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ON Semiconductor ATP213 N-Channel Power MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

lhl545545 ? 2026-04-02 09:20 ? 次閱讀
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ON Semiconductor ATP213 N-Channel Power MOSFET:特性、參數(shù)與應(yīng)用考量

引言

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率 MOSFET 是至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電源管理電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路中。ON Semiconductor 的 ATP213 N - Channel Power MOSFET 以其出色的性能和特性,成為眾多工程師的選擇。本文將詳細(xì)介紹 ATP213 的特點(diǎn)、規(guī)格參數(shù)以及使用注意事項(xiàng)。

文件下載:ATP213-D.PDF

產(chǎn)品概述

ATP213 是一款 60V、50A、16mΩ 的單通道 N - Channel Power MOSFET,采用 ATPAK 封裝。該產(chǎn)品由 ON Semiconductor 生產(chǎn),其官方網(wǎng)站為 http://onsemi.com 。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

  • 4V 驅(qū)動(dòng):支持 4V 驅(qū)動(dòng),在較低的驅(qū)動(dòng)電壓下就能實(shí)現(xiàn)良好的導(dǎo)通性能,有助于降低驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)復(fù)雜度和功耗。
  • 無(wú)鹵合規(guī):符合無(wú)鹵標(biāo)準(zhǔn),滿(mǎn)足環(huán)保要求,適用于對(duì)環(huán)保有嚴(yán)格要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

大電流能力

  • 超薄封裝:采用 Slim 封裝,在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)大電流的承載能力,同時(shí)節(jié)省電路板空間。
  • 內(nèi)置保護(hù)二極管:內(nèi)部集成保護(hù)二極管,可有效防止反向電壓對(duì) MOSFET 造成損壞,提高了電路的可靠性。

規(guī)格參數(shù)

絕對(duì)最大額定值(Ta = 25°C)

參數(shù) 符號(hào) 條件 額定值 單位
漏源電壓 VDSS - 60 V
柵源電壓 VGSS - +20 V
漏極電流(直流) ID - 50 A
漏極電流(脈沖 10us) IDP PW 10us,占空比 1% 150 A
允許功耗 PD Tc = 25°C 50 W
通道溫度 Tch - 150 °C
存儲(chǔ)溫度 Tstg - -55 至 +150 °C
雪崩能量(單脈沖) EAS - 37 mJ
雪崩電流 IAV - 25 A

需要注意的是,超過(guò)最大額定值的應(yīng)力可能會(huì)損壞器件,最大額定值僅為應(yīng)力額定值,在推薦工作條件以上的功能操作并不意味著器件可以正常工作。長(zhǎng)時(shí)間暴露在超過(guò)推薦工作條件的應(yīng)力下可能會(huì)影響器件的可靠性。

電氣特性(Ta = 25°C)

參數(shù) 符號(hào) 條件 最小值 典型值 最大值 單位
漏源擊穿電壓 V(BR)DSS ID = 1mA,VGS = 0V 60 - - V
零柵壓漏極電流 IDSS VDS = 60V,VGS = 0V - - 1 μA
柵源泄漏電流 IGSS VGS = 16V,VDS = 0V - - ±10 μA
截止電壓 VGS(off) VDS = 10V,ID = 1mA 1.2 - 2.6 V
正向傳輸導(dǎo)納 yfs VDS = 10V,ID = 25A - 55 - S
靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 RDS(on)1 ID = 25A,VGS = 10V - 12 16
RDS(on)2 ID = 13A,VGS = 4.5V - 15 21
RDS(on)3 ID = 7A,VGS = 4V - 17 26
輸入電容 Ciss VDS = 20V,f = 1MHz - 3150 - pF
輸出電容 Coss - - 310 - pF
反向傳輸電容 Crss - - 190 - pF
導(dǎo)通延遲時(shí)間 td(on) 見(jiàn)指定測(cè)試電路 - 23 - ns
上升時(shí)間 tr - 170 - ns
關(guān)斷延遲時(shí)間 td(off) - 230 - ns
下降時(shí)間 tf - 150 - ns
總柵極電荷 Qg VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 50A - 58 - nC
柵源電荷 Qgs - 10.5 - nC
柵漏“米勒”電荷 Qgd - 12.5 - nC
二極管正向電壓 VSD IS = 50A,VGS = 0V - 1.01 1.2 V

封裝與包裝信息

封裝

采用 ATPAK 封裝,符合 JEITA、JEDEC 相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。

包裝

  • 最小包裝數(shù)量為 3000 件/卷,型號(hào)為 ATP213 - TL - H,包裝類(lèi)型為 TL。
  • 包裝格式(TL):包含載帶、內(nèi)盒和外盒。內(nèi)盒尺寸為 340x340x28mm(外部),可容納 5 卷;外盒尺寸為 355×355×165mm(外部),可容納多個(gè)內(nèi)盒。
  • 引腳無(wú)鉛處理,表面處理為無(wú)鉛工藝。

使用注意事項(xiàng)

由于 ATP213 是 MOSFET 產(chǎn)品,在使用時(shí)應(yīng)避免將該器件放置在高電荷物體附近,以免靜電對(duì)器件造成損壞。

知識(shí)產(chǎn)權(quán)與免責(zé)聲明

ON Semiconductor 和 ON 標(biāo)志是 Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC) 的注冊(cè)商標(biāo)。SCILLC 擁有多項(xiàng)專(zhuān)利、商標(biāo)、版權(quán)、商業(yè)秘密和其他知識(shí)產(chǎn)權(quán)。SCILLC 保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改而無(wú)需另行通知的權(quán)利,并且不對(duì)產(chǎn)品在特定用途中的適用性作出任何保證,也不承擔(dān)因產(chǎn)品或電路的應(yīng)用或使用而產(chǎn)生的任何責(zé)任。所有操作參數(shù),包括“典型值”,都必須由客戶(hù)的技術(shù)專(zhuān)家針對(duì)每個(gè)客戶(hù)應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。SCILLC 的產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于外科植入人體的系統(tǒng)、支持或維持生命的其他應(yīng)用,或任何因 SCILLC 產(chǎn)品故障可能導(dǎo)致人身傷害或死亡的應(yīng)用。

總結(jié)

ATP213 N - Channel Power MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、大電流能力和良好的封裝特性,在電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí),應(yīng)充分考慮其規(guī)格參數(shù)和使用注意事項(xiàng),以確保電路的可靠性和性能。你在使用這款 MOSFET 時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀(guān)點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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