電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）近期，三星電子公布了其第一季度初步業(yè)績(jī)報(bào)告，數(shù)據(jù)令人矚目：預(yù)計(jì)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將達(dá)到57.2萬(wàn)億韓元，與去年同期的6.69萬(wàn)億韓元相比，增長(zhǎng)了八倍以上，遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期的40.6萬(wàn)億韓元。同時(shí)，公司預(yù)計(jì)一季度總營(yíng)收將增長(zhǎng)68%，達(dá)到133萬(wàn)億韓元。

這一業(yè)績(jī)的飆升，主要得益于人工智能基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)引發(fā)的芯片供應(yīng)短缺及價(jià)格飆升，而三星電子憑借其在高帶寬內(nèi)存（HBM）領(lǐng)域的突破和傳統(tǒng)內(nèi)存市場(chǎng)的回暖，成功抓住了這一歷史機(jī)遇。

由于生產(chǎn)線集中生產(chǎn)高附加值的HBM芯片，通用DRAM的產(chǎn)量相對(duì)減少，加劇了供應(yīng)緊張。預(yù)計(jì)內(nèi)存短缺將持續(xù)至2027年。根據(jù)最新數(shù)據(jù)，三星在2026年第一季度將DRAM平均價(jià)格上調(diào)了約100%，且已確定第二季度再漲價(jià)30%。SK海力士和美光科技也預(yù)計(jì)將提高HBM4價(jià)格，以應(yīng)對(duì)成本上升和市場(chǎng)需求激增。


三星最新HBM4縮小與SK海力士差距

高帶寬內(nèi)存（HBM）是基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，通過(guò)垂直堆疊多個(gè)DRAM芯片并用硅通孔（TSV）互聯(lián)，帶寬提升、能耗降低。人工智能快速發(fā)展，算力需求大增，HBM成為AI服務(wù)器核心標(biāo)配，解決了傳統(tǒng)存儲(chǔ)帶寬瓶頸問(wèn)題。

目前，三星電子、SK海力士、美光科技主導(dǎo)全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)，三家公司紛紛將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向用于AI加速器的HBM，收緊傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片供應(yīng)，推動(dòng)HBM市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。行業(yè)分析機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)，到2026年，HBM市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)近60%，占DRAM市場(chǎng)近四成份額。

大約一年前，三星因在為英偉達(dá)AI芯片提供關(guān)鍵HBM方面落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，首席執(zhí)行官曾公開(kāi)致歉。不過(guò)，隨著最新HBM4芯片推出，三星正逐步縮小與韓國(guó)對(duì)手SK海力士的差距。

在HBM4開(kāi)發(fā)進(jìn)度上，各公司競(jìng)爭(zhēng)激烈。SK海力士于2025年完成HBM4開(kāi)發(fā)并構(gòu)建量產(chǎn)體系，計(jì)劃年底量產(chǎn)。美光科技在2026年第一季度宣布量產(chǎn)36GB 12層堆疊的HBM4產(chǎn)品，并向客戶(hù)發(fā)送48GB 16層堆疊樣品。三星電子布局早有規(guī)劃，2025年初完成HBM4內(nèi)存邏輯芯片設(shè)計(jì)，10月在SEDEX 2025半導(dǎo)體博覽會(huì)上首次公開(kāi)展示。2026年2月三星宣布大規(guī)模生產(chǎn)HBM4并交付客戶(hù)。

三星HBM4芯片性能卓越。采用第六代10nm級(jí)（1c）DRAM工藝與4nm邏輯制程，數(shù)據(jù)處理速度高達(dá)11.7Gbps（最高可擴(kuò)展至13Gbps），單堆棧帶寬最高達(dá)3.3TB/s，層堆疊容量36GB，未來(lái)16層堆疊可達(dá)48GB。還引入直觸液冷（D2C）等先進(jìn)散熱方案，散熱效率是風(fēng)冷的3倍，有效應(yīng)對(duì)高功耗問(wèn)題。

架構(gòu)優(yōu)化上，三星同步開(kāi)發(fā)混合鍵合（HCB）和TC - NCF（熱壓縮非導(dǎo)電薄膜）兩種鍵合工藝，支持12層及16層堆疊，提升堆疊層數(shù)和性能。同時(shí)，HBM4支持定制化Base Die（邏輯底座），可與LPDDR內(nèi)存直接連接，優(yōu)化成本與延遲。

三星與英偉達(dá)、AMD等科技巨頭達(dá)成合作。英偉達(dá)CEO黃仁勛在GTC開(kāi)發(fā)者大會(huì)宣布與三星建立代工合作關(guān)系并提及HBM4芯片，2026年3月，英偉達(dá)在GTC 2026大會(huì)展示搭載三星HBM4的Vera Rubin平臺(tái)，三星HBM4正式進(jìn)入英偉達(dá)供應(yīng)鏈。三星還與AMD達(dá)成合作，成為其企業(yè)數(shù)據(jù)中心用MI455X加速器主要供應(yīng)商，提供HBM4，還將為相關(guān)系統(tǒng)供應(yīng)DDR5內(nèi)存芯片。

價(jià)格方面，三星計(jì)劃將HBM4定價(jià)高于HBM3E，SK海力士預(yù)計(jì)也將提高HBM4價(jià)格。由于生產(chǎn)線集中生產(chǎn)高附加值HBM芯片，通用DRAM產(chǎn)量減少，供應(yīng)緊張，預(yù)計(jì)內(nèi)存短缺將持續(xù)至2027年。


AI推理帶動(dòng)傳統(tǒng)內(nèi)存需求反彈

隨著AI大模型和AI Agent應(yīng)用廣泛普及，全球算力基礎(chǔ)設(shè)施重心從“訓(xùn)練”轉(zhuǎn)向“推理”。推理服務(wù)器雖無(wú)需極致的HBM，但對(duì)標(biāo)準(zhǔn)DDR5內(nèi)存需求大增，龐大的數(shù)據(jù)吞吐促使服務(wù)器DRAM消耗量同比激增40%至50%。

DDR5與DDR4相比，性能更強(qiáng)、功耗更低，電壓從1.2V降至1.1V，每通道32/40位（ECC）、總線效率提高，還增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以提升性能。三星已采用12納米級(jí)工藝技術(shù)、硅通孔（TSV）和極紫外光刻（EUV）技術(shù)，開(kāi)發(fā)出目前最大的1TB容量DDR5內(nèi)存模組。

DDR5具有高達(dá)7200百萬(wàn)比特/秒（Mbps）的傳輸速度，有效處理對(duì)更大、更復(fù)雜數(shù)據(jù)工作量的需求。與DDR4相比，DDR5的性能提升了一倍多，突發(fā)長(zhǎng)度從8翻倍至16，存儲(chǔ)庫(kù)數(shù)量從16翻倍至32。此外，DDR5還具備自糾錯(cuò)解決方案的強(qiáng)大可靠性，應(yīng)用于DDR5的ODECC（片上糾錯(cuò)碼）技術(shù)幾乎消除了單比特錯(cuò)誤，提高了數(shù)據(jù)可靠性。

三星的12納米級(jí)DDR5 DRAM不僅性能出色，能效也顯著提升。與上一代產(chǎn)品相比，其功耗降低了23%，晶圓生產(chǎn)率提高了20%。這使得DDR5成為全球IT企業(yè)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心節(jié)能減排的優(yōu)秀解決方案。

AI推理不僅僅發(fā)生在云端，現(xiàn)在越來(lái)越多的AI功能被部署在本地設(shè)備（如AI PC、AI手機(jī)）上。為了在本地流暢運(yùn)行大模型，消費(fèi)級(jí)設(shè)備對(duì)內(nèi)存容量和速度提出了更高要求，例如從DDR4加速向DDR5切換，對(duì)LPDDR5X需求增加。這直接拉動(dòng)了三星在消費(fèi)電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)內(nèi)存出貨。

三星電子推出的LPDDR5X是高性能低功耗DRAM產(chǎn)品的代表。該內(nèi)存于2022年3月首次采用14nm工藝制造，傳輸速度較前代提升約1.2倍。2024年7月，其最新版本通過(guò)12nm工藝實(shí)現(xiàn)了10.7Gbps的業(yè)界最高傳輸速率，并在聯(lián)發(fā)科天璣9400平臺(tái)完成驗(yàn)證。

LPDDR5X內(nèi)存已廣泛應(yīng)用于vivo S50、OPPO Find X9 Pro、榮耀WIN系列、iQOO Z11 Turbo、realme真我Neo8以及榮耀Magic8 RSR保時(shí)捷設(shè)計(jì)等智能手機(jī)，最高提供24GB容量。此外，三星發(fā)布的Exynos 2600芯片也支持LPDDR5X內(nèi)存。蘋(píng)果公司選定三星作為其iPhone 17及未來(lái)iPhone 18機(jī)型LPDDR5X內(nèi)存芯片的供應(yīng)商。

在PC領(lǐng)域，LPDDR5X內(nèi)存同樣表現(xiàn)出色。英特爾發(fā)布的酷睿Ultra 3系列Panther Lake處理器和高通技術(shù)公司發(fā)布的驍龍X2 Plus平臺(tái)均支持LPDDR5X內(nèi)存。三星通過(guò)動(dòng)態(tài)電壓頻率調(diào)節(jié)技術(shù)優(yōu)化功耗，并推出厚度僅0.65毫米的超薄封裝版本，滿(mǎn)足端側(cè)AI設(shè)備的散熱需求。


寫(xiě)在最后

在人工智能算力驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體市場(chǎng)正經(jīng)歷顛覆性變化。AI基礎(chǔ)設(shè)施成為未來(lái)十年半導(dǎo)體增長(zhǎng)的核心引擎，其中GPU市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到3260億美元。HBM作為AI服務(wù)器的核心標(biāo)配，是解決傳統(tǒng)存儲(chǔ)帶寬瓶頸的關(guān)鍵技術(shù)。三星通過(guò)推出HBM4芯片，不僅縮小了與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，還鞏固了其在AI內(nèi)存市場(chǎng)的地位。

同時(shí)，傳統(tǒng)內(nèi)存需求在AI推理的帶動(dòng)下反彈，服務(wù)器端對(duì)通用DRAM的需求激增，邊緣AI也推動(dòng)了PC和手機(jī)的升級(jí)。三星的DDR5和LPDDR5X內(nèi)存憑借出色的性能和能效，滿(mǎn)足了市場(chǎng)對(duì)高性能內(nèi)存的需求，進(jìn)一步推動(dòng)了三星業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)。

展望未來(lái)，存儲(chǔ)已成為AI基礎(chǔ)設(shè)施的核心資源。面對(duì)指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的內(nèi)存需求，三星等存儲(chǔ)原廠正將新增產(chǎn)能重點(diǎn)投向HBM等高端產(chǎn)品，同時(shí)優(yōu)化傳統(tǒng)DRAM的產(chǎn)能布局。隨著人工智能從生成式邁向智能體時(shí)代，內(nèi)存正成為制約發(fā)展的關(guān)鍵瓶頸。產(chǎn)業(yè)界已開(kāi)始探索如高帶寬閃存（HBF）等新型存儲(chǔ)方案，以應(yīng)對(duì)未來(lái)高性能設(shè)備的需求。