onsemi NVMJD020N08HL雙N溝道MOSFET深度解析

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET作為關(guān)鍵的功率開(kāi)關(guān)器件，其性能和特性對(duì)于電路的穩(wěn)定性和效率起著至關(guān)重要的作用。今天我們就來(lái)深入了解一下onsemi的NVMJD020N08HL雙N溝道MOSFET。

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產(chǎn)品概述

NVMJD020N08HL是一款80V、19.5mΩ、30A的雙N溝道功率MOSFET。它采用了LFPAK8封裝，具有小尺寸（5x6 mm）的特點(diǎn)，非常適合緊湊型設(shè)計(jì)。該器件具備低導(dǎo)通電阻（(R{DS(on)})）和低柵極電荷（(Q{G})）及電容，能有效降低導(dǎo)通損耗和驅(qū)動(dòng)損耗。此外，它還通過(guò)了AEC - Q101認(rèn)證，符合PPAP要求，并且是無(wú)鉛產(chǎn)品，滿(mǎn)足RoHS標(biāo)準(zhǔn)。

關(guān)鍵參數(shù)

最大額定值

熱阻參數(shù)

注：整個(gè)應(yīng)用環(huán)境會(huì)影響熱阻值，這些值不是常數(shù)，僅在特定條件下有效；表面貼裝在FR4板上，使用(650mm^{2})、2 oz.的銅焊盤(pán)；脈沖長(zhǎng)達(dá)1秒的最大電流更高，但取決于脈沖持續(xù)時(shí)間和占空比。

電氣特性

關(guān)斷特性

• 漏源擊穿電壓：(V{(BR)DSS})在(V{GS}=0V)，(I_{D}=250mu A)時(shí)為80V，溫度系數(shù)為57mV/(^{circ}C)。
• 零柵壓漏極電流：(I{DSS})在(V{GS}=0V)，(V{DS}=80V)，(T{J}=25^{circ}C)時(shí)為10nA，(T_{J}=125^{circ}C)時(shí)為100nA。
• 柵源泄漏電流：(I{GSS})在(V{DS}=0V)，(V_{GS}=20V)時(shí)給出相關(guān)參數(shù)。

導(dǎo)通特性

• 柵極閾值電壓：(V{GS(TH)})在(V{GS}=V{DS})，(I{D}=30mu A)時(shí)，最小值為1.2V，最大值為2.0V。
• 漏源導(dǎo)通電阻：(R{DS(on)})在(V{GS}=10V)時(shí)，典型值為16.7mΩ，最大值為19.5mΩ；在(V{GS}=4.5V)，(I{D}=15A)時(shí)，典型值為21mΩ，最大值為25mΩ。
• 正向跨導(dǎo)：(g{FS})在(V{DS}=8V)，(I_{D}=15A)時(shí)給出相關(guān)參數(shù)。

電荷、電容和柵極電阻特性

開(kāi)關(guān)特性

在(V{GS}=10V)，(V{DS}=64V)，(I{D}=15A)，(R{G}=1Omega)的條件下：

• 開(kāi)通延遲時(shí)間(t_{d(ON)})為6ns。
• 上升時(shí)間(t_{r})為3ns。
• 關(guān)斷延遲時(shí)間(t_{d(OFF)})為16ns。
• 下降時(shí)間(t_{f})為2ns。

漏源二極管特性

• 正向二極管電壓：(V{SD})在(V{GS}=0V)，(I_{S}=15A)，(T = 25^{circ}C)時(shí)，典型值為0.87V，最大值為1.2V；(T = 125^{circ}C)時(shí)，典型值為0.76V。
• 反向恢復(fù)時(shí)間：(t{RR})在(V{GS}=0V)，(dI{S}/dt = 100A/mu s)，(I{S}=15A)時(shí)為25ns。
• 反向恢復(fù)電荷：(Q_{RR})為18nC。

典型特性曲線

文檔中給出了一系列典型特性曲線，包括導(dǎo)通區(qū)域特性、傳輸特性、導(dǎo)通電阻與柵源電壓和漏極電流的關(guān)系、導(dǎo)通電阻隨溫度的變化、漏源泄漏電流與電壓的關(guān)系、電容變化、柵源與總電荷的關(guān)系、電阻性開(kāi)關(guān)時(shí)間隨柵極電阻的變化、二極管正向電壓與電流的關(guān)系、最大額定正向偏置安全工作區(qū)、峰值電流與雪崩時(shí)間的關(guān)系以及熱響應(yīng)等。這些曲線能幫助工程師更好地了解器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。

訂購(gòu)信息

器件型號(hào)為NVMJD020N08HLTWG，標(biāo)記為020N08HL，采用LFPAK8雙無(wú)鉛封裝，每卷3000個(gè)。

封裝尺寸

LFPAK8封裝尺寸有詳細(xì)規(guī)定，包括各部分的最小、標(biāo)稱(chēng)和最大尺寸，同時(shí)對(duì)尺寸的測(cè)量和公差等也有明確說(shuō)明。

應(yīng)用注意事項(xiàng)

在使用NVMJD020N08HL時(shí)，需要注意以下幾點(diǎn)：

1. 應(yīng)力超過(guò)最大額定值可能會(huì)損壞器件，若超過(guò)這些限制，不能保證器件功能正常，可能會(huì)造成損壞并影響可靠性。
2. 產(chǎn)品的參數(shù)性能是在特定測(cè)試條件下給出的，若在不同條件下工作，產(chǎn)品性能可能與電氣特性不一致。
3. 脈沖測(cè)試條件為脈沖寬度≤300μs，占空比≤2%；開(kāi)關(guān)特性與工作結(jié)溫?zé)o關(guān)。

總之，NVMJD020N08HL雙N溝道MOSFET以其出色的性能和特性，在電子設(shè)計(jì)中具有廣泛的應(yīng)用前景。工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，可以根據(jù)具體需求合理選擇和使用該器件。大家在實(shí)際應(yīng)用中是否遇到過(guò)類(lèi)似MOSFET的使用問(wèn)題呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。