漏電流 | IGSS | VGS = 16V,VDS = 0V | - | - | ±10 | μA |
| 截止電壓 | VGS(off) | VDS = 10V,ID = 1mA | 1.2 | - | 2.6 | V |
| 正向傳輸導(dǎo)納 | yfs | VDS = 10V,ID = 25A | - | 55 | - | S |
| 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 | RDS(on)1 | ID = 25A,VGS = 10V | - | 12 | 16 | mΩ |
| RDS(on)2 | ID = 13A,VGS = 4.5V | - | 15 | 21 | mΩ | |
| RDS(on)3 | ID = 7A,VGS = 4V | - | 17 | 26 | mΩ | |
| 輸入電容 | Ciss | VDS = 20V,f = 1MHz | - | 3150 | - | pF |
| 輸出電容 | Coss | - | - | 310 | - | pF |
| 反向傳輸電容 | Crss | - | - | 190 | - | pF |
| 導(dǎo)通延遲時(shí)間 | td(on) | 見(jiàn)指定測(cè)試電路 | - | 23 | - | ns |
| 上升時(shí)間 | tr | - | 170 | - | ns | |
| 關(guān)斷延遲時(shí)間 | td(off) | - | 230 | - | ns | |
| 下降時(shí)間 | tf | - | 150 | - | ns | |
| 總柵極電荷 | Qg | VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 50A | - | 58 | - | nC |
| 柵源電荷 | Qgs | - | 10.5 | - | nC | |
| 柵漏“米勒”電荷 | Qgd | - | 12.5 | - | nC | |
| 二極管正向電壓 | VSD | IS = 50A,VGS = 0V | - | 1.01 | 1.2 | V |
封裝與包裝信息
封裝
采用 ATPAK 封裝,符合 JEITA、JEDEC 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
包裝
- 最小包裝數(shù)量為 3000 件/卷,型號(hào)為 ATP213 - TL - H,包裝類(lèi)型為 TL。
- 包裝格式(TL):包含載帶、內(nèi)盒和外盒。內(nèi)盒尺寸為 340x340x28mm(外部),可容納 5 卷;外盒尺寸為 355×355×165mm(外部),可容納多個(gè)內(nèi)盒。
- 引腳無(wú)鉛處理,表面處理為無(wú)鉛工藝。
使用注意事項(xiàng)
由于 ATP213 是 MOSFET 產(chǎn)品,在使用時(shí)應(yīng)避免將該器件放置在高電荷物體附近,以免靜電對(duì)器件造成損壞。
知識(shí)產(chǎn)權(quán)與免責(zé)聲明
ON Semiconductor 和 ON 標(biāo)志是 Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) 的注冊(cè)商標(biāo)。SCILLC 擁有多項(xiàng)專(zhuān)利、商標(biāo)、版權(quán)、商業(yè)秘密和其他知識(shí)產(chǎn)權(quán)。SCILLC 保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改而無(wú)需另行通知的權(quán)利,并且不對(duì)產(chǎn)品在特定用途中的適用性作出任何保證,也不承擔(dān)因產(chǎn)品或電路的應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任。所有操作參數(shù),包括“典型值”,都必須由客戶(hù)的技術(shù)專(zhuān)家針對(duì)每個(gè)客戶(hù)應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。SCILLC 的產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于外科植入人體的系統(tǒng)、支持或維持生命的其他應(yīng)用,或任何因 SCILLC 產(chǎn)品故障可能導(dǎo)致人身傷害或死亡的應(yīng)用。
總結(jié)
ATP213 N - Channel Power MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、大電流能力和良好的封裝特性,在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)充分考慮其規(guī)格參數(shù)和使用注意事項(xiàng),以確保電路的可靠性和性能。你在使用這款 MOSFET 時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
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