NXP K20 系列芯片技術(shù)解析:特性、參數(shù)與設(shè)計(jì)要點(diǎn)
引言
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,選擇合適的芯片對于項(xiàng)目的成功至關(guān)重要。NXP 的 K20 系列芯片以其豐富的功能和良好的性能,在眾多應(yīng)用場景中得到廣泛應(yīng)用。本文將深入剖析 NXP K20 系列芯片的相關(guān)技術(shù)細(xì)節(jié),為電子工程師們在設(shè)計(jì)過程中提供有價(jià)值的參考。
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一、K20 系列芯片概述
K20 系列芯片屬于 NXP Freescale 半導(dǎo)體旗下產(chǎn)品,支持 MK20DX256VMC10、MK20DN512VMC10 等型號。它具有以下顯著特點(diǎn):
- 寬電壓與溫度范圍
- 工作電壓范圍為 1.71 至 3.6 V,無論是低功耗應(yīng)用還是對電壓要求較高的場景都能適用。
- 閃存寫入電壓范圍同樣為 1.71 至 3.6 V,確保了數(shù)據(jù)寫入的穩(wěn)定性。
- 環(huán)境溫度范圍為 -40 至 105°C,可適應(yīng)較為惡劣的工作環(huán)境。
- 高性能處理能力:采用 ARM Cortex - M4 內(nèi)核,最高主頻可達(dá) 100 MHz,且支持 DSP 指令,每 MHz 能提供 1.25 Dhrystone MIPS 的處理能力,為復(fù)雜算法和任務(wù)的執(zhí)行提供了有力保障。
- 豐富的存儲(chǔ)資源
- 多樣化的時(shí)鐘源
- 擁有 3 至 32 MHz 晶體振蕩器和 32 kHz 晶體振蕩器,為不同模塊提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號。
- 配備多用途時(shí)鐘發(fā)生器,可靈活配置系統(tǒng)時(shí)鐘。
- 眾多系統(tǒng)外設(shè)
- 安全與完整性保障
- 硬件 CRC 模塊支持快速循環(huán)冗余校驗(yàn),保證數(shù)據(jù)傳輸?shù)臏?zhǔn)確性。
- 每顆芯片擁有 128 位唯一識別碼(ID),提升系統(tǒng)的安全性。
- 人機(jī)交互接口
- 低功耗硬件觸摸傳感器接口(TSI)可實(shí)現(xiàn)觸摸操作,為設(shè)備增添交互功能。
- 提供通用輸入/輸出接口,方便連接各種外部設(shè)備。
- 豐富的模擬模塊
- 多種定時(shí)器
- 可編程延遲塊可實(shí)現(xiàn)精確的時(shí)間延遲。
- 八通道電機(jī)控制/通用/PWM 定時(shí)器、兩個(gè) 2 通道正交解碼器/通用定時(shí)器、周期中斷定時(shí)器、16 位低功耗定時(shí)器、載波調(diào)制發(fā)射器和實(shí)時(shí)時(shí)鐘,滿足不同定時(shí)和控制需求。
- 廣泛的通信接口
二、訂購與識別
2.1 訂購信息
若需訂購 K20 系列芯片,可訪問 freescale.com 網(wǎng)站,搜索 PK20 和 MK20 相關(guān)設(shè)備編號,以獲取有效的可訂購部件編號。
2.2 部件識別
| 芯片的部件編號具有特定格式:Q K## A M FFF R T PP CC N,各字段含義如下: | 字段 | 描述 | 值 |
|---|---|---|---|
| Q | 認(rèn)證狀態(tài) | M(完全合格,通用市場流通)、P(預(yù)認(rèn)證) | |
| K## | Kinetis 系列 | K20 | |
| A | 關(guān)鍵屬性 | D(Cortex - M4 帶 DSP)、F(Cortex - M4 帶 DSP 和 FPU) | |
| M | 閃存類型 | N(僅程序閃存)、X(程序閃存和 FlexMemory) | |
| FFF | 程序閃存大小 | 32(32 KB)、64(64 KB)、128(128 KB)、256(256 KB)、512(512 KB)、1M0(1 MB)、2M0(2 MB) | |
| R | 硅修訂版 | Z(初始版)、A(主版本后的修訂版)、(空白)(主版本) | |
| T | 溫度范圍(°C) | V( - 40 至 105)、C( - 40 至 85) | |
| PP | 封裝標(biāo)識符 | FT(48 QFN,7 mm x 7 mm)、LH(64 LQFP,10 mm x 10 mm)等多種選擇 | |
| CC | 最大 CPU 頻率(MHz) | 5(50 MHz)、7(72 MHz)、10(100 MHz)、12(120 MHz)、15(150 MHz) | |
| N | 封裝類型 | R(卷帶包裝)、(空白)(托盤包裝) |
例如,MK20DN512ZVMD10 就是一個(gè)具體的部件編號示例。
三、術(shù)語與準(zhǔn)則
3.1 操作要求
操作要求是指在芯片運(yùn)行過程中,為避免錯(cuò)誤操作和可能縮短芯片使用壽命,必須保證的技術(shù)特性的指定值或值范圍。例如,VDD(1.0 V 核心電源電壓)的操作要求為 0.9 至 1.1 V。
3.2 操作行為
操作行為是指在滿足操作要求和其他指定條件的情況下,芯片技術(shù)特性在運(yùn)行過程中保證的指定值或值范圍。如數(shù)字 I/O 弱上拉/下拉電流 IWP 的操作行為,最小為 10 μA,典型值為 70 μA,最大為 130 μA。
3.3 屬性
屬性是指無論是否滿足操作要求,芯片技術(shù)特性都能保證的指定值或值范圍。例如,數(shù)字引腳的輸入電容 CIN_D 為 7 pF。
3.4 額定值
額定值是指技術(shù)特性的最小或最大值,超過該值可能導(dǎo)致芯片永久性損壞。分為操作額定值(芯片運(yùn)行時(shí)適用)和處理額定值(芯片未通電時(shí)適用)。例如,VDD(1.0 V 核心電源電壓)的操作額定值為 - 0.3 至 1.2 V。
3.5 準(zhǔn)則
在設(shè)計(jì)過程中,應(yīng)遵循以下準(zhǔn)則:
- 絕對不能超過芯片的任何額定值。
- 在正常運(yùn)行時(shí),不要超過芯片的任何操作要求。
- 若在非正常運(yùn)行時(shí)(如電源排序期間)必須超過操作要求,應(yīng)盡量縮短持續(xù)時(shí)間。
3.6 典型值
典型值是指技術(shù)特性的指定值,它位于操作行為指定的值范圍內(nèi),在滿足典型值條件或其他指定條件時(shí),能代表該特性在運(yùn)行中的情況。典型值僅作為設(shè)計(jì)參考,不進(jìn)行測試和保證。例如,數(shù)字 I/O 弱上拉/下拉電流 IWP 的典型值為 70 μA。
四、額定參數(shù)
4.1 熱處理額定值
| 符號 | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度 | - 55 | 150 | °C | 根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22 - A103 確定 |
| TSDR | 無鉛焊接溫度 | 260 | °C | 根據(jù) IPC/JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) J - STD - 020 確定 |
4.2 濕度處理額定值
MSL(濕度敏感度等級)為 3,根據(jù) IPC/JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) J - STD - 020 確定。
4.3 ESD 處理額定值
| 符號 | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| VHBM | 人體模型靜電放電電壓 | - 2000 | + 2000 | V | 根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22 - A114 確定 |
| VCDM | 帶電設(shè)備模型靜電放電電壓 | - 500 | + 500 | V | 根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD22 - C101 確定 |
| ILAT | 環(huán)境溫度為 105°C 時(shí)的閂鎖電流 | - 100 | + 100 | mA | 根據(jù) JEDEC 標(biāo)準(zhǔn) JESD78 確定 |
4.4 電壓和電流操作額定值
| 符號 | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| VDD | 數(shù)字電源電壓 | - 0.3 | 3.8 | V |
| IDD | 數(shù)字電源電流 | 185 | mA | |
| VDIO | 數(shù)字輸入電壓(除 RESET、EXTAL 和 XTAL) | - 0.3 | 5.5 | V |
| VAIO | 模擬 1、RESET、EXTAL 和 XTAL 輸入電壓 | - 0.3 | VDD + 0.3 | V |
| ID | 單引腳最大電流限制(適用于所有數(shù)字引腳) | - 25 | 25 | mA |
| VDDA | 模擬電源電壓 | VDD - 0.3 | VDD + 0.3 | V |
| VUSB_DP | USB_DP 輸入電壓 | - 0.3 | 3.63 | V |
| VUSB_DM | USB_DM 輸入電壓 | - 0.3 | 3.63 | V |
| VREGIN | USB 調(diào)節(jié)器輸入 | - 0.3 | 6.0 | V |
| VBAT | RTC 電池電源電壓 | - 0.3 | 3.8 | V |
五、電氣特性
5.1 AC 電氣特性
除非另有說明,傳播延遲從 50% 到 50% 點(diǎn)測量,上升和下降時(shí)間在 20% 和 80% 點(diǎn)測量。所有數(shù)字 I/O 開關(guān)特性假設(shè)輸出引腳負(fù)載 (C_{L}=30 pF),配置為快速壓擺率((PORTx_PCRn[SRE] = 0))和高驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度((PORTx_PCRn[DSE]=1)),輸入引腳禁用無源濾波器((PORTx_PCRn[PFE]=0))。
5.2 非開關(guān)電氣規(guī)格
5.2.1 電壓和電流操作要求
| 符號 | 描述 | 最小值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|
| VDD | 電源電壓 | 1.71 | 3.6 | V | |
| VDDA | 模擬電源電壓 | 1.71 | 3.6 | V | |
| VDD - VDDA | VDD 到 VDDA 的差分電壓 | - 0.1 | 0.1 | V | |
| VSS - VSSA | VSS 到 VSSA 的差分電壓 | - 0.1 | 0.1 | V | |
| VBAT | RTC 電池電源電壓 | 1.71 | 3.6 | V | |
| VIH | 輸入高電壓 | 2.7 V ≤ VDD ≤ 3.6 V 時(shí)為 0.7 × VDD;1.7 V ≤ VDD ≤ 2.7 V 時(shí)為 0.75 × VDD | V | ||
| VIL | 輸入低電壓 | 2.7 V ≤ VDD ≤ 3.6 V 時(shí)為 0.35 × VDD;1.7 V ≤ VDD ≤ 2.7 V 時(shí)為 0.3 × VDD | V | ||
| VHYS | 輸入滯后 | 0.06 × VDD | V | ||
| IICDIO | 數(shù)字引腳負(fù)直流注入電流(單引腳) | VIN < VSS - 0.3V 時(shí)為 - 5 mA | mA | ||
| IICAIO | 模擬 2、EXTAL 和 XTAL 引腳直流注入電流(單引腳) | VIN < VSS - 0.3V(負(fù)電流注入)時(shí)為 - 5 mA;VIN > VDD + 0.3V(正電流注入)時(shí)為 + 5 mA | mA | ||
| IICcont | 相鄰引腳直流注入電流(區(qū)域限制,包括 16 個(gè)相鄰引腳的負(fù)注入電流總和或正注入電流總和) | - 25 | + 25 | mA | |
| VODPU | 開漏上拉電壓電平 | VDD | VDD | V | 開漏輸出必須上拉到 VDD |
| VRAM | 保留 RAM 所需的 VDD 電壓 | 1.2 | V | ||
| VRFVBAT | 保留 VBAT 寄存器文件所需的 VBAT 電壓 | VPOR_VBAT | V |
5.2.2 LVD 和 POR 操作要求
| 符號 | 描述 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 | 備注 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| VPOR | 下降 VDD POR 檢測電壓 | 0.8 | 1.1 | 1.5 | V | |
| VLVDH | 下降低電壓檢測閾值(高范圍,LVDV = 01) | 2.48 | 2.56 | 2.64 | V | |
| VLVW1H | 低電壓警告閾值(高范圍,LVWV = 00) | 2.62 | 2.70 | 2.78 | V | |
| VLVW2H | 低電壓警告閾值(高范圍,LVWV = 01) | 2.80 | 2.72 | 2.88 | V | |
| VLVW3H | 低電壓警告閾值(高范圍,LVWV = 10) | 2.90 | 2.82 | 2.98 | V | |
| VLVW4H | 低電壓警告閾值(高范圍,LVWV = 11) | 3.00 | 2.92 | 3.08 | V | |
| VHYSH | 低電壓抑制復(fù)位/恢復(fù)滯后(高范圍) | ± 80 | mV | |||
| VLVDL | 下降低電壓檢測閾值(低范圍,LVDV = 00) | 1.54 | 1.60 | 1.66 | V | |
| VLVW1L | 低電壓警告閾值(低范圍,LVWV = 00) | 1.74 | 1.80 | 1.86 | V | |
| VLVW2L | 低電壓警告閾值(低范圍,LVWV = 01) | 1.84 | 1.90 | 1.96 | V | |
| VLVW3L | 低電壓警告閾值(低范圍,LVWV = 10) | 2.00 | 1.94 | 2.06 | V | |
| VLVW4L | 低電壓警告閾值(低范圍,LVWV = 11) | 2.04 | 2.10 | 2.16 | V | |
| VHYSL | 低電壓抑制復(fù)位/恢復(fù)滯后(低范圍) | ± 60 | mV | |||
| VBG | 帶隙電壓參考 | 0.97 | 1.00 | 1.03 | V | |
| tLPO trimmed | 內(nèi)部低功耗振蕩器 |
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