ON Semiconductor NVTYS029N08H MOSFET深度剖析

在電子設計領域，MOSFET是一種常見且關鍵的器件，ON Semiconductor的NVTYS029N08H MOSFET以其獨特的性能和特點，在眾多應用場景中展現(xiàn)出了強大的優(yōu)勢。今天，我們就來深入剖析這款MOSFET的各項特性。

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產品概述

ON Semiconductor現(xiàn)更名為onsemi，NVTYS029N08H是其旗下一款單N溝道功率MOSFET，具備80V耐壓、32.4mΩ導通電阻和21A的最大電流能力。該產品采用3.3 x 3.3 mm的小尺寸封裝，非常適合緊湊型設計，同時滿足AEC - Q101標準且具備PPAP能力，是一款無鉛且符合RoHS標準的環(huán)保型器件。

關鍵參數(shù)與特性

最大額定值

在$T_{J}=25^{circ} C$的條件下，該MOSFET的各項最大額定值如下：	參數(shù)	符號	數(shù)值
漏源電壓	$V_{DSS}$	80	V
柵源電壓	$V_{GS}$	±20	V
連續(xù)漏極電流（$T_{C}=25^{circ}C$）	$I_{D}$	21	A
連續(xù)漏極電流（$T_{C}=100^{circ}C$）	$I_{D}$	15	A
功率耗散（$T_{C}=25^{circ}C$）	$P_{D}$	33	W
功率耗散（$T_{C}=100^{circ}C$）	$P_{D}$	16.5	W
脈沖漏極電流（$T{A}=25^{circ}C$，$t{p}=10mu s$）	$I_{DM}$	81	A
工作結溫和存儲溫度范圍	$T{J}$，$T{stg}$	- 55 to +175	°C
源極電流（體二極管）	$I_{S}$	26	A
單脈沖漏源雪崩能量（$I_{L(pk)} = 1 A$）	$E_{AS}$	27.5	mJ
焊接用引腳溫度（距外殼1/8″，10s）	$T_{L}$	107	°C

需要注意的是，整個應用環(huán)境會影響熱阻數(shù)值，這些數(shù)值并非恒定不變，僅在特定條件下有效。

電氣特性

關斷特性

漏源擊穿電壓：$V{(BR)DSS}$在$V{GS} = 0 V$，$I{D} = 250mu A$時為80V，其溫度系數(shù)$V{(BR)DSS}/T{J}$為60.6mV/°C（$I{D} = 250mu A$，參考$25^{circ}C$）。
零柵壓漏極電流：$I{DSS}$在$V{GS} = 0 V$，$T{J} = 25^{circ}C$，$V{DS} = 80 V$時為10$mu A$；在$T_{J} = 125^{circ}C$時為250$mu A$。
柵源泄漏電流：$I{GSS}$在$V{DS} = 0 V$，$V_{GS} = 20 V$時為100nA。

導通特性

柵極閾值電壓：$V{GS(TH)}$在$V{GS} = V{DS}$，$I{D} = 20mu A$時給出相關參數(shù)。
漏源導通電阻：$R{DS(on)}$在$V{GS}=10 V$，$I_{D}=5 A$時為32.4mΩ。
正向跨導：$g_{Fs}$典型值為22。

電荷與電容特性

參數(shù)	符號	測試條件	最小值	典型值	最大值	單位
輸入電容	$C_{iss}$	$V{Gs} = 0V$，$f = 1.0 MHz$，$V{ps} = 40V$	369	-	-	pF
輸出電容	$C_{oss}$	-	-	57	-	pF
反向傳輸電容	$C_{rss}$	-	-	4	-	pF
閾值柵極電荷	$Q_{G(TH)}$	$V{Gs} = 10V$，$V{ps} = 40 V$，$I_{p} = 10A$	-	1.2	-	nC
柵源電荷	$Q_{GS}$	-	-	1.8	-	nC
柵漏電荷	$Q_{GD}$	-	-	1.6	-	nC
總柵極電荷	$Q_{G(TOT)}$	$V{Gs} = 10V$，$V{ps} = 40 V$，$I_{p} = 10A$	-	6.3	-	nC

開關特性

開關特性與工作結溫無關，例如在$V{GS}=10 V$，$V{DS}=64 V$，$I{D}=10 A$，$R{G}=3 Omega$的條件下，導通延遲時間$t_{d(on)}$和上升時間等參數(shù)也有相應規(guī)定。

漏源二極管特性

正向二極管電壓：$V{SD}$在$V{GS}=0V$，$I{S}=5A$，$T{J}=25^{circ}C$時為0.8 - 1.2V；在$T_{J}=125^{circ}C$時為0.7V。
反向恢復時間：$t{RR}$在$V{GS} = 0 V$，$dI{S}/dt = 100 A/mu s$，$I{S}=10A$時為25ns，其中電荷時間$t{a}$為19ns，放電時間$t$為6ns，反向恢復電荷$Q_{RR}$為18nC。

典型特性曲線分析

導通區(qū)域特性

從圖1的導通區(qū)域特性曲線可以看出，不同柵源電壓下，漏極電流隨漏源電壓的變化情況。這有助于我們了解MOSFET在不同工作條件下的導通性能，工程師可以根據(jù)實際需求選擇合適的柵源電壓來控制漏極電流。

轉移特性

圖2展示了在不同結溫下，漏極電流隨柵源電壓的變化關系。這對于評估MOSFET在不同溫度環(huán)境下的性能非常重要，特別是在一些對溫度敏感的應用中，我們可以根據(jù)這個曲線來預測器件在不同溫度下的工作狀態(tài)。

導通電阻特性

圖3和圖4分別展示了導通電阻與柵源電壓以及漏極電流和柵極電壓的關系。低導通電阻可以有效降低導通損耗，從曲線中我們可以找到使導通電阻最小的工作點，從而優(yōu)化電路設計。圖5則顯示了導通電阻隨溫度的變化情況，這對于考慮溫度影響的設計至關重要。

電容特性

圖7展示了輸入電容、輸出電容和反向傳輸電容隨漏源電壓的變化關系。低電容可以減少驅動損耗，通過分析這個曲線，我們可以更好地選擇合適的驅動電路，以提高電路的效率。

開關時間特性

圖9展示了電阻性開關時間隨柵極電阻的變化情況。這對于設計開關電路非常重要，我們可以根據(jù)這個曲線來選擇合適的柵極電阻，以優(yōu)化開關速度和減少開關損耗。

封裝與訂購信息

該MOSFET采用LFPAK8 3.3x3.3封裝（CASE 760AD），提供了詳細的封裝尺寸信息。訂購信息方面，例如NVTYS029N08HTWG型號，采用3000個/卷帶包裝。

應用與注意事項

NVTYS029N08H MOSFET適用于多種應用場景，如電源管理、電機驅動等。但需要注意的是，該產品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設備或類似分類的醫(yī)療設備以及人體植入設備。在使用過程中，所有操作參數(shù)都需要由客戶的技術專家針對每個客戶應用進行驗證，以確保產品的性能和可靠性。

各位電子工程師們，在實際設計中，你們是否遇到過類似MOSFET參數(shù)選擇和應用的難題呢？歡迎在評論區(qū)分享你們的經驗和見解。

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