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臺(tái)積電和三星角逐7納米以下先進(jìn)工藝代工戰(zhàn)場(chǎng)

MZjJ_DIGITIMES ? 來(lái)源:cg ? 2018-12-21 10:55 ? 次閱讀
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目前來(lái)看,在資本與技術(shù)拉高進(jìn)入門檻下,GlobalFoundries(GF)退場(chǎng)、代工并非本業(yè)的英特爾則放棄代工業(yè)務(wù),7納米以下先進(jìn)工藝代工戰(zhàn)場(chǎng)已成為臺(tái)積電、三星晶圓代工雙雄對(duì)戰(zhàn)競(jìng)況。

近日市場(chǎng)再度傳出英特爾(Intel)將退出晶圓代工市場(chǎng),重新專注自家研發(fā)與制造事業(yè)。對(duì)此,半導(dǎo)體業(yè)者則表示,英特爾先前雖大張旗鼓進(jìn)軍代工領(lǐng)域,但實(shí)際上,并無(wú)大客戶且訂單規(guī)模尚小,近年晶圓代工業(yè)務(wù)已名存實(shí)亡,接單實(shí)力與專注代工的對(duì)手群差甚大。

因此嚴(yán)格來(lái)說(shuō),英特爾雖投入晶圓代工多時(shí),但并未真正專注且與三星電子(Samsung Electronics)、臺(tái)積電同場(chǎng)較勁,英特爾退出晶圓代工與否,對(duì)于自身產(chǎn)能調(diào)配及整體代工競(jìng)況影響甚小,且放棄了不賺錢且分心的代工事業(yè),在10納米以下先進(jìn)工藝中,英特爾或可專注重新站穩(wěn)工藝領(lǐng)先地位。

事實(shí)上,英特爾投入多年的晶圓代工業(yè)務(wù),近2年來(lái)已不斷傳出棄守消息,但英特爾對(duì)于市場(chǎng)傳聞均未有所回應(yīng)。進(jìn)一步觀察英特爾代工事業(yè)推展,自2010年全面進(jìn)軍晶圓代工市場(chǎng)以來(lái),英特爾在訂單及客戶爭(zhēng)取上并未見(jiàn)顯著斬獲。

雖在2017年技術(shù)及制造大會(huì)(Technology and Manufacturing Day)上,英特爾再次強(qiáng)調(diào)將協(xié)助客戶借由設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝及測(cè)試等統(tǒng)包式服務(wù)(turnkey services),取得英特爾的技術(shù)與制造資源,并在22、14及10納米FinFET制程,開(kāi)發(fā)出各種全功能設(shè)計(jì)平臺(tái),提供客戶前所未有的效能與電源效益組合,但迄今依舊是未見(jiàn)效益顯現(xiàn)。

當(dāng)中,英特爾代工業(yè)務(wù)就陸續(xù)揭露多家客戶合作消息,包括樂(lè)金電子(LG Electronics)會(huì)以英特爾10納米設(shè)計(jì)平臺(tái)為基礎(chǔ),打造世界級(jí)的行動(dòng)平臺(tái),而展訊也采用英特爾的14納米晶圓鑄造平臺(tái)設(shè)計(jì)產(chǎn)品,Achronix則采用英特爾22納米Speedster 22i HD1000網(wǎng)絡(luò)硅芯片生產(chǎn)自家產(chǎn)品。

而隨著英特爾10納米工藝延遲,連英特爾自身新舊平臺(tái)轉(zhuǎn)換都受到嚴(yán)重沖擊,對(duì)于客戶而言,英特爾工藝轉(zhuǎn)換與產(chǎn)能調(diào)配大亂,恐將影響自家產(chǎn)品量產(chǎn)時(shí)程,因此已不會(huì)選擇下單英特爾,就以樂(lè)金來(lái)看,其行動(dòng)平臺(tái)藍(lán)圖就受到英特爾10納米工藝推遲影響。

半導(dǎo)體業(yè)者對(duì)于英特爾傳將棄守晶圓代工市場(chǎng)均表示并不意外,且認(rèn)為英特爾并未真正進(jìn)入晶圓代工市場(chǎng),其實(shí)也不算退場(chǎng)。業(yè)者進(jìn)一步認(rèn)為,英特爾當(dāng)年搶進(jìn)晶圓代工市場(chǎng),首要目標(biāo)其實(shí)應(yīng)不是要與臺(tái)積電、三星等晶圓代工大廠搶生意,主要還是考慮產(chǎn)能調(diào)配最佳化。

進(jìn)一步來(lái)看,英特爾一直以來(lái)保持工業(yè)技術(shù)領(lǐng)先,在14納米工藝世代之前,與對(duì)手一直保持2~3個(gè)世代差距,但其實(shí)欲進(jìn)入全新先進(jìn)工藝世代,光是興建新廠與購(gòu)置設(shè)備,往往要耗資數(shù)十億美元,全面投入工藝研發(fā)后,人力與資金規(guī)模亦相當(dāng)可觀,保持工藝領(lǐng)先的代價(jià)十分驚人,因此,為能填補(bǔ)產(chǎn)能,拉高各制程產(chǎn)能利用率,進(jìn)而提升獲利,英特爾遂決定分身投入晶圓代工市場(chǎng)。

然而,英特爾進(jìn)軍晶圓代工市場(chǎng),成效并不佳,除了臺(tái)積電就穩(wěn)取逾5成市占,三星、GF等晶圓代工大廠也全力固守自身版圖外,英特爾代工報(bào)價(jià)偏高,且在整體供應(yīng)鏈服務(wù)上不及臺(tái)積電、三星等對(duì)手亦是原因所在。

而始料未及的是,英特爾近2年10納米工藝嚴(yán)重推遲,直至2019年底才會(huì)面市,自身14、22納米產(chǎn)能需求吃緊,英特爾更無(wú)暇顧及代工訂單,也因此,英特爾放棄晶圓代工,業(yè)界并不意外。

另值得一提的是,英特爾2017年3月舉行技術(shù)及制造大會(huì),英特爾負(fù)責(zé)制造營(yíng)運(yùn)及業(yè)務(wù)的執(zhí)行副總裁Stacy Smith于會(huì)中不僅宣布10納米Cannon Lake處理器將在2017年下半開(kāi)始量產(chǎn),亦說(shuō)明最新客制化晶圓代工(custom foundry)策略,會(huì)以14納米及10納米全力搶進(jìn)晶圓代工市場(chǎng)。

但原是下任執(zhí)行長(zhǎng)熱門人選的Stacy Smith卻突然在2018年初轉(zhuǎn)戰(zhàn)東芝任職,離職原因雖說(shuō)是退休,但由其在2017年技術(shù)及制造大會(huì)上所宣布的2大承諾均跳票,也顯見(jiàn)英特爾的制造業(yè)務(wù)正面臨前所未有的卡關(guān)危機(jī),連本業(yè)都顧不好,更難同時(shí)發(fā)展代工事業(yè)。

半導(dǎo)體業(yè)者表示,晶圓代工競(jìng)況就是資本競(jìng)賽,如GlobalFoundries不堪巨額投資,先前就宣布擱置7納米工藝推進(jìn)計(jì)劃,全面聚焦現(xiàn)有12納米及14納米工藝技術(shù),而英特爾比較不同,其是自身10納米工藝出現(xiàn)問(wèn)題,新舊工藝產(chǎn)能調(diào)配大亂,供不應(yīng)求下,當(dāng)然先顧本業(yè),無(wú)力在代工事業(yè)有所發(fā)展,當(dāng)然其原本就不具代工優(yōu)勢(shì),報(bào)價(jià)與服務(wù)均不及對(duì)手群也是原因所在。

目前臺(tái)積電在2018年第2季就搶先進(jìn)入7納米世代,至年底設(shè)計(jì)定案(Tape out)逾50個(gè),7納米EUV工藝也準(zhǔn)備就緒,5納米將在2019年第2季如期進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),2020年正式量產(chǎn),南科廠區(qū)已開(kāi)始移入機(jī)臺(tái),而下世代3納米工藝則進(jìn)入環(huán)評(píng)階段,另外,臺(tái)積電也再度重啟布局供需吃緊的8寸工藝。

對(duì)比之下,三星先前雖大動(dòng)作宣布最新工藝大計(jì),將直接推出采用EUV技術(shù)的7納米LPP工藝,現(xiàn)已研發(fā)完成,將進(jìn)入商用化階段,不過(guò),除三星自身產(chǎn)品外,并未見(jiàn)重要客戶大單落袋,目前蘋(píng)果2019年A13芯片仍是委由臺(tái)積電獨(dú)家代工。

盡管國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)日前公布全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告,受到存儲(chǔ)器價(jià)格崩跌與美中貿(mào)易戰(zhàn)等影響,2019年全球晶圓廠設(shè)備投資金額預(yù)將由原先預(yù)估的年成長(zhǎng)7%,下修15個(gè)百分點(diǎn)至年衰退8%,而***地區(qū)則是在臺(tái)積電積極布建5納米晶圓廠帶動(dòng)下,***地區(qū)2019年晶圓廠支出金額將逆勢(shì)出現(xiàn)24%年成長(zhǎng)率表現(xiàn)。

對(duì)比之下,受到NAND Flash價(jià)格下跌、DRAM價(jià)格近期也出現(xiàn)松動(dòng)等影響,連2年的 DRAM 盛世將結(jié)束,存儲(chǔ)器業(yè)者快速反應(yīng)市場(chǎng)情況,并減少資本支出,并暫緩所有已訂購(gòu)設(shè)備出貨,使得2019年整體存儲(chǔ)器資本支出將年減19%,當(dāng)中,韓國(guó)存儲(chǔ)器雙雄三星及SK海力士大砍資本支出為2019年全球晶圓廠設(shè)備投資金額大減的重要關(guān)鍵所在。

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原文標(biāo)題:【IC制造】7納米以下燒錢大戰(zhàn) 臺(tái)積電暫領(lǐng)先三星

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