安森美NTD3055 - 150和NVD3055 - 150 MOSFET深度解析
安森美NTD3055 - 150和NVD3055 - 150 MOSFET深度解析
在電子工程師的日常設(shè)計工作中，MOSFET是一個非常關(guān)鍵的元件，廣泛應(yīng)用于各種電路設(shè)計中。今天我們就來深入了解一下安森美（onsemi）的NTD3055 - 150和NVD3055 - 150這兩款N溝道功率MOSFET。
文件下載：NTD3055-150-D.PDF
產(chǎn)品概述
NTD3055 - 150和NVD3055 - 150專為低電壓、高速開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計，適用于電源、轉(zhuǎn)換器、功率電機(jī)控制和橋式電路等場景。其中，NVD前綴的產(chǎn)品適用于汽車及其他有獨特場地和控制變更要求的應(yīng)用，并且通過了AEC - Q101認(rèn)證，具備PPAP能力。這兩款產(chǎn)品均為無鉛產(chǎn)品，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。
關(guān)鍵參數(shù)與特性
最大額定值
| 參數(shù) | 符號 | 數(shù)值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 漏源電壓 | (V_{DSS}) | 60 | Vdc |
| 漏柵電壓（(R_{GS} = 10M)） | (V_{DGR}) | 60 | Vdc |
| 柵源電壓（連續(xù)） | (V_{GS}) | ±20 | Vdc |
| 柵源電壓（非重復(fù)，(t_p ≤ 10ms)） | (V_{GS}) | ±30 | Vdc |
| 漏極電流（連續(xù)，(T_A = 25°C)） | (I_D) | 9.0 | Adc |
| 漏極電流（單脈沖，(t_p ≤ 10s)） | (I_{DM}) | 27 | Apk |
| 漏極電流（連續(xù)，(T_A = 100°C)） | (I_D) | 3.0 | Adc |
| 總功率耗散（(T_A = 25°C)） | (P_D) | 28.8 | W |
| 25°C以上降額系數(shù) | 0.19 | W/°C | |
| 總功率耗散（(T_A = 25°C)，注1） | (P_D) | 2.1 | W |
| 總功率耗散（(T_A = 25°C)，注2） | (P_D) | 1.5 | W |
| 工作和存儲溫度范圍 | (TJ)，(T{stg}) | - 55至175 | °C |
| 單脈沖漏源雪崩能量（起始(T_J = 25°C)） | (E_{AS}) | 30 | mJ |
| 結(jié)到外殼熱阻 | (R_{JC}) | 71.4 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻（注1） | (R_{JA}) | 5.2 | °C/W |
| 結(jié)到環(huán)境熱阻（注2） | (R_{JA}) | 100 | °C/W |
| 焊接用最大引腳溫度（距外殼1/8″，10秒） | (T_L) | 260 | °C |
從這些參數(shù)可以看出，這兩款MOSFET能夠承受一定的電壓和電流，并且在不同溫度條件下有相應(yīng)的功率耗散和熱阻特性。在實際設(shè)計中，我們需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景來考慮這些因素，比如在高溫環(huán)境下使用時，要注意功率耗散和熱阻對器件性能的影響。
電氣特性
關(guān)斷特性
- 漏源擊穿電壓：(V_{(BR)DSS})典型值為70.2Vdc，具有正溫度系數(shù)。
- 柵體泄漏電流：(I_{GSS})最大為±100nAdc。
- 柵閾值電壓：(V_{GS(th)})典型值為3.0Vdc，具有負(fù)溫度系數(shù)。
導(dǎo)通特性
- 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻：(R{DS(on)})典型值為122mΩ（(V{GS} = 10Vdc)，(I_D = 4.5Adc)）。
- 靜態(tài)漏源導(dǎo)通電壓：(V{DS(on)})典型值為1.4V（(V{GS} = 10Vdc)，(I_D = 9.0Adc)）。
- 正向跨導(dǎo)：(g_{Fs})典型值為5.4mhos。
動態(tài)特性
開關(guān)特性
- 開通延遲時間：(t_{d(on)})典型值為11.2ns。
- 上升時間：(t_r)典型值為37.1ns。
- 下降時間：(t_f)典型值為23ns。
源漏二極管特性
- 正向?qū)妷?/strong>：(V_{SD})典型值為0.98V（(IS = 9.0Adc)，(V{GS} = 0Vdc)）。
- 反向恢復(fù)時間：(t_{rr})典型值為28.9ns。
- 反向恢復(fù)存儲電荷：(Q_{RR})典型值為0.036μC。
這些電氣特性為我們在設(shè)計電路時提供了重要的參考依據(jù)。例如，導(dǎo)通電阻和導(dǎo)通電壓會影響電路的功耗，而開關(guān)特性則會影響電路的開關(guān)速度和效率。大家在實際設(shè)計中，要根據(jù)具體的電路要求來選擇合適的參數(shù)。
封裝與訂購信息
封裝形式
這兩款產(chǎn)品有DPAK和IPAK兩種封裝形式。DPAK封裝為表面貼裝，IPAK封裝為直插式。
訂購信息
| 器件型號 | 封裝 | 包裝數(shù)量 |
|---|---|---|
| NTD3055 - 150T4G | DPAK（無鉛） | 2500/卷帶 |
| NVD3055 - 150T4G - VF01 | DPAK（無鉛） | 2500/卷帶 |
| NTD3055 - 150G | DPAK（無鉛） | 75/導(dǎo)軌 |
| NTD3055 - 150 - 1G | IPAK（無鉛） | 75/導(dǎo)軌 |
| NTD3055 - 150T4H | DPAK（無鹵） | 2500/卷帶 |
| NVD3055 - 150T4G* | DPAK（無鉛） | 2500/卷帶 |
需要注意的是，部分器件型號已停產(chǎn)，大家在訂購時要仔細(xì)查看相關(guān)信息。
應(yīng)用建議
在使用NTD3055 - 150和NVD3055 - 150進(jìn)行電路設(shè)計時，要充分考慮器件的各項參數(shù)和特性。例如，在設(shè)計電源電路時，要根據(jù)負(fù)載電流和電壓要求來選擇合適的MOSFET，同時要注意散熱設(shè)計，確保器件在安全的溫度范圍內(nèi)工作。在開關(guān)電路中，要關(guān)注開關(guān)特性，選擇合適的驅(qū)動電路，以提高電路的開關(guān)速度和效率。
大家在實際應(yīng)用中有沒有遇到過MOSFET相關(guān)的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗和見解。希望通過這篇文章，能讓大家對安森美這兩款MOSFET有更深入的了解，在設(shè)計中能夠更好地應(yīng)用它們。
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