1、設計思路
ZYNQ系列的FPGA設計方法大同小異,都是PL+PS架構,只需要理清楚有多少個BANK,哪些BANK支持多少V供電和功耗,上電時序,那些BANK是PS端那些是PL端即可。目前網(wǎng)上有很多原理圖可以參考,可以根據(jù)自己的設計需求和習慣更換連接器或者電源芯片。
1.1 ZYNQ核心板架構
ZYNQ核心板的架構如下圖所示:

此圖是ZYNQ 7020 484的核心板架構,在更加高端的核心板上(900 1156封裝),PL端也可以設計用于PS端的電路,比如DDR、PHY、FLASH等。
1.2 BANK0
1、JTAG,接口用于下載程序的接口,市面上賣的下載器有15MHZ,30MHZ下載速度,JTAG在BANK0。
TCK:測試時鐘輸入
TMS:測試模式輸入
TDO:測試數(shù)據(jù)輸出
TDI:測試數(shù)據(jù)輸入
2、CFGBVS用于Bnak0的電壓選擇,BANK0支持所有IO電平標準(3.3V 1.2V 1.8V等),用多少V的電平接多少V,如果接GND則BANK0供電電壓小于等于1.8V.
3、PROGRAM_B,低電平有效,復位配置整個器件,在下降沿時配置復位初始化,上升沿時配置時序開始啟動,一般上拉。
4、INIT_B 初始化引腳或配置信號錯誤,低電平有效。

1.3 PS BANK
PS可以理解是一個高端的ARM芯片(A9 CORE),支持OTG、SD、以太網(wǎng)等嵌入式板卡的接口,相當于RK系列的芯片,可以加一些外圍電路做出想要的功能,其中PS端還涉及到BOOT的啟動模式和MIO BANK IO電平的選擇需要注意。
常見的配置如下(MIO BANK設置為1.8V):

啟動方式可以采用撥碼開關經(jīng)行設置(調節(jié)MIO4&MIO5的電平)。

BANK500 PS端時鐘(33.3333Mhz)和Reset:

BANK502 PS DDR
這個BANK連接DDR,需要注意的是DDR3選用的是低壓版本還是正常版本(1.35&1.5V),如果1.35V的DDR接1.5V也可以用,但是低壓版本的功耗優(yōu)勢就體現(xiàn)不出來,根據(jù)UG933 PAGE 66中的說明,DDR3的數(shù)據(jù)線除了時鐘DQS,其余的可以互換,有特殊功能的不行,比如DM信號。

1.4 PL BANK
這一部分的BANK就是純FPGA,接口以差分對的形式出現(xiàn),每一個BANK都對應各自的電平,需要給一個50Mhz的時鐘。

PL CLK(50Mhz):

2、核心板POWER供電
2.1 上電時序
ZYNQ7020的上電時序是1V>1.8V>1.35V>3.3V>VCCIO,可以使用不同的方法依次上電,比如添加N-MOS和P-MOS配合,或者直接控制EN管腳,添加RC電路做延時,搞清楚上電時序,在數(shù)字硬件設計中,有三點是最重要的,我認為可以解決90%的問題,POWER、CLK、RESET,這三點也貫徹在調試中。
2.2 DC-DC的選擇
DC-DC的選擇很重要,需要根據(jù)每個BANK的電流做設計以及占板面積、BOM成本等,功率電感的選型也很重要,需要滿足使用電流*1.3選擇功率電感,核心板的面積是很寶貴的,如圖以下兩種核心板的電源設計就有所不同,一個使用PMU一個使用單顆電源。像使用PMU這種板子就可以做的很小,但是有個致命的缺點,如果PMU發(fā)生損壞那么主芯片肯定也會發(fā)生問題。不像單顆供電那么保險,哪路燒了換哪路。

DC-DC單獨供電

PMU供電
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原文標題:ZYNQ核心板原理圖講解
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ZYNQ核心板原理圖講解
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