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東芯半導(dǎo)體榮膺2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度存儲(chǔ)器

東芯半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:東芯半導(dǎo)體 ? 2026-04-02 09:33 ? 次閱讀
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2026 年 3 月 31 日,由 Aspencore 主辦的2026 國(guó)際集成電路展覽會(huì)暨研討會(huì)(IIC SHANGHAI)在上海浦東麗思卡爾頓酒店盛大開(kāi)幕。展會(huì)聚焦AI 芯片、汽車(chē)電子、工業(yè)控制、通信系統(tǒng)、綠色能源等關(guān)鍵應(yīng)用場(chǎng)景,匯聚全球IC 設(shè)計(jì)、EDA 工具、IP 授權(quán)、先進(jìn)封裝等領(lǐng)域的頂尖企業(yè)與專(zhuān)家,打造貫通芯片設(shè)計(jì)制造、能源技術(shù)革新、產(chǎn)品商業(yè)化落地的超級(jí)產(chǎn)業(yè)連接器。

東芯半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的 Fabless 存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)很榮幸攜最新技術(shù)成果與戰(zhàn)略布局重磅亮相活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)。

01年度存儲(chǔ)器

3月31日晚, 很榮幸我們的55nm 1.8V 512Mb SPI NOR Flash(DS25M4CB-16A1B8)產(chǎn)品在2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上榮膺“2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度存儲(chǔ)器”,并進(jìn)入由ASPENCORE發(fā)布的《China Fabless 100》榜單- -Top 10存儲(chǔ)器公司榜單之中。

該款產(chǎn)品在性能上,采用1.8V供電,功耗更低,適合電池供電及對(duì)功耗敏感的可穿戴、移動(dòng)終端等應(yīng)用。工作溫度為-40°C~125°C,覆蓋工業(yè)級(jí)乃至車(chē)規(guī)級(jí)溫度范圍。

02IC領(lǐng)袖峰會(huì)

3.31 上午,東芯半導(dǎo)體副總經(jīng)理潘惠忠以《向內(nèi)深耕,向外探索:構(gòu)建自主可控的存儲(chǔ)生態(tài)共同體》為題,分為三個(gè)板塊,與在場(chǎng)聽(tīng)眾展示了東芯半導(dǎo)體在中小容量 NAND/NOR/DRAM 領(lǐng)域的深厚積累及未來(lái)布局。

現(xiàn)場(chǎng)讓我們簡(jiǎn)單來(lái)回顧一下!

01市場(chǎng)洞察:存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)

演講伊始,潘惠忠先生深入分析了全球及中國(guó)存儲(chǔ)市場(chǎng)的強(qiáng)勁態(tài)勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示,隨著全球數(shù)據(jù)量的爆炸式增長(zhǎng),包含 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存的整體存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)在 2026 年有望實(shí)現(xiàn)5500 億美元左右的產(chǎn)值,同比增幅高達(dá) 134%。

在中國(guó)市場(chǎng),半導(dǎo)體存儲(chǔ)器規(guī)模逐年攀升,2025年達(dá)到4580 億元左右。這一增長(zhǎng)主要得益于消費(fèi)電子、智能汽車(chē)和網(wǎng)通電子等的多元化需求。特別是嵌入式存儲(chǔ),占據(jù)了全球存儲(chǔ)器主要產(chǎn)品類(lèi)別的 42.7%,成為市場(chǎng)增長(zhǎng)的壓艙石。東芯半導(dǎo)體指出,在 AI 大模型落地與自動(dòng)駕駛升級(jí)的雙重驅(qū)動(dòng)下,高性能、高可靠性的存儲(chǔ)芯片將成為關(guān)鍵技術(shù)支柱。

02向內(nèi)深耕:六大產(chǎn)品線構(gòu)筑核心壁壘

作為擁有獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的 Fabless 企業(yè),東芯半導(dǎo)體堅(jiān)持“技術(shù)驅(qū)動(dòng)發(fā)展”,目前已構(gòu)建起完善的六大產(chǎn)品結(jié)構(gòu),涵蓋 SPI NAND Flash、PPI NAND Flash、SPI NOR Flash、DDR3(L)、LPDDR1/2/4X 以及 MCP。

?先進(jìn)制程:東芯的1xnm NAND Flash和48nm NOR Flash均為我國(guó)領(lǐng)先的閃存芯片工藝制程。

?低功耗設(shè)計(jì):DRAM產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)低工作電壓,適配移動(dòng)及穿戴設(shè)備。

?高可靠性:針對(duì)工業(yè)及車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用,公司部分產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn)-40°C~105°C/125°C寬溫。

公司建立了“研發(fā) - 轉(zhuǎn)化 - 創(chuàng)新”的技術(shù)發(fā)展循環(huán),打造了具有“本土深度、全球廣度”的供應(yīng)鏈體系,實(shí)現(xiàn)了從設(shè)計(jì)到產(chǎn)業(yè)化的一站式解決方案。

03向外探索:優(yōu)化布局,共建技術(shù)生態(tài)

公司持續(xù)布局網(wǎng)絡(luò)通信、監(jiān)控安防、消費(fèi)電子、工業(yè)控制等關(guān)鍵應(yīng)用,并逐步向汽車(chē)電子領(lǐng)域不斷拓展,立足頭部客戶(hù)并不斷開(kāi)拓新的客戶(hù)。

本次演講中的一大亮點(diǎn)是東芯半導(dǎo)體在汽車(chē)電子領(lǐng)域的加速優(yōu)化。公司正從工業(yè)級(jí)向車(chē)規(guī)級(jí)不斷升級(jí),SLC NAND Flash以及NOR Flash 等產(chǎn)品陸續(xù)通過(guò)AEC-Q100 1/2驗(yàn)證,適用于 -40°C~105°C/125°C 的嚴(yán)苛環(huán)境。

目前,東芯半導(dǎo)體已完成國(guó)內(nèi)多家整車(chē)廠的白名單導(dǎo)入,產(chǎn)品已應(yīng)用于通信與遠(yuǎn)程控制、座艙域控、ADAS已經(jīng)車(chē)身等關(guān)鍵場(chǎng)景,并在多款車(chē)型中實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

同時(shí),圍繞“存儲(chǔ)”核心業(yè)務(wù),東芯半導(dǎo)體積極構(gòu)建“存、算、聯(lián)”技術(shù)生態(tài)。通過(guò)設(shè)立子公司上海億芯通感,持續(xù)推進(jìn) Wi-Fi 7 無(wú)線通信芯片研發(fā)。以及對(duì)外投資礪算科技,該公司致力于研發(fā)多層次(可擴(kuò)展)圖形渲染GPU芯片,其首款自研 GPU 芯片"7G100"已于 2025 年流片成功。

這一布局致力于為客戶(hù)提供了從存儲(chǔ)、計(jì)算到連接的更多樣化的芯片解決方案,助力人工智能、萬(wàn)物互聯(lián)時(shí)代的產(chǎn)業(yè)升級(jí)。

東芯,為日益發(fā)展的存儲(chǔ)需求提供高效可靠的解決方案!

關(guān)于東芯

東芯半導(dǎo)體以卓越的MEMORY設(shè)計(jì)技術(shù),專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)實(shí)力,通過(guò)國(guó)內(nèi)外技術(shù)引進(jìn)和合作,致力打造成為中國(guó)本土優(yōu)秀的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:向內(nèi)深耕,向外探索:東芯半導(dǎo)體榮膺“2026中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度存儲(chǔ)器”!

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